MAC212A8 ， MAC212A10
首选设备
双向可控硅
硅双向晶闸管
主要设计用于全波交流控制应用中，如
调光器，马达控制，加热控制和电源;或
只要全波硅栅极控制固态器件
需要的。三端双向可控硅类型晶闸管从阻断切换到导通
国家对任一极性施加阳极电压与正向或
负门极触发。
特点
http://onsemi.com
阻断电压为800伏特
所有的扩散和玻璃钝化结大中华区参数
均匀性和稳定性
体积小，坚固耐用， Thermowatt建设低热
性，高散热性和耐用性
门极触发保证在四种模式
无铅包可用*
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
重复峰值断态电压（注1 ）
(T
J
= -40至+ 125°C ，正弦波50到60赫兹，
门打开）
MAC212A8
MAC212A10
开启状态RMS电流（T
C
= +85°C)
完整周期的正弦波50到60赫兹
峰值不重复浪涌电流（一个
完整周期的正弦波， 60赫兹，T
C
= +25°C)
前面和后面的额定电流
电路熔断思考（ T = 8.3毫秒）
峰值功率门
(T
C
= + 85°C ，脉冲宽度= 10
女士）
平均功耗门
(T
C
= + 85°C ，T = 8.3毫秒）
栅极峰值电流
(T
C
= + 85°C ，脉冲宽度= 10
女士）
工作结温范围
存储温度范围
符号
V
DRM ，
V
RRM
600
800
I
T（ RMS ）
I
TSM
12
100
A
A
价值
单位
V
双向可控硅
12安培RMS
600 THRU 800伏
MT2
G
MT1
记号
图
MAC212AxG
AYWW
TO220AB
案例221A -07
方式4
x
A
Y
WW
G
= 8或10个
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
1
2
3
I
2
t
P
GM
P
G（ AV ）
I
GM
T
J
T
英镑
40
20
0.35
2.0
-40到+125
-40到+150
A
2
s
W
引脚分配
W
A
°C
°C
1
2
3
4
主终端1
主终端2
门
主终端2
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1. V
DRM
和V
RRM
对于所有类型的可以在一个连续的基础上被应用。闭塞
电压不得与恒定电流源，使得测试
该器件的额定电压都超标。
订购信息
设备
MAC212A8D
MAC212A8DG
MAC212A10
MAC212A10G
包
TO220AB
TO220AB
（无铅）
TO220AB
TO220AB
（无铅）
航运
500单位/箱
500单位/箱
500单位/箱
500单位/箱
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
1
2005年12月 - 第2版
出版订单号：
MAC212A8/D
MAC212A8 ， MAC212A10
热特性
特征
热阻，
r
结到外壳
结到环境
符号
R
QJC
R
qJA
T
L
价值
2.0
62.5
260
单位
° C / W
°C
最大的铅焊接温度的目的1/8“案件从10秒]
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明; ELECTRICALS应用在两个方向上）
特征
开关特性
重复峰值阻断电流
(V
D
=额定V
DRM
, V
RRM
;门打开）
T
J
= 25°C
T
J
= +125°C
I
DRM
,
I
RRM
10
2.0
mA
mA
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
峰值通态电压
I
TM
=
"17
A峰值;脉冲宽度= 1 2毫秒，占空比
p
2%
门极触发电流（连续直流）
（主候机楼电压= 12伏，R
L
= 100
W)
MT2 （ + ）中，G （+）
MT2 （ + ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （+）
门极触发电压（连续直流）
（主候机楼电压= 12伏，R
L
= 100
W)
MT2 （ + ）中，G （+）
MT2 （ + ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （+）
门非触发电压（连续DC）
（主候机楼电压= 12 V ，R
L
= 100
W,
T
J
= +125°C)
所有四个象限
保持电流
（主候机楼电压= 12 VDC，门打开，
启动电流=
"200
毫安）
开启时间
(V
D
=额定V
DRM
, I
TM
= 17 A，I
GT
= 120毫安，
上升时间= 0.1
女士，
脉冲宽度= 2
女士）
动态特性
换相电压临界上升率
(V
D
=额定V
DRM
, I
TM
= 17 A，整流的di / dt = 6.1 A / MS ，
门未通电，T
C
= +85°C)
断态电压临界上升率
(V
D
=额定V
DRM
，指数电压升高，门打开，T
C
= +85°C)
dv / dt的
(c)
5.0
V / ms的
V
TM
I
GT
V
GT
V
GD
0.2
I
H
6.0
50
mA
0.9
0.9
1.1
1.4
2.0
2.0
2.0
2.5
V
12
12
20
35
50
50
50
75
V
1.3
1.75
V
mA
t
gt
1.5
ms
dv / dt的
100
V / ms的
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2
MAC212A8 ， MAC212A10
双向晶闸管电压电流特性
（双向设备）
+电流
1象限
MainTerminal 2 +
符号
V
DRM
I
DRM
V
RRM
I
RRM
V
TM
I
H
参数
重复峰值正向关闭状态电压
峰值正向阻断电流
反向重复峰值断态电压
峰值反向电流阻断
最大通态电压
保持电流
象限3
MainTerminal 2 -
I
H
V
TM
I
RRM
在V
RRM
在国家
I
H
V
TM
关国
+电压
I
DRM
在V
DRM
象限定义的三端双向可控硅
MT2正
（正半周）
+
（+）， MT2
（+）， MT2
第二象限
() I
GT
门
MT1
REF
(+) I
GT
门
MT1
REF
我象限
I
GT
（ - ） MT2
（ - ） MT2
+ I
GT
第三象限
() I
GT
门
MT1
REF
(+) I
GT
门
MT1
REF
第四象限
MT2负
（负半周）
所有极性引用给MT1 。
与同相的信号（使用标准的AC线）象限I和III被使用。
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3
MAC212A8 ， MAC212A10
TC ，最大允许外壳温度（
°
C)
PD （ AV ） ，平均功耗（瓦）
125
28
24
20
16
12
8.0
4.0
0
0
2.0
4.0
6.0
8.0
10
12
14
α
α
=导通角
α
dc
α
= 180°
90°
60°
30°
115
α
= 30°
α
α
85
α
=导通角
60°
90°
180°
dc
105
95
75
0
2.0
4.0
6.0
8.0
10
12
14
I
T（ RMS ）
， RMS通态电流（ AMP ）
I
T（ RMS ）
， RMS通态电流（ AMP ）
图1.电流降额
图2.功耗
100
IT，瞬时通态电流（ AMPS ）
50
20
10
5.0
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
100
ITSM ，峰值浪涌电流（ AMP ）
80
60
40
周期
T
C
= 70°C
F = 60赫兹
激增的前面和后面的额定电流
2.0
3.0
周期数
5.0
7.0
10
20
0
1.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 2.8 3.2 3.6 4.0 4.4
V
T
，瞬时导通电压（伏）
图4.最大不重复浪涌电流
VGT ，门极触发电压（标准化）
2.0
1.6
主终端电压= 12伏直流
所有象限
图3.最大通态电压
特征
1.2
0.8
0.4
0
60
40
20
0
20
40
60
80
T
C
，外壳温度（ ° C）
图5.典型栅极触发电压
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4
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