MAC4DCM ， MAC4DCN
首选设备
双向可控硅
硅双向晶闸管
设计用于高容量，低成本，工业和消费
应用，例如马达控制;过程控制;温度，光
和速度控制。
特点
http://onsemi.com
小尺寸表面贴装封装DPAK
钝化死的可靠性和一致性
阻断电压为800 V
通态电流额定值的4.0 RMS在108℃
抗干扰能力强的dv / dt - 500 V / ms的125°C
抗干扰能力强的di / dt - 6.0 A / MS在125°C
环氧符合UL 94 V- 0 @ 0.125
ESD额定值：人体模型， 3B
u
8000 V
机器型号，C
u
400 V
双向可控硅
4.0安培RMS
600 - 800伏
MT2
G
MT1
记号
图表
4
1 2
3
600
800
DPAK
CASE 369C
类型6
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
重复峰值断态电压
（注1 ） （T
J
= -40 125 ℃，正弦波，
50至60赫兹，门打开）
MAC4DCM
MAC4DCN
开启状态RMS电流
（完整周期的正弦波， 60赫兹，
T
C
= 108°C)
峰值不重复浪涌电流
（一个完整周期的正弦波， 60赫兹，
T
J
= 125°C)
电路熔断思考
（T = 8.3毫秒）
峰值功率门
（脉冲宽度
≤
10
毫秒，
T
C
= 108°C)
平均功耗门
（T = 8.3毫秒，T
C
= 108°C)
栅极峰值电流
（脉冲宽度
≤
10
毫秒，
T
C
= 108°C)
峰值栅极电压
（脉冲宽度
≤
10
毫秒，
T
C
= 108°C)
工作结温范围
存储温度范围
符号
V
DRM ，
V
RRM
价值
单位
V
YWW
AC
4DCx
4
A
DPAK3
CASE 369D
类型6
2
3
Y
WW
x
=年
=工作周
= M或N
YWW
AC
4DCx
I
T（ RMS ）
4.0
I
TSM
40
A
1
I
2
t
P
GM
P
G（ AV ）
I
GM
V
GM
T
J
T
英镑
6.6
0.5
0.1
0.5
5.0
-40至125
-40至150
A
2
美国证券交易委员会
W
引脚分配
W
A
V
°C
°C
1
2
3
4
主终端1
主终端2
门
主终端2
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1. V
DRM
和V
RRM
对于所有类型的可以在一个连续的基础上被应用。闭塞
电压不得与恒定电流源，使得测试
该器件的额定电压都超标。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
1
2004年8月 - 第4版
出版订单号：
MAC4DCM/D
MAC4DCM ， MAC4DCN
热特性
特征
热电阻 - 结到外壳
热阻
- 结到环境
热阻
- 结到环境（注2 ）
最大的铅焊接温度的目的（注3 ）
符号
R
QJC
R
qJA
R
qJA
T
L
最大
3.5
88
80
260
单位
° C / W
°C
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明; ELECTRICALS应用在两个方向上）
特征
开关特性
重复峰值阻断电流
(V
D
=额定V
DRM
, V
RRM
;门打开）
基本特征
峰值通态电压（注4 ）
(I
TM
=
±
6.0 A)
门极触发电流（连续直流） （V
D
= 12 V ，R
L
= 100
W)
MT2 （ + ）中，G （+）
MT2 （ + ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （ - ）
门极触发电压（连续DC ） （V
D
= 12 V ，R
L
= 100
W)
MT2 （ + ）中，G （+）
MT2 （ + ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （ - ）
门非触发电压（连续DC） （V
D
= 12 V ，R
L
= 100
W)
MT2 （ + ）中，G （+） ; MT2 （ + ）中，G （ - ） ; MT2 （ - ）中，G （ - ）
T
J
= 125°C
保持电流
(V
D
= 12 V ，门打开，启动电流=
±
200毫安）
擎住电流（V
D
= 12 V，I
G
= 35 mA）的
MT2 （ + ）中，G （+）
MT2 （ + ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （ - ）
动态特性
特征
变化率换向电流的
(V
D
= 400 V，I
TM
= 4.0 A，换向dv / dt的= 18 V /毫秒，
门打开，T
J
= 125 ℃，中，f = 250赫兹，CL = 5.0
MF，
LL = 20毫亨，无缓冲）
（参见图16）
断态电压临界上升率
(V
D
= 0.67 ×额定V
DRM
，指数波形，门打开，T
J
= 125°C)
符号
的di / dt （三）
民
6.0
典型值
8.4
最大
单位
A / MS
V
TM
I
GT
8.0
8.0
8.0
V
GT
0.5
0.5
0.5
V
GD
I
H
I
L
30
50
20
60
80
60
0.2
6.0
0.8
0.8
0.8
0.4
22
1.3
1.3
1.3
35
V
mA
mA
12
18
22
35
35
35
V
1.3
1.6
V
mA
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
I
DRM ，
I
RRM
mA
0.01
2.0
符号
民
典型值
最大
单位
dv / dt的
500
1700
V / ms的
2.这些评价适用面安装在推荐的最小焊盘尺寸时。
3. 1/8“从壳体10秒。
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤
2.0毫秒，占空比
≤
2%.
订购信息
设备
MAC4DCM001
MAC4DCMT4
MAC4DCN001
MAC4DCNT4
套餐类型
DPAK3
DPAK
DPAK3
DPAK
包
369D
369C
369D
369C
航运
75单位/铁
16毫米磁带&卷（ 2.5 K /卷）
75单位/铁
16毫米磁带&卷（ 2.5 K /卷）
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
2
MAC4DCM ， MAC4DCN
双向晶闸管电压电流特性
（双向设备）
+电流
1象限
MainTerminal 2 +
符号
V
DRM
I
DRM
V
RRM
I
RRM
V
TM
I
H
参数
峰值重复正向断态电压
峰值正向阻断电流
反向重复峰值断态电压
峰值反向电流阻断
最大通态电压
保持电流
象限3
MainTerminal 2 -
I
H
V
TM
I
RRM
在V
RRM
在国家
I
H
V
TM
关国
+电压
I
DRM
在V
DRM
象限定义的三端双向可控硅
MT2正
（正半周）
+
（+）， MT2
（+）， MT2
第二象限
() I
GT
门
MT1
REF
(+) I
GT
门
MT1
REF
我象限
I
GT
（ - ） MT2
（ - ） MT2
+ I
GT
第三象限
() I
GT
门
MT1
REF
(+) I
GT
门
MT1
REF
第四象限
MT2负
（负半周）
所有极性引用给MT1 。
与同相的信号（使用标准的AC线）象限I和III被使用。
http://onsemi.com
3
MAC4DCM ， MAC4DCN
首选设备
双向可控硅
硅双向晶闸管
设计用于高容量，低成本，工业和消费
应用，例如马达控制;过程控制;温度，光
和速度控制。
http://onsemi.com
特点
小尺寸表面贴装封装DPAK
钝化死的可靠性和一致性
阻断电压为800 V
通态电流额定值的4.0 RMS在108℃
抗干扰能力强的dv / dt - 500 V / ms的125°C
抗干扰能力强的di / dt - 6.0 A / MS在125°C
环氧符合UL 94 V - 0 @ 0.125
ESD额定值：人体模型， 3B
u
8000 V
机器型号，C
u
400 V
无铅包可用
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
重复峰值断态电压
（注1 ） （T
J
= -40 125 ℃，正弦波，
50至60赫兹，门打开）
MAC4DCM
MAC4DCN
开启状态RMS电流
（完整周期的正弦波， 60赫兹，
T
C
= 108°C)
峰值不重复浪涌电流
（一个完整周期的正弦波， 60赫兹，
T
J
= 125°C)
电路熔断思考
（T = 8.3毫秒）
峰值功率门
（脉冲宽度
≤
10
毫秒，
T
C
= 108°C)
平均功耗门
（T = 8.3毫秒，T
C
= 108°C)
栅极峰值电流
（脉冲宽度
≤
10
毫秒，
T
C
= 108°C)
峰值栅极电压
（脉冲宽度
≤
10
毫秒，
T
C
= 108°C)
工作结温范围
存储温度范围
符号
V
DRM ，
V
RRM
600
800
I
T（ RMS ）
4.0
A
1
I
TSM
40
A
2
3
价值
单位
V
1 2
3
双向可控硅
4.0安培RMS
600 - 800伏
MT2
G
MT1
记号
图表
4
DPAK
CASE 369C
类型6
YWW
AC
4DCxG
4
DPAK3
CASE 369D
类型6
YWW
AC
4DCxG
I
2
t
P
GM
P
G（ AV ）
I
GM
V
GM
T
J
T
英镑
6.6
0.5
0.1
0.5
5.0
-40至125
-40至150
A
2
美国证券交易委员会
W
W
1
A
V
°C
°C
2
3
4
Y
WW
AC4DCx
G
=年
=工作周
=器件代码
X = M或N
= Pb-Free包装
引脚分配
主终端1
主终端2
门
主终端2
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1. V
DRM
和V
RRM
对于所有类型的可以在一个连续的基础上被应用。闭塞
电压不得与恒定电流源，使得测试
该器件的额定电压都超标。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年5月 - 修订版6
出版订单号：
MAC4DCM/D
MAC4DCM ， MAC4DCN
热特性
特征
热阻 - 结到外壳
- 结到环境
- 结到环境（注2 ）
最大的铅焊接温度的目的（注3 ）
符号
R
QJC
R
qJA
R
qJA
T
L
最大
3.5
88
80
260
单位
° C / W
°C
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明; ELECTRICALS应用在两个方向上）
特征
开关特性
重复峰值阻断电流
(V
D
=额定V
DRM
, V
RRM
;门打开）
基本特征
峰值通态电压（注4 ） （我
TM
=
±
6.0 A)
门极触发电流（连续直流） （V
D
= 12 V ，R
L
= 100
W)
MT2 （ + ）中，G （+）
MT2 （ + ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （ - ）
门极触发电压（连续DC ） （V
D
= 12 V ，R
L
= 100
W)
MT2 （ + ）中，G （+）
MT2 （ + ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （ - ）
门非触发电压（连续DC） （V
D
= 12 V ，R
L
= 100
W)
MT2 （ + ）中，G （+） ; MT2 （ + ）中，G （ - ） ; MT2 （ - ）中，G （ - ）
T
J
= 125°C
保持电流（V
D
= 12 V ，门打开，启动电流=
±
200毫安）
擎住电流（V
D
= 12 V，I
G
= 35 mA）的
MT2 （ + ）中，G （+）
MT2 （ + ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （ - ）
动态特性
变化率换向电流的
(V
D
= 400 V，I
TM
= 4.0 A，换向dv / dt的= 18 V /毫秒，
门打开，T
J
= 125 ℃，中，f = 250赫兹，CL = 5.0
MF，
LL = 20毫亨，无缓冲）
（参见图16）
断态电压临界上升率
(V
D
= 0.67 ×额定V
DRM
，指数波形，门打开，T
J
= 125°C)
的di / dt （三）
6.0
8.4
A / MS
V
TM
I
GT
8.0
8.0
8.0
V
GT
0.5
0.5
0.5
V
GD
I
H
I
L
30
50
20
60
80
60
0.2
6.0
0.8
0.8
0.8
0.4
22
1.3
1.3
1.3
35
V
mA
mA
12
18
22
35
35
35
V
1.3
1.6
V
mA
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
I
DRM ，
I
RRM
mA
0.01
2.0
符号
民
典型值
最大
单位
dv / dt的
500
1700
V / ms的
2.这些评价适用面安装在推荐的最小焊盘尺寸时。
3. 1/8“从壳体10秒。
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤
2.0毫秒，占空比
≤
2%.
订购信息
设备
MAC4DCM001
MAC4DCM1G
MAC4DCMT4
MAC4DCMT4G
MAC4DCN001
MAC4DCN1G
MAC4DCNT4
MAC4DCNT4G
套餐类型
DPAK3
DPAK3
（无铅）
DPAK
DPAK
（无铅）
DPAK3
DPAK3
（无铅）
DPAK
DPAK
（无铅）
包
369D
369D
369C
369C
369D
369D
369C
369C
航运
75单位/铁
75单位/铁
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
75单位/铁
75单位/铁
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
2
MAC4DCM ， MAC4DCN
双向晶闸管电压电流特性
（双向设备）
+电流
1象限
MainTerminal 2 +
符号
V
DRM
I
DRM
V
RRM
I
RRM
V
TM
I
H
参数
峰值重复正向断态电压
峰值正向阻断电流
反向重复峰值断态电压
峰值反向电流阻断
最大通态电压
保持电流
象限3
MainTerminal 2 -
I
H
V
TM
I
RRM
在V
RRM
在国家
I
H
V
TM
关国
+电压
I
DRM
在V
DRM
象限定义的三端双向可控硅
MT2正
（正半周）
+
（+）， MT2
（+）， MT2
第二象限
() I
GT
门
MT1
REF
(+) I
GT
门
MT1
REF
我象限
I
GT
（ - ） MT2
（ - ） MT2
+ I
GT
第三象限
() I
GT
门
MT1
REF
(+) I
GT
门
MT1
REF
第四象限
MT2负
（负半周）
所有极性引用给MT1 。
与同相的信号（使用标准的AC线）象限I和III被使用。
http://onsemi.com
3
QQ：2880707522 复制
