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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第999页 > MAC223
分立半导体
数据表
MAC223系列
双向可控硅
产品speci fi cation
2001年7月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双向可控硅
概述
在一个塑料外壳钝化可控硅，
旨在用于需要的应用程序
高双向瞬态和阻塞
电压能力和高的热
循环
性能。
典型
应用包括电机控制，
工业和家庭照明，取暖
和静态开关。
MAC223系列
快速参考数据
符号
参数
MAC223
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值通态
当前
MAX MAX 。 UNIT
A6
400
25
230
A8
600
25
230
V
A
A
钉扎 - TO220AB
针
1
2
3
TAB
描述
主终端1
引脚配置
TAB
符号
T2
主终端2
门
主终端2
1 23
T1
G
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）的限制值。
符号
参数
条件
MAC223
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值
通态电流
I
2
吨融合
上升的重复率
通态电流后，
触发
全正弦波;牛逼
mb
≤
91 C
全正弦波;牛逼
j
前= 25
浪涌
t为20毫秒
T = 16.7毫秒
T = 10毫秒
I
TM
= 30 A;我
G
= 0.2 A;
dI
G
/ DT = 0.2 A / μs的
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
T2- G +
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
-
分钟。
A6
400
1
25
190
230
180
50
50
50
10
2
5
5
0.5
150
125
马克斯。
A8
600
1
V
A
A
A
A
2
s
A / μs的
A / μs的
A / μs的
A / μs的
A
V
W
W
C
C
单位
I
2
t
dI
T
/ DT
I
GM
V
GM
P
GM
P
G（ AV ）
T
英镑
T
j
栅极峰值电流
峰值栅极电压
峰值功率门
平均功耗门
储存温度
工作结
温度
在任何20毫秒期
1
虽然不建议，断态电压高达800V可在不损伤被应用，但可双向可控硅
切换到接通状态。电流上升率应不超过15 A / μs的。
2001年7月
2
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双向可控硅
热阻
符号
R
日J- MB
R
日J-一
参数
条件
分钟。
-
-
-
MAC223系列
典型值。
-
-
60
马克斯。
1.0
1.4
-
单位
K / W
K / W
K / W
热阻
全周期
路口安装基座半个周期
热阻
在自由空气
结到环境
静态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
I
GT
参数
门极触发电流
条件
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
T2- G +
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
T2- G +
T2+
T2-
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.25
-
典型值。
6
10
11
23
8
30
18
15
7
12
1.3
0.7
0.4
0.1
马克斯。
50
50
50
75
40
60
40
60
30
30
1.55
1.5
-
0.5
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
mA
I
L
闭锁电流
V
D
= 12 V ;我
GT
= 0.1 A
I
H
V
T
V
GT
I
D
保持电流
通态电压
门极触发电压
断态泄漏电流
V
D
= 12 V ;我
GT
= 0.1 A
I
T
= 30 A
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A
V
D
= 400 V ;我
T
= 0.1 A;牛逼
j
= 125 C
V
D
= V
数字版权管理（最大值）
; T
j
= 125 C
动态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
dV
D
/ DT
dV
COM
/ DT
t
gt
参数
的临界上升率
断态电压
变化率的关键
整流电压
门控开启
时间
条件
V
DM
= 67% V
数字版权管理（最大值）
; T
j
= 125 C;
指数波形;门开路
V
DM
= 400 V ;牛逼
j
= 95℃ ;我
T（ RMS ）
= 25 A;
dI
COM
/ DT = 8 A / MS;门开路
I
TM
= 30 A; V
D
= V
数字版权管理（最大值）
; I
G
= 0.1 A;
dI
G
/ DT = 5 A / μs的
分钟。
100
-
-
典型值。
300
10
2
马克斯。
-
-
-
单位
V / μs的
V / μs的
s
2001年7月
3
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双向可控硅
MAC223系列
40
P合计/ W
TMB （最大值） / C
85
30
25
IT （ RMS ） / A
BTA140
91 C
= 180
30
1
120
90
60
95
20
105
20
30
15
10
10
115
5
0
125
30
0
5
10
15
IT （ RMS ） / A
20
25
0
-50
0
50
TMB / C
100
150
图1 。最大通态损耗，P
合计
，与有效值
通态电流I
T（ RMS ）
，其中，
α
=导通角。
ITSM / A
图4 。允许的最大均方根电流I
T（ RMS ）
,
与安装基座温度T
mb
.
IT （ RMS ） / A
1000
50
40
30
100
dI
T
/ dt限制
T2- G +象限
IT
T
10
10us
我TSM
时间
20
10
TJ初始= 25℃最高
100us
1ms
T / S
10ms
100ms
0
0.01
0.1
1
浪涌持续时间/秒
10
图2 。允许的最大非重复性峰值
通态电流I
TSM
，与脉冲宽度t
p
为
正弦电流，T
p
≤
20ms.
ITSM / A
IT
150
T
ITSM
时间
图5 。对国家最大允许重复的有效值
电流I
T（ RMS ）
，与持续激增，为正弦
电流， F = 50赫兹;牛逼
mb
≤
91C.
VGT （ TJ ）
VGT （ 25℃ ）
200
1.6
1.4
1.2
1
0.8
TJ初始= 25℃最高
100
50
0.6
0
1
10
100
周期在50Hz数
1000
0.4
-50
0
50
TJ / C
100
150
如图3所示。允许的最大非重复性峰值
通态电流I
TSM
，对周期数，对于
正弦电流， F = 50赫兹。
图6 。归一化门极触发电压
V
GT
(T
j
)/ V
GT
（25℃ ） ，与结温度T
j
.
2001年7月
4
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双向可控硅
MAC223系列
5
IGT （ TJ ）
IGT （ 25℃ ）
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
T2- G +
80
70
IT / A
TJ = 125℃
TJ = 25℃
BTA140
4
60
VO = 1.073 V
卢比= 0.015欧姆
典型值
最大
50
3
40
2
30
20
1
10
0
0
-50
0
50
TJ / C
100
150
0
0.5
1
1.5
VT / V
2
2.5
3
图7 。归一化门极触发电流
I
GT
(T
j
)/ I
GT
（25℃ ） ，与结温度T
j
.
白细胞介素（ TJ ）
IL （ 25℃ ）
图10 。典型和最大通态特性。
10
第i个J- MB （K / W）
BTA140
3
2.5
2
1.5
1
1
单向
双向
0.1
P
D
t
p
0.01
0.5
0
-50
0.001
10us
0.1ms
1ms
10ms
TP /秒
0.1s
1s
t
0
50
TJ / C
100
150
10s
图8 。正常化闭锁电流I
L
(T
j
)/ I
L
(25C),
与结温度T
j
.
IH（ TJ）
IH(25C)
图11 。瞬态热阻抗Z
日J- MB
，与
脉冲宽度t
p
.
的dV / dt （V /美国）
1000
3
2.5
2
1.5
1
0.5
关断状态的dV / dt限制
100
DICOM / DT =
25 A / MS
10
20
15
12
9.0
7.0
0
-50
0
50
TJ / C
100
150
1
0
50
TJ / C
100
150
图9 。归一化控股电流I
H
(T
j
)/ I
H
(25C),
与结温度T
j
.
图12 。典型的换向的dV / dt与结
温度参数减刑的dI
T
/ DT 。双向可控硅
应换向时的dV / dt是下面的值
相应的曲线预换向的dI上
T
/ DT 。
2001年7月
5
启1.000
分立半导体
数据表
MAC223系列
双向可控硅
产品speci fi cation
2001年7月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双向可控硅
概述
在一个塑料外壳钝化可控硅，
旨在用于需要的应用程序
高双向瞬态和阻塞
电压能力和高的热
循环
性能。
典型
应用包括电机控制，
工业和家庭照明，取暖
和静态开关。
MAC223系列
快速参考数据
符号
参数
MAC223
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值通态
当前
MAX MAX 。 UNIT
A6
400
25
230
A8
600
25
230
V
A
A
钉扎 - TO220AB
针
1
2
3
TAB
描述
主终端1
引脚配置
TAB
符号
T2
主终端2
门
主终端2
1 23
T1
G
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）的限制值。
符号
参数
条件
MAC223
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值
通态电流
I
2
吨融合
上升的重复率
通态电流后，
触发
全正弦波;牛逼
mb
≤
91 C
全正弦波;牛逼
j
前= 25
浪涌
t为20毫秒
T = 16.7毫秒
T = 10毫秒
I
TM
= 30 A;我
G
= 0.2 A;
dI
G
/ DT = 0.2 A / μs的
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
T2- G +
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
-
分钟。
A6
400
1
25
190
230
180
50
50
50
10
2
5
5
0.5
150
125
马克斯。
A8
600
1
V
A
A
A
A
2
s
A / μs的
A / μs的
A / μs的
A / μs的
A
V
W
W
C
C
单位
I
2
t
dI
T
/ DT
I
GM
V
GM
P
GM
P
G（ AV ）
T
英镑
T
j
栅极峰值电流
峰值栅极电压
峰值功率门
平均功耗门
储存温度
工作结
温度
在任何20毫秒期
1
虽然不建议，断态电压高达800V可在不损伤被应用，但可双向可控硅
切换到接通状态。电流上升率应不超过15 A / μs的。
2001年7月
2
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双向可控硅
热阻
符号
R
日J- MB
R
日J-一
参数
条件
分钟。
-
-
-
MAC223系列
典型值。
-
-
60
马克斯。
1.0
1.4
-
单位
K / W
K / W
K / W
热阻
全周期
路口安装基座半个周期
热阻
在自由空气
结到环境
静态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
I
GT
参数
门极触发电流
条件
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
T2- G +
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
T2- G +
T2+
T2-
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.25
-
典型值。
6
10
11
23
8
30
18
15
7
12
1.3
0.7
0.4
0.1
马克斯。
50
50
50
75
40
60
40
60
30
30
1.55
1.5
-
0.5
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
mA
I
L
闭锁电流
V
D
= 12 V ;我
GT
= 0.1 A
I
H
V
T
V
GT
I
D
保持电流
通态电压
门极触发电压
断态泄漏电流
V
D
= 12 V ;我
GT
= 0.1 A
I
T
= 30 A
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A
V
D
= 400 V ;我
T
= 0.1 A;牛逼
j
= 125 C
V
D
= V
数字版权管理（最大值）
; T
j
= 125 C
动态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
dV
D
/ DT
dV
COM
/ DT
t
gt
参数
的临界上升率
断态电压
变化率的关键
整流电压
门控开启
时间
条件
V
DM
= 67% V
数字版权管理（最大值）
; T
j
= 125 C;
指数波形;门开路
V
DM
= 400 V ;牛逼
j
= 95℃ ;我
T（ RMS ）
= 25 A;
dI
COM
/ DT = 8 A / MS;门开路
I
TM
= 30 A; V
D
= V
数字版权管理（最大值）
; I
G
= 0.1 A;
dI
G
/ DT = 5 A / μs的
分钟。
100
-
-
典型值。
300
10
2
马克斯。
-
-
-
单位
V / μs的
V / μs的
s
2001年7月
3
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双向可控硅
MAC223系列
40
P合计/ W
TMB （最大值） / C
85
30
25
IT （ RMS ） / A
BTA140
91 C
= 180
30
1
120
90
60
95
20
105
20
30
15
10
10
115
5
0
125
30
0
5
10
15
IT （ RMS ） / A
20
25
0
-50
0
50
TMB / C
100
150
图1 。最大通态损耗，P
合计
，与有效值
通态电流I
T（ RMS ）
，其中，
α
=导通角。
ITSM / A
图4 。允许的最大均方根电流I
T（ RMS ）
,
与安装基座温度T
mb
.
IT （ RMS ） / A
1000
50
40
30
100
dI
T
/ dt限制
T2- G +象限
IT
T
10
10us
我TSM
时间
20
10
TJ初始= 25℃最高
100us
1ms
T / S
10ms
100ms
0
0.01
0.1
1
浪涌持续时间/秒
10
图2 。允许的最大非重复性峰值
通态电流I
TSM
，与脉冲宽度t
p
为
正弦电流，T
p
≤
20ms.
ITSM / A
IT
150
T
ITSM
时间
图5 。对国家最大允许重复的有效值
电流I
T（ RMS ）
，与持续激增，为正弦
电流， F = 50赫兹;牛逼
mb
≤
91C.
VGT （ TJ ）
VGT （ 25℃ ）
200
1.6
1.4
1.2
1
0.8
TJ初始= 25℃最高
100
50
0.6
0
1
10
100
周期在50Hz数
1000
0.4
-50
0
50
TJ / C
100
150
如图3所示。允许的最大非重复性峰值
通态电流I
TSM
，对周期数，对于
正弦电流， F = 50赫兹。
图6 。归一化门极触发电压
V
GT
(T
j
)/ V
GT
（25℃ ） ，与结温度T
j
.
2001年7月
4
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双向可控硅
MAC223系列
5
IGT （ TJ ）
IGT （ 25℃ ）
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
T2- G +
80
70
IT / A
TJ = 125℃
TJ = 25℃
BTA140
4
60
VO = 1.073 V
卢比= 0.015欧姆
典型值
最大
50
3
40
2
30
20
1
10
0
0
-50
0
50
TJ / C
100
150
0
0.5
1
1.5
VT / V
2
2.5
3
图7 。归一化门极触发电流
I
GT
(T
j
)/ I
GT
（25℃ ） ，与结温度T
j
.
白细胞介素（ TJ ）
IL （ 25℃ ）
图10 。典型和最大通态特性。
10
第i个J- MB （K / W）
BTA140
3
2.5
2
1.5
1
1
单向
双向
0.1
P
D
t
p
0.01
0.5
0
-50
0.001
10us
0.1ms
1ms
10ms
TP /秒
0.1s
1s
t
0
50
TJ / C
100
150
10s
图8 。正常化闭锁电流I
L
(T
j
)/ I
L
(25C),
与结温度T
j
.
IH（ TJ）
IH(25C)
图11 。瞬态热阻抗Z
日J- MB
，与
脉冲宽度t
p
.
的dV / dt （V /美国）
1000
3
2.5
2
1.5
1
0.5
关断状态的dV / dt限制
100
DICOM / DT =
25 A / MS
10
20
15
12
9.0
7.0
0
-50
0
50
TJ / C
100
150
1
0
50
TJ / C
100
150
图9 。归一化控股电流I
H
(T
j
)/ I
H
(25C),
与结温度T
j
.
图12 。典型的换向的dV / dt与结
温度参数减刑的dI
T
/ DT 。双向可控硅
应换向时的dV / dt是下面的值
相应的曲线预换向的dI上
T
/ DT 。
2001年7月
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