摩托罗拉
半导体技术资料
超前信息
双向可控硅
硅双向晶闸管
设计用于高性能全波交流控制应用中的高
抗噪性和整流的di / dt是必需的。
阻断电压为800伏特
通态电流额定值的12安培RMS 70
°C
统一的门极触发电流的三种模式
高抗dv / dt的 - 250 V /
s
最低在125°C
整流高的di / dt - 6.5 A / ms最小的
125°C
工业标准TO- 220封装AB
高浪涌电流能力 - 120安培
*摩托罗拉的首选设备
MAC12
系列*
双向可控硅
12安培RMS
400通800
伏
MT2
MT1
MT2
G
CASE 221A -06
(TO-220AB)
方式4
最大额定值
（ TJ = 25° C除非另有说明）
参数
重复峰值断态电压（ 1 ）
（ TJ = -40至125 ° C，正弦波， 50到60赫兹，门打开）
MAC12D
MAC12M
MAC12N
IT （ RMS ）
ITSM
I2t
PGM
PG （AV）
TJ
TSTG
符号
VDRM
400
600
800
12
100
41
16
0.35
- 40 + 125
- 40 + 150
A
A
A2sec
瓦
瓦
°C
°C
价值
单位
伏
开启状态RMS电流
（完整周期的正弦波， 60赫兹， TC = 70 ° C）
峰值不重复浪涌电流
（一个完整周期， 60赫兹， TJ = 125°C ）
电路熔断思考（ T = 8.3毫秒）
峰值功率门控（脉冲宽度
≤
1.0
s,
TC = 80 ° C）
平均栅极电源（ T = 8.3毫秒， TC = 80 ° C）
工作结温范围
存储温度范围
热特性
热阻 - 结到管壳
热阻
- 结到环境
最大的铅焊接温度的目的1/8“案件从10秒
R
θJC
R
θJA
TL
2.2
62.5
260
° C / W
°C
电气特性
（ TJ = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
重复峰值阻断电流
（ VD =额定VDRM ，门打开）
TJ = 25°C
TJ = 1 25℃
IDRM
—
—
—
—
0.01
2.0
mA
（1）在VDRM和VRRM所有类型可以在一个连续的基础上被应用。评级申请零或负栅极电压;应正栅极电压
不能应用并发与在阳极上的负电位。阻断电压不得与恒定电流源，使得测试
该器件的额定电压都超标。
本文件包含的新产品信息。在此说明和信息，如有变更，恕不另行通知。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
REV 1
摩托罗拉晶闸管设备数据
3–53
MAC12系列
电气特性
（ TJ = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
峰值通态电压* （ ITM =
±17
A)
连续栅极触发电流（ VD = 12V， RL = 100
)
MT2 （ + ）中，G （+）
MT2 （ + ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （ - ）
保持电流（ VD = 12V，门打开，启动电流=
±150
毫安）
闩锁电流（ VD = 24 V ， IG = 35 mA）的
MT2 （ + ）中，G （+） ; MT2 （ - ）中，G （ - ）
MT2 （ + ）中，G （ - ）
门极触发电压（ VD = 12V， RL = 100
)
MT2 （ + ）中，G （+）
MT2 （ + ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （ - ）
VTM
IGT
5.0
5.0
5.0
IH
IL
—
—
VGT
0.5
0.5
0.5
0.69
0.77
0.72
1.5
1.5
1.5
20
30
50
80
伏
—
13
16
18
20
35
35
35
40
mA
mA
—
—
1.85
伏
mA
动态特性
变化率换向电流的*
（ VD = 400 V ， ITM = 4.4A ，换向dv / dt的= 18 V / μs的，门打开，
TJ = 125°C ， F = 250赫兹，无缓冲）
断态电压临界上升率
（ VD =额定VDRM ，指数波形，门打开， TJ = 125°C ）
*表示脉冲测试：脉冲宽度
≤
2.0毫秒，占空比
≤
2%.
（ dv / dt的）C
6.5
—
—
A / MS
dv / dt的
250
—
—
V / μs的
3–54
摩托罗拉晶闸管设备数据
MAC12D ， MAC12M ， MAC12N
首选设备
双向可控硅
硅双向晶闸管
专为高性能的全波交流控制应用
其中，高抗噪性和整流的di / dt是必需的。
http://onsemi.com
特点
阻断电压为800伏特
通态电流额定值的12安培RMS在70℃
统一的门极触发电流在三个象限， Q1 ， Q2和Q3
高抗dv / dt的 - 250 V / ms最小在125°C
整流高的di / dt - 6.5 A / MS最低在125°C
工业标准TO- 220封装AB
高浪涌电流能力 - 100安培
无铅包可用*
双向可控硅
12安培RMS
400通800伏
MT2
G
MT1
记号
图
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
重复峰值断态电压（注1 ）
(T
J
= -40 125 ℃，正弦波，
50至60赫兹，门打开）
MAC12D
MAC12M
MAC12N
开启状态RMS电流
（所有的导通角;吨
C
= 70°C)
峰值不重复浪涌电流
（一个完整周期， 60赫兹，T
J
= 125°C)
电路熔断思考（ T = 8.33毫秒）
峰值功率门
（脉冲宽度
≤
1.0
女士，
T
C
= 80°C)
平均功耗门
（T = 8.3毫秒，T
C
= 80°C)
工作结温范围
存储温度范围
符号
V
DRM ，
V
RRM
400
600
800
I
T（ RMS ）
I
TSM
I
2
t
P
GM
P
G（ AV ）
T
J
T
英镑
12
100
41
16
0.35
-40到+125
-40到+150
A
A
A
2
美国证券交易委员会
W
x
A
Y
WW
G
= D，M或N
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
价值
单位
V
MAC12xG
AYWW
1
2
TO220AB
CASE 221A -09
方式4
3
引脚分配
W
°C
°C
1
2
3
4
主终端1
主终端2
门
主终端2
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1. V
DRM
和V
RRM
对于所有类型的可以在一个连续的基础上被应用。闭塞
电压不得与恒定电流源，使得测试
该器件的额定电压都超标。
订购信息
设备
MAC12D
MAC12DG
MAC12M
MAC12MG
MAC12N
MAC12NG
包
TO220AB
TO220AB
（无铅）
TO220AB
TO220AB
（无铅）
TO220AB
TO220AB
（无铅）
航运
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
1
2005年12月 - 第4版
出版订单号：
MAC12/D
MAC12D ， MAC12M ， MAC12N
热特性
特征
热阻，
结到外壳
结到环境
符号
R
QJC
R
qJA
T
L
价值
2.2
62.5
260
单位
° C / W
°C
最大的铅焊接温度的目的1/8“案件从10秒
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明; ELECTRICALS应用在两个方向上）
特征
开关特性
重复峰值阻断电流
(V
D
=额定V
DRM
, V
RRM
，门打开）
基本特征
峰值通态电压（注2 ） （我
TM
=
"17
A)
门极触发电流（连续直流） （V
D
= 12 V ，R
L
= 100
W)
MT2 （ + ）中，G （+）
MT2 （ + ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （ - ）
保持电流（V
D
= 12 V ，门打开，启动电流=
"150
毫安）
闩锁电流（V
D
= 24 V，I
G
= 35 mA）的
MT2 （ + ）中，G （+）
MT2 （ + ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （ - ）
门极触发电压（连续DC ） （V
D
= 12 V ，R
L
= 100
W)
MT2 （ + ）中，G （+）
MT2 （ + ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （ - ）
动态特性
变化率换向电流的
(V
D
= 400 V ， ITM = 4.4A ，换向dv / dt的= 18 V / ms的，门打开，
T
J
= 125°C ， F = 250赫兹，无缓冲）
断态电压临界上升率
(V
D
=额定V
DRM
，指数波形，门打开，T
J
= 125°C)
通态电流上升的重复率的关键
IPK = 50 A; PW = 40
毫秒;
DIG / DT = 200毫安/毫秒; F = 60赫兹
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
2.0毫秒，占空比
≤
2%.
（ di / dt的）C
6.5
A / MS
V
TM
I
GT
5.0
5.0
5.0
I
H
I
L
V
GT
0.5
0.5
0.5
0.78
0.70
0.71
1.5
1.5
1.5
20
30
20
50
80
50
V
13
13
13
20
35
35
35
40
mA
mA
1.85
V
mA
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
I
DRM
,
I
RRM
0.01
2.0
mA
符号
民
典型值
最大
单位
dv / dt的
的di / dt
250
500
10
V / ms的
A / MS
http://onsemi.com
2
MAC12D ， MAC12M ， MAC12N
双向晶闸管电压电流特性
（双向设备）
+电流
1象限
MainTerminal 2 +
符号
V
DRM
I
DRM
V
RRM
I
RRM
V
TM
I
H
参数
重复峰值正向关闭状态电压
峰值正向阻断电流
反向重复峰值断态电压
峰值反向电流阻断
最大通态电压
保持电流
象限3
MainTerminal 2 -
I
H
V
TM
I
RRM
在V
RRM
在国家
I
H
V
TM
关国
+电压
I
DRM
在V
DRM
象限定义的三端双向可控硅
MT2正
（正半周）
+
（+）， MT2
（+）， MT2
第二象限
() I
GT
门
MT1
REF
(+) I
GT
门
MT1
REF
我象限
I
GT
（ - ） MT2
（ - ） MT2
+ I
GT
第三象限
() I
GT
门
MT1
REF
(+) I
GT
门
MT1
REF
第四象限
MT2负
（负半周）
所有极性引用给MT1 。
与同相的信号（使用标准的AC线）象限I和III被使用。
http://onsemi.com
3
QQ：2881677436 复制
