MAC16HCD ， MAC16HCM ，
MAC16HCN
首选设备
双向可控硅
硅双向晶闸管
主要设计用于全波交流控制应用中，如
马达控制，加热控制或调光器;或是其他地方，全波，
需要硅栅极控制的设备。
特点
http://onsemi.com
整流高di / dt和高抗dv / dt的@ 125°C
统一的门极触发电流在三个象限， Q1 ， Q2和Q3
阻断电压为800伏特
通态电流额定值的16安培RMS在80℃
高浪涌电流能力 - 150安培
工业标准TO- 220AB封装，便于设计
玻璃钝化结可靠性和一致性
无铅包可用*
双向可控硅
16安培RMS
400通800伏
MT2
G
MT1
记号
图
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
重复峰值断态电压（注1 ）
(T
J
= -40 125 ℃，正弦波，
50至60赫兹，门打开）
MAC16HCD
MAC16HCM
MAC16HCN
开启状态RMS电流
（完整周期的正弦波50到60赫兹;
T
C
= 80°C)
峰值不重复浪涌电流
（一个完整周期， 60赫兹，T
J
= 125°C)
电路熔断思考（ T = 8.33毫秒）
峰值功率门
（脉冲宽度
≤
1.0
女士，
T
C
= 80°C)
平均功耗门
（T = 8.3毫秒，T
C
= 80°C)
工作结温范围
存储温度范围
符号
V
DRM ，
V
RRM
400
600
800
I
T（ RMS ）
16
A
价值
单位
V
1
2
TO220AB
CASE 221A -09
方式4
x
A
Y
WW
G
= D，M或N
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
MAC16HCxG
AYWW
3
I
TSM
I
2
t
P
GM
P
G（ AV ）
T
J
T
英镑
150
93
20
0.5
-40到+125
-40到+150
A
A
2
美国证券交易委员会
W
W
°C
°C
1
2
3
4
引脚分配
主终端1
主终端2
门
主终端2
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1. V
DRM
和V
RRM
对于所有类型的可以在一个连续的基础上被应用。闭塞
电压不得与恒定电流源，使得测试
该器件的额定电压都超标。
订购信息
设备
MAC16HCD
MAC16HCDG
MAC16HCM
MAC16HCMG
MAC16HCN
MAC16HCNG
包
TO220AB
TO220AB
（无铅）
TO220AB
TO220AB
（无铅）
TO220AB
TO220AB
（无铅）
航运
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年12月 - 第1版
出版订单号：
MAC16HC/D
MAC16HCD ， MAC16HCM ， MAC16HCN
热特性
特征
热阻，
结到外壳
结到环境
符号
R
QJC
R
qJA
T
L
价值
2.2
62.5
260
单位
° C / W
°C
最大的铅焊接温度的目的1/8“案件从10秒
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明; ELECTRICALS应用在两个方向上）
特征
开关特性
重复峰值阻断电流
(V
D
=额定V
DRM
, V
RRM
，门打开）
基本特征
峰值通态电压（注2 ） （我
TM
=
"21
A峰值）
门极触发电流（连续直流） （V
D
= 12 V ，R
L
= 100
W)
MT2 （ + ）中，G （+）
MT2 （ + ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （ - ）
保持电流（V
D
= 12 V ，门打开，启动电流=
"150
毫安）
闩锁电流（V
D
= 12 V，I
G
= 50 mA）的
MT2 （ + ）中，G （+）
MT2 （ + ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （ - ）
门极触发电压（连续DC ） （V
D
= 12 V ，R
L
= 100
W)
MT2 （ + ）中，G （+）
MT2 （ + ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （ - ）
动态特性
变化率换向电流的
(V
D
= 400 V ， ITM = 6A ，换向dv / dt的= 20 V / ms的， CL = 10
mF
门打开，T
J
= 125°C ， F = 250赫兹，与缓冲） LL = 40毫亨
断态电压临界上升率
(V
D
=额定V
DRM
，指数波形，门打开，T
J
= 125°C)
通态电流上升的重复率的关键
IPK = 50 A; PW = 40
毫秒;
DIG / DT = 200毫安/毫秒; F = 60赫兹
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
2.0毫秒，占空比
≤
2%.
（ di / dt的）C
15
A / MS
V
TM
I
GT
10
10
10
I
H
I
L
V
GT
0.5
0.5
0.5
0.80
0.73
0.82
1.5
1.5
1.5
33
36
33
60
80
60
V
16
18
22
20
50
50
50
50
mA
mA
1.6
V
mA
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
I
DRM
,
I
RRM
0.01
2.0
mA
符号
民
典型值
最大
单位
dv / dt的
的di / dt
750
10
V / ms的
A / MS
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2
MAC16HCD ， MAC16HCM ， MAC16HCN
双向晶闸管电压电流特性
（双向设备）
+电流
1象限
MainTerminal 2 +
符号
V
DRM
I
DRM
V
RRM
I
RRM
V
TM
I
H
参数
重复峰值正向关闭状态电压
峰值正向阻断电流
反向重复峰值断态电压
峰值反向电流阻断
最大通态电压
保持电流
象限3
MainTerminal 2 -
I
H
V
TM
I
RRM
在V
RRM
在国家
I
H
V
TM
关国
+电压
I
DRM
在V
DRM
象限定义的三端双向可控硅
MT2正
（正半周）
+
（+）， MT2
（+）， MT2
第二象限
() I
GT
门
MT1
REF
(+) I
GT
门
MT1
REF
我象限
I
GT
（ - ） MT2
（ - ） MT2
+ I
GT
第三象限
() I
GT
门
MT1
REF
(+) I
GT
门
MT1
REF
第四象限
MT2负
（负半周）
所有极性引用给MT1 。
与同相的信号（使用标准的AC线）象限I和III被使用。
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3
MAC16HCD ， MAC16HCM ， MAC16HCN
100
VGT ，门极触发电压（ VOLT ）
IGT ，门极触发电流（mA）
Q3
Q2
Q1
1.10
1.00
0.90
0.80
0.70
0.60
0.50
0.40
40 25 10
5
20 35 50 65 80 95
T
J
，结温（ ° C）
110
125
Q1
Q2
Q3
10
1
40 25 10
5 20 35 50 65 80 95
T
J
，结温（ ° C）
110
125
图1.典型栅极触发电流
VERSUS结温
100
100
图2.典型栅极触发电压
VERSUS结温
擎住电流（毫安）
保持电流（毫安）
MT2负
Q2
Q1
10
Q3
10
MT2正
1
40 25 10
5
20
35 50 65 80 95
T
J
，结温（ ° C）
110
125
1
40 25 10
5
20 35 50
65 80 95
T
J
，结温（ ° C）
110 125
图3.典型的保持电流
VERSUS结温
125
120
TC ，外壳温度（ C）
°
115
110
105
100
95
90
85
80
75
70
120°
180°
DC
60°, 30°
90°
P（ AV ） ，平均功耗（瓦）
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
图4.典型的闭锁电流
VERSUS结温
180°
120°
DC
60°
30°
90°
0
2
6
8
10
12
I
T（ RMS ）
， RMS通态电流（ AMP ）
4
14
16
0
2
4
6
8
10
12
14
I
T（ AV ）
，平均通态电流（ AMP ）
16
图5.典型RMS电流降额
图6.开启状态功耗
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4
MAC16HCD ， MAC16HCM ， MAC16HCN
I T ，瞬时通态电流（ AMP ）
R（T ） ，瞬态热阻
（归一化）
100
典型@
T
J
= 25°C
1
最大@ T
J
= 125°C
10
0.1
1
最大@ T
J
= 25°C
0.01
0.1
1
10
100
吨，时间（ ms）的
1000
10000
图8.典型的热响应
0.1
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
T
，瞬时导通电压（伏）
3.5
图7.典型通态特性
http://onsemi.com
5
MAC16HCD ， MAC16HCM ，
MAC16HCN
首选设备
双向可控硅
硅双向晶闸管
主要设计用于全波交流控制应用中，如
马达控制，加热控制或调光器;或是其他地方，全波，
需要硅栅极控制的设备。
整流高di / dt和高抗dv / dt的@ 125°C
统一的门极触发电流在三个象限， Q1 ， Q2和Q3
阻断电压为800伏特
通态电流额定值的16安培RMS在80℃
高浪涌电流能力 - 150安培
工业标准TO- 220AB封装，便于设计
玻璃钝化结可靠性和一致性
器件标识：标识，设备类型，例如， MAC16HCD ，日期代码
http://onsemi.com
双向可控硅
16安培RMS
400通800伏
MT2
G
MT1
最大额定值
（ TJ = 25° C除非另有说明）
等级
重复峰值断态电压（ 1 ）
（ TJ = -40至125 ° C，正弦波，
50至60赫兹，门打开）
MAC16HCD
MAC16HCM
MAC16HCN
开启状态RMS电流
（完整周期的正弦波50到60赫兹;
TC = 80 ° C）
峰值不重复浪涌电流
（一个完整周期， 60赫兹， TJ = 125°C ）
电路熔断思考（ 2 ）
（T = 8.33毫秒）
峰值功率门
（脉冲宽度
≤
1.0
s,
TC = 80 ° C）
平均功耗门
（T = 8.3毫秒， TC = 80 ° C）
工作结温范围
存储温度范围
符号
VDRM ，
VRRM
400
600
800
IT （ RMS ）
16
A
价值
单位
伏
4
1
2
3
ITSM
I2t
PGM
PG （AV）
TJ
TSTG
150
93
20
0.5
- 40
+125
- 40
+150
A
A2sec
1
瓦
瓦
°C
2
3
4
TO–220AB
CASE 221A
方式4
引脚分配
主终端1
主终端2
门
主终端2
订购信息
°C
设备
MAC16HCD
MAC16HCM
MAC16HCN
包
TO220AB
TO220AB
TO220AB
航运
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
（1）在VDRM和VRRM所有类型可以在一个连续的基础上被应用。闭塞
电压不得与恒定电流源，使得测试
该器件的额定电压都超标。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司1999年
1
2000年2月 - 修订版0
出版订单号：
MAC16HC/D
MAC16HCD ， MAC16HCM ， MAC16HCN
热特性
特征
热阻
- 结到外壳
- 结到环境
最大的铅焊接温度的目的1/8“案件从10秒
符号
R
θJC
R
θJA
TL
价值
2.2
62.5
260
°C
单位
° C / W
电气特性
（ TJ = 25 ° C除非另有说明; ELECTRICALS适用于两个方向）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
重复峰值阻断电流
（ VD =额定VDRM ， VRRM ，门打开）
TJ = 25°C
TJ = 125°C
IDRM ，
IRRM
—
—
—
—
0.01
2.0
mA
基本特征
峰值通态电压（ 1 ） （ ITM =
＆ QUOT ;
21 A峰值）
＆ QUOT ;
150毫安）
VTM
IGT
—
10
10
10
—
16
18
22
20
33
36
33
0.80
0.73
0.82
1.6
50
50
50
50
60
80
60
伏
mA
门极触发电流（连续直流） （ VD = 12V， RL = 100
)
MT2 （ + ）中，G （+）
MT2 （ + ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （ - ）
保持电流（ VD = 12V，门打开，启动电流=
闩锁电流（ VD = 12V， IG = 50 mA）的
MT2 （ + ）中，G （+）
MT2 （ + ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （ - ）
门极触发电压（连续DC ） （ VD = 12V， RL = 100
)
MT2 （ + ）中，G （+）
MT2 （ + ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （ - ）
IH
IL
—
—
—
—
mA
mA
VGT
0.5
0.5
0.5
1.5
1.5
1.5
伏
动态特性
变化率换向电流的
（ VD = 400 V ， ITM = 6A ，换向dv / dt的= 20 V / μs的， CL = 10
F
门打开， TJ = 125°C ， F = 250赫兹，与缓冲） LL = 40毫亨
断态电压临界上升率
（ VD =额定VDRM ，指数波形，门打开， TJ = 125°C ）
通态电流上升的重复率的关键
IPK = 50 A; PW = 40
微秒;
DIG / DT = 200毫安/微秒; F = 60赫兹
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
2.0毫秒，占空比
≤
2%.
（ di / dt的）C
15
—
—
A / MS
dv / dt的
的di / dt
750
—
—
—
—
10
V / μs的
A / μs的
http://onsemi.com
2
MAC16HCD ， MAC16HCM ， MAC16HCN
双向晶闸管电压电流特性
（双向设备）
+电流
1象限
MainTerminal 2 +
符号
VDRM
IDRM
VRRM
IRRM
VTM
IH
参数
重复峰值正向关闭状态电压
峰值正向阻断电流
反向重复峰值断态电压
峰值反向电流阻断
最大通态电压
保持电流
IH
象限3
VTM
MainTerminal 2 -
IRRM在VRRM
在国家
VTM
IH
关国
+电压
IDRM在VDRM
象限定义的三端双向可控硅
MT2正
（正半周）
+
（+）， MT2
（+）， MT2
第二象限
（ - ）的IGT
门
MT1
REF
（+）， IGT
门
MT1
REF
我象限
IGT -
（ - ） MT2
（ - ） MT2
+ IGT
第三象限
（ - ）的IGT
门
MT1
REF
（+）， IGT
门
MT1
REF
第四象限
–
MT2负
（负半周）
所有极性引用给MT1 。
与同相的信号（使用标准的AC线）象限I和III被使用。
http://onsemi.com
3
MAC16HCD ， MAC16HCM ， MAC16HCN
100
VGT ，门极触发电压（ VOLT ）
IGT ，门极触发电流（mA）
1.10
Q3
1.00
Q1
0.90
0.80
0.70
0.60
0.50
0.40
– 40 – 25 – 10
5
20 35 50 65 80 95
TJ ，结温（ ° C）
110
125
Q2
Q3
Q2
Q1
10
1
– 40 – 25 – 10
5
20 35 50 65 80 95
TJ ，结温（ ° C）
110
125
图1.典型栅极触发电流
VERSUS结温
100
100
图2.典型栅极触发电压
VERSUS结温
保持电流（毫安）
擎住电流（毫安）
MT2负
Q2
Q1
Q3
10
10
MT2正
1
– 40 – 25 – 10
5
20
35 50 65 80 95
TJ ，结温（ ° C）
110
125
1
– 40 – 25 – 10
5
20 35 50 65 80
TJ ，结温（ ° C）
95
110
125
图3.典型的保持电流
VERSUS结温
125
120
TC ，外壳温度（
°
C)
115
110
105
100
95
90
85
80
75
70
120°
180°
DC
60°, 30°
90°
P（ AV ） ，平均功耗（瓦）
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
图4.典型的闭锁电流
VERSUS结温
180°
120°
DC
90°
60°
30°
0
2
6
8
10
12
14
IT （ RMS ） ， RMS通态电流（ AMP ）
4
16
0
2
4
6
8
10
12
14
IT （ AV ） ，平均通态电流（ AMP ）
16
图5.典型RMS电流降额
图6.开启状态功耗
http://onsemi.com
4
MAC16HCD ， MAC16HCM ， MAC16HCN
100
I T ，瞬时通态电流（ AMP ）
典型@
TJ = 25°C
R（T ） ，瞬态热阻
（归一化）
1
最大@ TJ = 125°C
10
0.1
最大@ TJ = 25°C
1
0.01
0.1
1
10
100
吨，时间（ ms）的
1000
10000
图8.典型的热响应
0.1
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
室速，瞬时导通电压（伏）
3.5
图7.典型通态特性
http://onsemi.com
5
QQ：2880707522 复制
