RO -P - DS - 3090 -
初步信息
4.8-6.7 GHz的5W功率放大器
MAAPGM0060
MAAPGM0060
特点
5瓦饱和输出功率电平
可变的漏极电压（ 6-10V ）操作
砷化镓MSAG MESFET制程
主要应用
APGM0060
YWWLLLL
点至点收音机
卫通
UNII和ISM频段
描述
该
MAAPGM0060
是一个2级5 W功率放大器，带片上
偏置网络中的一个螺栓下来的陶瓷封装，使之易于AS-i
sembly 。此产品是完全匹配到50欧姆的两个输入
和输出。它可被用作一个功率放大级，或作为驱动
台高功率应用。
每个设备100％的RF测试，以确保性能
合规性。该器件采用M / A- COM的砷化镓制造
多功能自对准栅MESFET工艺。 M / A- COM公司
MSAG 工艺具有强大的硅类生产proc-
S弯，离子注入晶体管和多平面处理
植入物的能力使功耗，低噪声，开关和数字
场效应晶体管在一个芯片上。采用难熔金属和AB-的
铂金在栅极金属配方SENCE防止氢气
当在密闭的包装采用中毒。
引脚数
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
RF代号
无连接
V
GG
在RF
V
GG
无连接
V
DD1
V
DD2
RF OUT
V
DD2
V
DD1
最高工作条件
1
参数
输入功率
漏极供电电压
门电源电压
静态漏电流（无RF ）
静态直流功率耗散（无RF ）
结温
储存温度
符号
P
IN
V
DD
V
GG
I
DQ
P
DISS
T
J
T
英镑
绝对最大
25.0
+12.0
-3.0
3
27
180
-55到+150
单位
DBM
V
V
A
W
°C
°C
1.操作超出这些范围可能降低产品的可靠性。
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推荐工作条件
特征
漏极供电电压
门电源电压
输入功率
结温
热阻
套餐基础温度
符号
V
DD
V
GG
P
IN
T
J
Θ
JC
T
B
3.7
民
6.0
-2.4
典型值
8.0
-1.8
20.0
最大
10.0
-1.5
23.0
150
MAAPGM0060
单位
V
V
DBM
°C
° C / W
注2
°C
2.最大包装基地温度= 150 °C -
Θ
JC
* V
DD
* I
DQ
电气特性：
参数
带宽
输出功率
功率附加效率
1分贝压缩点
小信号增益
输入VSWR
输出VSWR
门电源电流
漏极供电电流
T
B
= 40°C
2
, Z
0
= 50
,
V
DD
= 8V ，我
DQ
≈
1.85 A
3
, P
in
= 20 dBm的，R
G
= 100
符号
f
噘
PAE
P1dB
G
VSWR
VSWR
I
GG
I
DD
典型
4.8-6.7
37
29
37
18
3:1
1.5:1
<4
<2.5
mA
A
单位
GHz的
DBM
%
DBM
dB
3.调整V
GG
之间的-2.4到-1.5达到指定我
DQ
.
操作说明
此设备是静电敏感。请小心处理。操作设备，
请按照下列步骤操作。
适用于V
GG
= -1.8 V, V
DD
= 0 V.
斜V
DD
到所希望的电压，通常为8 V.
调整V
GG
设置我
DQ
（约可达到@ -1.8V ） 。
设置RF输入。
5.
相反掉电序列。关闭栅极电压关闭最后一个。
1.
2.
3.
4.
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
电子邮件： macom_adbu_ics@tycoelectronics.com
北美：
电话： （ 800 ） 366-2266
亚洲/太平洋网络C：
电话： + 81-44-844-8296传真+ 81-44-844-8298
欧洲：
电话： +44 （1908 ） 574 200传真：+ 44 （ 1908） 574 300
V 1.00
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
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MAAPGM0060
40
38
36
34
噘
PAE
50
50
40
40
的Pout （ dBm的）
P1dB的（ DBM）
30
28
26
24
22
20
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
0
10
20
PAE （％）
32
30
30
20
VDD = 6
VDD = 8
10
VDD = 10
0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
频率（GHz ）
图1.输出功率和功率附加效率与频率的关系
在V
DD
= 8V和P
in
= 20 dBm的
频率（GHz ）
图2. 1dB压缩点与漏极电压
50
3.0
40
2.5
2.0
的Pout （ dBm的）
IDS （ A）
30
1.5
5.0 GHz的
5.5 GHz的
6.5 GHz的
20
5.0 GHz的
5.5 GHz的
1.0
10
6.5 GHz的
0.5
0
-10
-8
-6
-4
-2
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
0.0
-10
-8
-6
-4
-2
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
PIN （ DBM）
图3.输出功率与输入功率
在V
DD
= 8V
输入功率（dBm ）
图4.漏电流与输入功率
在V
DD
= 8V
50
噘
40
PAE
50
30
收益
输入VSWR
25
输出VSWR
6
40
5
的Pout （ dBm的）
增益（dB ）
PAE （％）
30
30
20
4
20
20
15
3
10
10
10
2
0
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
9.5
0
10.0
5
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
频率（GHz ）
1
漏极电压（伏）
图5.饱和输出功率和功率附加效率与漏极电压
在f
o
= 6 GHz的
图6.小信号增益和VSWR与在VDD = 8V频率。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
电子邮件： macom_adbu_ics@tycoelectronics.com
北美：
电话： （ 800 ） 366-2266
亚洲/太平洋网络C：
电话： + 81-44-844-8296传真+ 81-44-844-8298
欧洲：
电话： +44 （1908 ） 574 200传真：+ 44 （ 1908） 574 300
V 1.00
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VSWR
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APGM0060
YWWLLLL
图7. CR- 15封装尺寸
在CR- 15是一个高频率，低热阻封装。该软件包包括一个共烧的
陶瓷结构与铜钨基和铁 - 镍 - 钴引线。终点由
电解镀金镍板。
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北美：
电话： （ 800 ） 366-2266
亚洲/太平洋网络C：
电话： + 81-44-844-8296传真+ 81-44-844-8298
欧洲：
电话： +44 （1908 ） 574 200传真：+ 44 （ 1908） 574 300
V 1.00
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图8.推荐偏置配置
100
V
GG
0.1
F
MAAPGM0060
100 pF的
100 pF的
100 pF的
APGM0060
YWWLLLL
RF
IN
RF
OUT
V
DD2
0.1
F
100 pF的
100 pF的
100 pF的
引脚数
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
RF代号
无连接
V
GG
在RF
V
GG
无连接
V
DD1
V
DD2
RF OUT
V
DD2
V
DD1
V
DD1
0.1
F
该法兰安装型封装提供了一个高度集成的GaAs MMIC器件和电路板之间的强大的接口
其可以使用传统的表面安装技术进行组装。薄垫片制成的热和电
导电性，延展性材料之前应用来安装在CR- 15的改进的热性能和电性能
包住房接口。请参阅
M / A - COM应用笔记编号M567 *
了解更多信息。
对于应用表面贴装元件是CR- 15安装后进行安装，这个包不会被
在经受典型的对流或红外烤箱回流曲线损坏。请参阅
M / A - COM应用笔记编号M538 *
为
最大可允许的回流时间和温度。可替换地，封装引线可以单独焊接。无论是铁
或热气体焊接设备被使用时，应小心以确保该温度被很好地控制和电动静
放电（ESD ）的安全。
*应用笔记可以去网站搜索页面上的M / A- COM的网页上找到
（ http://www.macom.com/search/search.jsp ）并搜索所需的应用笔记。
安装说明：
偏置注意：
在100pF的旁路电容必须放置在尽可能靠近V
GG
和V
DD
销地
（推荐< 100密耳）。
的负偏压，必须应用到V
GG
施加正偏压到V之前
DD
为了防止损坏放大器。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
电子邮件： macom_adbu_ics@tycoelectronics.com
北美：
电话： （ 800 ） 366-2266
亚洲/太平洋网络C：
电话： + 81-44-844-8296传真+ 81-44-844-8298
欧洲：
电话： +44 （1908 ） 574 200传真：+ 44 （ 1908） 574 300
V 1.00
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QQ：2881677436 复制
