MAC15SD ， MAC15SM ，
MAC15SN
首选设备
敏感的双向可控硅门
硅双向晶闸管
专为工业和消费类应用的全波
交流负载，如家电控制，加热器控制，马达控制
控件和其他电源转换应用。
特点
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敏感栅允许由微控制器和其他触发
逻辑电路
高抗dv / dt的 - 25 V / ms最小在110℃
整流高的di / dt - 8.0 A / ms最小在110℃
我最大值
GT
, V
GT
我
H
指定易于设计
通态电流额定值的15安培RMS在70℃
高浪涌电流能力 - 120安培
阻断电压为800伏特
坚固耐用，经济TO- 220AB封装
统一的门极触发电流在三个象限， Q1 ， Q2和Q3
无铅包可用*
1
价值
单位
V
400
600
800
I
T（ RMS ）
I
TSM
15
120
A
2
3
双向可控硅
15安培RMS
400通800伏
MT2
G
MT1
记号
图
MAC15SxG
AYWW
TO220AB
CASE 221A -09
方式4
x
A
Y
WW
G
= D，M或N
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
重复峰值断态电压（注1 ）
(T
J
= -40 110℃ ，正弦波， 50
60赫兹，门打开）
MAC15SD
MAC15SM
MAC15SN
开启状态RMS电流
（完整周期的正弦波，60赫兹，T
J
= 70°C)
峰值不重复浪涌电流
（一个完整周期的正弦波， 60赫兹，
T
J
= 110°C)
电路熔断思考（ T = 8.3毫秒）
峰值功率门
（脉冲宽度
≤
1.0
女士，
T
C
= 70°C)
平均栅极电源（ T = 8.3毫秒，T
C
= 70°C)
工作结温范围
存储温度范围
符号
V
DRM ，
V
RRM
引脚分配
A
1
2
I
2
t
P
GM
P
G（ AV ）
T
J
T
英镑
60
20
0.5
-40到+110
-40到+150
A
2
s
W
W
°C
°C
3
4
主终端1
主终端2
门
主终端2
订购信息
设备
MAC15SD
MAC15SDG
MAC15SM
MAC15SMG
MAC15SN
MAC15SNG
包
TO220AB
TO220AB
（无铅）
TO220AB
TO220AB
（无铅）
TO220AB
TO220AB
（无铅）
航运
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1. V
DRM
和V
RRM
对于所有类型的可以在一个连续的基础上被应用。闭塞
电压不得与恒定电流源，使得测试
该器件的额定电压都超标。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
1
2005年12月 - 修订版5
出版订单号：
MAC15S/D
MAC15SD ， MAC15SM ， MAC15SN
热特性
特征
热阻，
结到外壳
结到环境
符号
R
QJC
R
qJA
T
L
价值
2.0
62.5
260
单位
° C / W
°C
最大的铅焊接温度的目的1/8“案件从10秒
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明; ELECTRICALS应用在两个方向上）
特征
开关特性
重复峰值阻断电流
(V
D
=额定V
DRM
, V
RRM
;门打开）
基本特征
峰值通态电压（注2 ） （我
TM
=
"21A)
门极触发电流（连续直流） （V
D
= 12 V ，R
L
= 100W)
MT2 （ + ）中，G （+）
MT2 （ + ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （ - ）
保持电流（V
D
= 12 V ，门打开，启动电流=
"150mA)
擎住电流（V
D
= 24V ，我
G
= 5毫安）
MT2 （ + ）中，G （+）
MT2 （ + ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （ - ）
门极触发电压（连续DC ） （V
D
= 12 V ，R
L
= 100W)
MT2 （ + ）中，G （+）
MT2 （ + ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （ - ）
动态特性
变化率换向电流的
(V
D
= 400V ，我
TM
= 3.5A ，换向dv / dt的= 10Vm /秒，
门打开，T
J
= 110 ° C，F = 500Hz的，缓冲：C
S
= 0.01
MF，
R
S
= 15W ，参见图15 ）
断态电压临界上升率
(V
D
=速度V
DRM
，指数波形，R
GK
= 510W ，T
J
= 110°C)
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
2.0毫秒，占空比
≤
2%.
（ di / dt的）C
8.0
10
A / MS
V
TM
I
GT
I
H
I
L
V
GT
0.45
0.45
0.45
0.62
0.60
0.65
1.5
1.5
1.5
5.0
10
5.0
15
20
15
V
2.0
3.0
3.0
3.0
5.0
5.0
5.0
10
mA
mA
1.8
V
mA
T
J
= 25°C
T
J
= 110°C
I
DRM
,
I
RRM
mA
0.01
2.0
符号
民
典型值
最大
单位
dv / dt的
25
75
V / ms的
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2
MAC15SD ， MAC15SM ， MAC15SN
双向晶闸管电压电流特性
（双向设备）
+电流
1象限
MainTerminal 2 +
符号
V
DRM
I
DRM
V
RRM
I
RRM
V
TM
I
H
参数
重复峰值正向关闭状态电压
峰值正向阻断电流
反向重复峰值断态电压
峰值反向电流阻断
最大通态电压
保持电流
象限3
MainTerminal 2 -
I
H
V
TM
I
RRM
在V
RRM
在国家
I
H
V
TM
关国
+电压
I
DRM
在V
DRM
象限定义的三端双向可控硅
MT2正
（正半周）
+
（+）， MT2
（+）， MT2
第二象限
() I
GT
门
MT1
REF
(+) I
GT
门
MT1
REF
我象限
I
GT
（ - ） MT2
（ - ） MT2
+ I
GT
第三象限
() I
GT
门
MT1
REF
(+) I
GT
门
MT1
REF
第四象限
MT2负
（负半周）
所有极性引用给MT1 。
与同相的信号（使用标准的AC线）象限I和III被使用。
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3
MAC15SD ， MAC15SM ， MAC15SN
T C ，最大允许外壳温度（ ° C）
110
P（ AV ） ，平均功耗（瓦）
25
DC
a
100
a
= 30和60°
90
a
a
20
a
180°
120°
90°
60°
a
=导通角
15
80
10
a
= 30°
5
a
=导通角
70
120°
180°
60
0
2
6
8
10
12
I
T（ RMS ）
， RMS通态电流（ AMPS ）
4
14
DC
16
0
0
2
4
6
8
10
12
I
T（ RMS ）
， RMS通态电流（ AMPS ）
14
16
图1. RMS电流降额
R（ T） ，瞬态热阻（标准化）
I T ， INSTANTANOUS通态电流（ AMPS ）
图2.最大通态功耗
100
1
典型@ T
J
= 25
°C
10
最大@
T
J
= 25
°C
Z
QJC （T ）
= R
QJC （T ）
R（ t）的
0.1
1
最大@
T
J
= 110°C
0.1
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
V
T
，瞬时导通电压（伏）
4.5
0.01
0.1
1
10
100
吨，时间（ ms）的
1000
1@
4
10
图3.通态特性
图4.瞬态热响应
7
I L ，擎住电流（毫安）
6
5
MT2负
4
3
MT2正
2
1
40
9
8
7
Q1
6
5
Q3
4
3
25
10
5
20
35
50
65
80
T
J
，结温（ ° C）
95
110
2
40
25
10
5
20
35
50
65
T
J
，结温（ ° C）
80
95
110
I H ，保持电流（毫安）
图5.典型的保持电流对战
结温
图6.典型的闭锁电流对
结温
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4
MAC15SD ， MAC15SM ， MAC15SN
7
6
5
4
3
Q2
2
1
0
40
Q1
Q3
V GT ，门极触发电压（伏）
IGT ，门极触发电流（mA）
0.9
0.8
0.7
Q3
0.6
0.5
0.4
0.3
40
Q1
Q2
25
10
5
20
35
50
65
T
J
，结温（ ° C）
80
95
110
25
10
5
20
35
50
65
T
J
，结温（ ° C）
80
95
110
图7.典型栅极触发电流
VERSUS结温
图8.典型栅极触发电压
VERSUS结温
140
V
PK
= 400V
120
静态的dv / dt （V / MS ）
600V
100
800V
80
T
J
= 110°C
110
100
静态的dv / dt （V / MS ）
90
80
70
120°C
60
R
G
- MT1 = 510W
110°C
T
J
= 100°C
60
100
200
300
400
500
600
700
800
RGK ， GATE - MT1电阻（欧姆）
900
1000
50
400
450
500
550
600
650
V
PK
，峰值电压（伏）
700
750
800
图9.典型指数静态dv / dt的
与栅极电阻MT1 ， MT2 （ + ）
图10.典型指数静态dv / dt的
对峰值电压， MT2 （ + ）
110
100
静态的dv / dt （V / MS ）
静态的dv / dt （V / MS ）
90
80
600V
70
60
R
G
- MT1 = 510W
50
40
100
105
110
115
T
J
，结温（ ° C）
120
125
800V
V
PK
= 400V
180
160
140
120
110°C
100
80
120°C
60
40
20
400
R
G
- MT1 = 510W
T
J
= 100°C
450
500
550
600
650
V
PK
，峰值电压（伏）
700
750
800
图11.典型指数静态dv / dt的
与结温， MT2 （ + ）
图12.典型指数静态dv / dt的
对峰值电压， MT2 （ * ）
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5
QQ：2881677436 复制
