1瓦功率放大器
5 - 6 GHz的
V 1.1
MAAPSM0008
MAAPSM0008
特点
U-NII和海波兰应用
饱和输出功率30.5 dBm的在7.0 V
功率附加效率40％
无需外部RF匹配
4毫米FQFP -N ， 16引脚封装
功能原理图
PIN码16
N / C
销1
N / C
RFIN
N / C
N / C
N / C
描述
该MAAPSM0008是两工段功率放大器
安装在一个标准的轮廓， 16引脚， 4毫米FQFP基-N-
塑料封装，专门针对U设计
-NII ，
MMAC和海波兰带。该MAAPSM0008有
完全匹配50欧姆的输入和输出，从而消除
需要外部RF调谐组件。
使用自M / A- COM编造的MAAPSM0008
对准栅MESFET制程，实现高功率
效率和小的尺寸。该工艺具有全
钝化性能和可靠性。
N / C
VGG
N / C
RFOUT
N / C
N / C
N / C
VDD
N / C
N / C
引脚配置
针
1, 3, 4 ,5 ,7,
8, 9, 12, 13,
14, 15, 16
2
6
10
功能
NC
说明
无连接
订购信息
产品型号
MAAPSM0008TR
MAAPSM0008TR-3000
包
MAAPSM0008 7英寸， 1000件卷轴
MAAPSM0008 13英寸， 3000件卷轴
MAAPSM0008样品测试板
RF
IN
V
dd
RF
OUT
射频输入到放大器。 DC
块芯片上。 50欧姆输入。
正电压供给到
这两个阶段
放大器的RF输出。
片上DC模块。 50欧姆
输出。
负电压供应
这两个阶段的栅极
RF &直流接地
MAAPSM0008SMB
11
PAD
V
gg
GND
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
n
北美：
电话： （ 800 ） 366-2266 ，传真：（ 800 ） 618-8883
n
亚洲/太平洋网络C：
电话： + 81-44-844-8296传真+ 81-44-844-8298
n
欧洲：
电话： +44 （ 1344 ） 869 595传真：+ 44 （ 1344 ） 300 020
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1瓦， 5 GHz功率放大器
电气连接特定的阳离子：
参数
频率
输入VSWR
收益
P1dB
饱和功率
漏电流在PSAT
谐波2
3
热阻
三阶交调截
点
稳定性
MAAPSM0008
V 1.1
T
C
= 40℃ ，V
DD
= 7.0 V，I
DQ
= 360毫安
（除非另有规定编）
单位
GHz的
分钟。
5.0
1.5:1
dB
DBM
DBM
mA
dBc的
dBc的
° C / W
DBM
18.0
29.5
19.5
29.5
30.5
500
-40
-70
31
40
600
典型值。
马克斯。
6.0
2.0:1
典型值。 @
V
DD
+ 5 V
1.5:1
19.0
28.0
29.0
500
-40
-70
31
38
测试条件
F = 5.825 GHz的，引脚= +14 dBm的
F = 5.825 GHz的，引脚= 0 dBm的
F = 5.825 GHz的
F = 5.825 GHz的，引脚= +14 dBm的
F = 5.825 GHz的，引脚= +14 dBm的
输出功率= 30.5 dBm的
+ 3.0V < V
DD
< 10.0 V，P
OUT
< +15
dBm时， VSWR < 6 ： 1 ， -25 C <牛逼
C
< 70
C ， RBW = 3 MHz的最大值。持有
1
所有的骨刺< -70 dBc的
推荐工作条件
特征
漏极电压
栅极电压
2
输入功率
栅电流
外壳温度
符号
V
DD
V
GG
P
IN
I
GG
T
C
单位
V
V
DBM
mA
°C
民
4.5
-2.5
典型值
7.0
-2.0
—
最大
8.0
-1.0
15
+4
70
-4
-40
1
25
1.操作超出这些范围可能降低产品的可靠性。
2.将100 E系列电阻应该在栅极电压线中使用。
操作MAAPSM0008
该MAAPSM0008是静态的敏感。请处理
小心。操作设备，请按照下列步骤操作。
1.将V
GG
= -2 V, V
DD
= 0 V.
2.斜V
DD
到所希望的电压，通常为5 7 V.
3.调整V
GG
设置我
DQ
， （约-2 V ） 。
4.设置RF输入。
5.
相反掉电序列。打开门
电压关闭为止。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
n
北美：
电话： （ 800 ） 366-2266 ，传真：（ 800 ） 618-8883
n
亚洲/太平洋网络C：
电话： + 81-44-844-8296传真+ 81-44-844-8298
n
欧洲：
电话： +44 （ 1344 ） 869 595传真：+ 44 （ 1344 ） 300 020
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2
1瓦， 5 GHz功率放大器
应用信息
样品板
MAAPSM0008
V 1.1
C1
R1
镀VIAS
镀VIAS
通过S
C2
在电路板设计的注意事项
1.
样品板采用RO4350 ê
r
= 3.48为的介
TRIC电路板。电介质的厚度是不
但关键RFIN和RFOUT输电线路
应为50欧姆（瓦特= 22密耳厚度= 10
密耳） 。
焊接裸露焊盘上的背
封装到电路板。正确连接的
裸露焊盘是为RF和DC必备
地，除了提供一个低的热重
电阻。
外壳温度（ Tc）的测定，如图上
应用板顶部电路图纸
板金属如靠近封装的主体
成为可能。
董事会必须提供足够的散热，以
容纳2.5瓦典型的非消耗
明镜小信号的条件。样品板的用途
在接地焊盘的附近的通孔，以提供一
合适的散热片连接到接地平面
如上图所示的电路板（推荐
THETA
CA
= 5℃ / W的最大值）。
C1，C2和R1的放置是不关键的，但
使用1206的旁路电容（ C1和C2）是
关键的。
2.
3.
4.
5.
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
n
北美：
电话： （ 800 ） 366-2266 ，传真：（ 800 ） 618-8883
n
亚洲/太平洋网络C：
电话： + 81-44-844-8296传真+ 81-44-844-8298
n
欧洲：
电话： +44 （ 1344 ） 869 595传真：+ 44 （ 1344 ） 300 020
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3
1瓦， 5 GHz功率放大器
典型性能曲线
增益与频率
P
IN
= + 6 dBm时， V
DD
= 7 V
24
22
MAAPSM0008
V 1.1
增益与频率
P
IN
= + 6 dBm时， V
DD
= 5 V
24
22
增益（dB ）
18
16
14
12
10
4.0
4.5
5.0
5.5
- 25度。
50度。
70度。
增益（dB ）
20
20
18
16
14
12
10
4.0
4.5
5.0
5.5
- 25度。
50度。
70度。
6.0
6.5
6.0
6.5
频率（GHz ）
频率（GHz ）
输出功率与频率的关系
P
IN
= + 12 dBm时， V
DD
= 7 V
32
30
输出功率与频率的关系
P
IN
= + 12 dBm时， V
DD
= 5 V
32
输出功率（dBm ）
30
28
26
24
4.0
4.5
5.0
5.5
输出功率
（ dBm的）
28
26
24
4.0
4.5
5.0
5.5
- 25度。
50度。
70度。
- 25度。
50度。
70度。
6.0
6.5
6.0
6.5
频率（GHz ）
频率（GHz ）
PAE比。频率
P
IN
= + 12 dBm时， V
DD
= 7 V
PAE比。频率
P
IN
= + 12 dBm时， V
DD
= 5 V
45
40
- 25度。
50度。
70度。
45
40
- 25度。
50度。
70度。
PAE （％）
35
30
25
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
PAE （％）
35
30
25
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
频率（GHz ）
频率（GHz ）
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
n
北美：
电话： （ 800 ） 366-2266 ，传真：（ 800 ） 618-8883
n
亚洲/太平洋网络C：
电话： + 81-44-844-8296传真+ 81-44-844-8298
n
欧洲：
电话： +44 （ 1344 ） 869 595传真：+ 44 （ 1344 ） 300 020
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4
1瓦， 5 GHz功率放大器
典型性能曲线
输入回波损耗与频率的关系
P
IN
= + 12 dBm时， V
DD
= 7 V
-3
-6
-3
-6
MAAPSM0008
V 1.1
输入回波损耗与频率的关系
P
IN
= + 12 dBm时， V
DD
= 5 V
回波损耗（分贝）
-9
-12
-15
-18
-21
-24
-27
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
- 25度。
50度。
70度。
回波损耗（分贝）
-9
-12
-15
-18
-21
-24
-27
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
- 25度。
50度。
70度。
频率（GHz ）
频率（GHz ）
耗散功率与案例
温度
温度（Tc）
P
DISS
VS通道
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
25
50
75
100
125
150
175
TC （ C）
35
输出功率&增益比。输入功率
频率= 5.80千兆赫，V
DD
= 7 V
POUT （DBM ） ，增益（dB ）
30
噘
收益
P
DISS
(W)
25
20
15
1
3
5
7
9
11
13
15
PIN （ DBM）
1dB压缩比。频率
V
DD
= 7 V，I
Dq
= 0.360 A
的P1dB ，增益比。静态偏置
V
DD
= 7 V ，频率= 5.8 GHz的
32
32
30
增益（dB ）的P1dB （ dBm的）
30
28
26
24
22
20
18
0.20
0.22
0.24
0.26
0.28
0.30
0.32
0.34
0.36
P1dB
收益
P1dB的（ DBM）
28
P1dB
26
24
5.0
5.2
5.4
5.6
5.8
6.0
PIN （ DBM）
IDQ （ A）
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
n
北美：
电话： （ 800 ） 366-2266 ，传真：（ 800 ） 618-8883
n
亚洲/太平洋网络C：
电话： + 81-44-844-8296传真+ 81-44-844-8298
n
欧洲：
电话： +44 （ 1344 ） 869 595传真：+ 44 （ 1344 ） 300 020
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
5
QQ：2880707522 复制
