摩托罗拉
半导体技术资料
*摩托罗拉的首选设备
MAC16
系列*
双向可控硅
硅双向晶闸管
设计用于高性能全波交流控制应用中的高
抗噪声能力和高整流的di / dt是必需的。
阻断电压为800伏特
通态电流额定值的15安培RMS在80℃
统一的门极触发电流的三种模式
抗干扰能力强的dv / dt - 500 V / μs的最小在125°C
最大限度地减少缓冲网络的保护
工业标准TO- 220AB封装
整流高的di / dt - 9.0 A / MS最低在125°C
双向可控硅
15安培RMS
400通800
伏
MT2
MT1
MT2
G
CASE 221A -06
(TO-220AB)
方式4
最大额定值
（ TJ = 25° C除非另有说明）
符号
VDRM
参数
重复峰值断态电压， （ 1 ）
（ - 40 125 ℃，正弦波， 50到60赫兹，门打开）
MAC16D
MAC16M
MAC16N
价值
400
600
800
15
150
93
20
0.5
- 40 + 125
- 40 + 150
A
A
A2sec
瓦
瓦
°C
°C
单位
伏
IT （ RMS ）
ITSM
I2t
PGM
PG （AV）
TJ
TSTG
开启状态RMS电流
（ 60赫兹， TC = 80 ° C）
峰值不重复浪涌电流
（一个完整周期， 60赫兹， TJ = 125°C ）
电路熔断思考（ T = 8.3毫秒）
峰值功率门控（脉冲宽度
≤
1.0
s,
TC = 80 ° C）
平均栅极电源（ T = 8.3毫秒， TC = 80 ° C）
工作结温范围
存储温度范围
热特性
R
θJC
R
θJA
TL
热阻 - 结到管壳
热阻
- 结到环境
最大的铅焊接温度的目的1/8“案件从10秒
2.0
62.5
260
° C / W
°C
（1）在VDRM所有类型可以在一个连续的基础上被应用。阻断电压不得与恒定电流源，使得测试
该器件的额定电压都超标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
REV 1
摩托罗拉晶闸管设备数据
3–67
MAC16系列
电气特性
（ TJ = 25° C除非另有说明）
符号
特征
民
典型值
最大
单位
开关特性
IDRM
重复峰值阻断电流
（ VD =额定VDRM ，门打开）
mA
TJ = 25°C
TJ = 125°C
—
—
—
—
0.01
2.0
基本特征
VTM
IGT
峰值通态电压*
（ ITM =
±
21 A峰值）
连续栅极触发电流（ VD = 12V， RL = 100
)
MT2 （ + ）中，G （+）
MT2 （ + ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （ - ）
保持电流
（ VD = 12V，门打开，启动电流=
±150
毫安）
闩锁电流（ VD = 24 V ， IG = 50 mA）的
MT2 （ + ）中，G （+）
MT2 （ + ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （ - ）
门极触发电压（ VD = 12V， RL = 100
)
MT2 （ + ）中，G （+）
MT2 （ + ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （ - ）
伏
—
10
10
10
—
—
—
—
0.5
0.5
0.5
1.2
16
18
22
20
33
36
33
0.75
0.72
0.82
1.6
mA
50
50
50
mA
50
mA
50
80
50
伏
1.5
1.5
1.5
IH
IL
VGT
动态特性
（ di / dt的）C
变化率的换向电流*请参阅图10 。
（ VD = 400 V ， ITM = 6.0 A，换向dv / dt的= 24 V / μs的，
门打开， TJ = 125°C ， F = 250赫兹，无缓冲）
9.0
CL = 10
F
LL = 40毫亨
500
—
—
V / μs的
—
—
A / MS
dv / dt的
断态电压临界上升率
（ VD =额定VDRM ，指数波形，门打开， TJ = 125°C ）
*表示脉冲测试：脉冲宽度
≤
2.0毫秒，占空比
≤
2%.
125
PAV ，平均功率（瓦）
120
TC ，外壳温度（
°
C)
115
110
105
100
95
90
85
80
0
2
6
8
10
12
IT （ RMS ） ， RMS通态电流（ AMP ）
4
14
16
α
= 180°
α
= 30和60°
α
= 90°
α
= 120°
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
IT （ RMS ） ，通态电流（ AMP ）
14
16
α
= 30°
DC
180°
120°
90°
60°
DC
图1. RMS电流降额
图2.开启状态功耗
3–68
摩托罗拉晶闸管设备数据
MAC16系列
的dv / dt ，上升断态电压临界速率
(V/
s)
5000
（ dv / dt的）C ，上升的暴击率
换向电压（V /
s)
VD = 800 V峰值
TJ = 125°C
100
4K
3K
TJ = 125°C
10
ITM
tw
VDRM
f=
100°C
75°C
2K
1
2 TW
1K
6F我
（ di / dt的）C = TM
1000
0
10
100
1000
RG ，门主终端1电阻（欧姆）
10000
1
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
（ di / dt的）C ，变化率换向电流学报（ A / MS ）
断态电压上升图8.爆击率
（指数）
崛起的图9.爆击率
整流电压
LL
200 VRMS
调整
ITM ， 60赫兹VAC
TRIGGER
收费
控制
触发控制
措施
I
1N4007
–
+
2
1N914 51
G
1
收费
400 V
非极性
CL
注：组件值进行验证额定（ dv / dt的）C的。参见AN1048获取更多信息。
图10.简化测试电路来测量整流电压的上升率的关键
3–70
摩托罗拉晶闸管设备数据
MAC16D ， MAC16M ， MAC16N
首选设备
双向可控硅
硅双向晶闸管
专为高性能的全波交流控制应用
其中，高抗干扰，高换向的di / dt是必需的。
http://onsemi.com
特点
阻断电压为800伏特
通态电流额定值的16安培RMS在80℃
统一的门极触发电流在三个象限
高抗dv / dt的 - 500 V / ms最小在125°C
最大限度地减少缓冲网络的保护
工业标准TO- 220AB封装
整流高的di / dt - 9.0 A / MS最低在125°C
无铅包可用*
双向可控硅
16安培RMS
400通800伏
MT2
G
MT1
记号
图
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
重复峰值断态电压（注1 ）
(T
J
= -40 125 ℃，正弦波，
50至60赫兹，门打开）
MAC16D
MAC16M
MAC16N
开启状态RMS电流
（完整周期的正弦波， 60赫兹，T
C
= 80°C)
峰值不重复浪涌电流
（一个完整周期的正弦波， 60赫兹，
T
J
= 125°C)
电路熔断思考（ T = 8.3毫秒）
峰值功率门
（脉冲宽度
≤
1.0
女士，
T
C
= 80°C)
平均功耗门
（T = 8.3毫秒，T
C
= 80°C)
工作结温范围
存储温度范围
符号
V
DRM ，
V
RRM
400
600
800
I
T（ RMS ）
I
TSM
16
150
A
A
x
A
Y
WW
G
= D，M或N
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
价值
单位
V
MAC16xG
AYWW
1
2
TO220AB
CASE 221A -09
方式4
3
I
2
t
P
GM
P
G（ AV ）
T
J
T
英镑
93
20
0.5
-40到+125
-40到+150
A
2
美国证券交易委员会
W
W
°C
°C
1
2
3
4
引脚分配
主终端1
主终端2
门
主终端2
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1. V
DRM
和V
RRM
对于所有类型的可以在一个连续的基础上被应用。闭塞
电压不得与恒定电流源，使得测试
该器件的额定电压都超标。
订购信息
设备
MAC16D
MAC16DG
MAC16M
MAC16MG
MAC16N
MAC16NG
包
TO220AB
TO220AB
（无铅）
TO220AB
TO220AB
（无铅）
TO220AB
TO220AB
（无铅）
航运
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年12月 - 第3版
出版订单号：
MAC16D/D
MAC16D ， MAC16M ， MAC16N
热特性
特征
热阻，
结到外壳
结到环境
符号
R
QJC
R
qJA
T
L
价值
2.0
62.5
260
单位
° C / W
°C
最大的铅焊接温度的目的1/8“案件从10秒
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明; ELECTRICALS应用在两个方向上）
特征
开关特性
重复峰值阻断电流
(V
D
=额定V
DRM
, V
RRM
;门打开）
基本特征
峰值通态电压（注2 ）
(I
TM
=
±
21 A峰值）
门极触发电流（连续直流） （V
D
= 12 V ，R
L
= 100
W)
MT2 （ + ）中，G （+）
MT2 （ + ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （ - ）
保持电流
(V
D
= 12 V ，门打开，启动电流=
±150
毫安）
擎住电流（V
D
= 24 V，I
G
= 50 mA）的
MT2 （ + ）中，G （+）
MT2 （ + ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （ - ）
门极触发电压（V
D
= 12 V ，R
L
= 100
W)
MT2 （ + ）中，G （+）
MT2 （ + ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （ - ）
动态特性
变化率换向电流的，见图10 。
(V
D
= 400 V，I
TM
= 6.0 A，换向dv / dt的= 24 V / ms的，
门打开，T
J
= 125°C ， F = 250赫兹，无缓冲）
（ di / dt的）
c
C
L
= 10
mF
L
L
= 40 MH
dv / dt的
500
V / ms的
9.0
A / MS
V
TM
I
GT
10
10
10
I
H
I
L
V
GT
0.5
0.5
0.5
0.75
0.72
0.82
1.5
1.5
1.5
33
36
33
50
80
50
V
16
18
22
20
50
50
50
50
mA
mA
1.2
1.6
V
mA
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
I
DRM
,
I
RRM
mA
0.01
2.0
符号
民
典型值
最大
单位
断态电压临界上升率
(V
D
=额定V
DRM
，指数波形，
门打开，T
J
= 125°C)
2.指示脉冲测试：脉冲宽度
≤
2.0毫秒，占空比
≤
2%.
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2
MAC16D ， MAC16M ， MAC16N
双向晶闸管电压电流特性
（双向设备）
+电流
1象限
MainTerminal 2 +
符号
V
DRM
I
DRM
V
RRM
I
RRM
V
TM
I
H
参数
重复峰值正向关闭状态电压
峰值正向阻断电流
反向重复峰值断态电压
峰值反向电流阻断
最大通态电压
保持电流
象限3
MainTerminal 2 -
I
H
V
TM
I
RRM
在V
RRM
在国家
I
H
V
TM
关国
+电压
I
DRM
在V
DRM
象限定义的三端双向可控硅
MT2正
（正半周）
+
（+）， MT2
（+）， MT2
第二象限
() I
GT
门
MT1
REF
(+) I
GT
门
MT1
REF
我象限
I
GT
（ - ） MT2
（ - ） MT2
+ I
GT
第三象限
() I
GT
门
MT1
REF
(+) I
GT
门
MT1
REF
第四象限
MT2负
（负半周）
所有极性引用给MT1 。
与同相的信号（使用标准的AC线）象限I和III被使用。
http://onsemi.com
3
MAC16D ， MAC16M ， MAC16N
100
VGT ，门极触发电压（ VOLT ）
IGT ，门极触发电流（mA）
1
V
D
= 12 V
R
L
= 100
W
Q2
Q3
Q1
Q1
Q3
Q2
V
D
= 12 V
R
L
= 100
W
1
40
10
20
50
80
T
J
，结温（ ° C）
110
125
0.5
40
10
+20
50
80
T
J
，结温（ ° C）
110
125
图6.门极触发电流变化
的dv / dt ，上升断态电压临界速率（V /
μ
s)
图7.门极触发电压变化
5000
4K
V
D
= 800 V峰值
T
J
= 125°C
100
（ dv / dt的）C ，上升的暴击率
换向电压（V /
μ
s)
3K
10
T
J
= 125°C
100°C
75°C
2K
I
TM
t
w
V
DRM
f=
1
2 t
w
6F我
TM
1000
1K
0
（ di / dt的）
c
=
10
100
1000
R
G
，门主终端1电阻（欧姆）
10000
1
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
（ di / dt的）
c
，变化率换向电流学报（A / MS ）
断态电压上升图8.爆击率
（指数波形）
崛起的图9.爆击率
整流电压
L
L
200 V
RMS
调整
I
TM
， 60赫兹V
AC
TRIGGER
收费
控制
触发控制
措施
I
1N4007
收费
+
MT2
1N914 51
W
G
MT1
200 V
非极性
C
L
注：组件值进行验证额定（ di / dt的）的
c
。参见AN1048获取更多信息。
图10.简化测试电路来测量整流电流上升的临界速率（ di / dt的）
c
http://onsemi.com
5
QQ：2880707522 复制
