RO -P - DS - 3021一
初步信息
5.0-9.0 GHz的1W功率放大器
MAAPGM0030-DIE
MAAPGM0030-DIE
特点
1瓦饱和输出功率电平
可变的漏极电压（ 4-10V ）操作
砷化镓MSAG
过程
成熟的可制造性和可靠性
没有登机桥
聚酰亚胺划伤保护
没有氢中毒易感性
描述
该MAAPGM0030 ，模具是一个2级功率放大器，带有片上偏置
网络。此产品是完全匹配到50欧姆的输入和
输出。它可被用作一个功率放大级，或作为一个驱动器级
高功率应用。
使用M / A - COM的可重复的，高性能和高制造
可靠的GaAs多功能自对准栅（ MSAG
） MESFET
过程中，每个设备是100％的RF晶片测试，以确保
性能达标。
M / A - COM的MSAG过程中具有强大的硅类生产
工艺，离子注入晶体管的平面加工，多个im-
植物功能使功耗，低噪声，开关和数字场效应管上
单芯片，和聚酰亚胺划伤保护，便于与自动使用
配合制造过程。采用难熔金属和所述的
在栅极金属配制剂不存在铂的防止氢
当在密闭的包装采用中毒。
主要应用
多波段点至点收音机
卫通
ISM频段
电气特性：T已
B
= 40°C
1
, Z
0
= 50, V
DD
= 8V ，我
DQ
≈
240毫安
2
, P
in
18 dBm的
参数
带宽
输出功率
功率附加效率
1分贝压缩点
小信号增益
输入VSWR
输出VSWR
门电源电流
漏极供电电流
输出三阶截取
3
rd
阶互调失真
单载波电平= 20 dBm的
5
th
阶互调失真
单载波电平= 20 dBm的
噪声系数
2
nd
谐波
3
rd
谐波
1.
2.
符号
f
P
OUT
PAE
P1dB
G
VSWR
VSWR
I
GG
I
DD
OTOI
IM3
IM5
NF
2f
3f
典型
5.0-9.0
30
35
29
17
1.4:1
1.8:1
<4
＆ LT ; 400
38
-14
-33
8
-20
-35
mA
mA
DBM
DBM
DBM
dB
dBc的
dBc的
单位
GHz的
DBM
%
DBM
dB
T
B
= MMIC灯头温度
调整V
GG
-2.4和-1.5V ，实现我之间
DQ
表示。
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最高工作条件
3
参数
输入功率
漏极供电电压
门电源电压
静态漏电流（无射频， 40 ％ IDSS ）
静态直流功率耗散（无RF ）
结温
储存温度
芯片粘接温度
符号
P
IN
V
DD
V
GG
I
DQ
P
DISS
T
J
T
英镑
MAAPGM0030-DIE
绝对最大
23.0
+12.0
-3.0
470
3.2
180
-55到+150
310
单位
DBM
V
V
mA
W
°C
°C
°C
3.操作超出这些范围可能降低产品的可靠性。操作在比的典型值，其它可
导致外的保证范围的性能。
推荐工作条件
特征
漏极供电电压
门电源电压
输入功率
结温
热阻
MMIC灯头温度
符号
V
DD
V
GG
P
IN
T
J
Θ
JC
T
B
25
注4
民
4.0
-2.4
典型值
8.0
-2.0
18.0
最大
10.0
-1.5
21.0
150
单位
V
V
DBM
°C
° C / W
°C
4.最大MMIC灯头温度= 150℃ -Θ
JC
* V
DD
* I
DQ
操作说明
此设备是静电敏感。请处理好与
在意。操作设备，请按照下列步骤操作。
1.将V
GG
= -2 V, V
DD
= 0 V.
2.斜V
DD
到所希望的电压，通常为8 V.
3.调整
V
GG
设置我
DQ
.
4.设置RF输入。
5.
相反掉电序列。打开V
GG
关闭
最后。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
2
电子邮件： macom_adbu_ics@tycoelectronics.com
北美：
电话： （ 800 ） 366-2266
亚洲/太平洋网络C：
电话： + 81-44-844-8296传真+ 81-44-844-8298
欧洲：
电话： +44 （1908 ） 574 200传真：+ 44 （ 1908） 574 300
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50
MAAPGM0030-DIE
50
噘
PAE
40
40
30
30
20
20
10
10
0
4
5
6
7
8
9
10
0
频率（GHz ）
图1.输出功率和功率附加效率与频率在V
DD
= 8V
和P
in
= 18 dBm的。
50
噘
PAE
40
50
40
的Pout （ dBm的）
20
20
10
10
0
4
5
6
7
8
9
10
0
漏极电压（ V）
图2.饱和输出功率和功率附加效率与漏极电压在f
o
= 7 GHz的。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
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北美：
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PAE （％）
30
30
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50
MAAPGM0030-DIE
VDD = 4
VDD = 8
VDD = 6
VDD = 10
40
P1dB的（ DBM）
30
20
10
0
4
5
6
7
8
9
10
频率（GHz ）
图3. 1dB压缩点与漏极电压
30
收益
输入VSWR
输出VSWR
6
25
5
增益（dB ）
20
4
15
3
10
2
5
4
5
6
7
8
9
10
1
频率（GHz ）
图4.小信号和电压驻波比VS在VDD = 8V频率。
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VSWR
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机械信息
芯片尺寸： 2.480 X 1.98 X 0.075毫米
0.990 mm
(
98
X 78 X 3密耳）
2.480 mm
1.980 mm
V
DD
VD
GN D：摹
GND ：
GN D：摹
GN D：摹
GN D：摹
GN D：摹
GND ：
GN D：摹
GND ：
GND ：
GND ：
GND ：
GND ：
GN D：摹
GN D：摹
GND ：
GN D：摹
GND ：
OU牛逼
OUT
0.980 mm
0.990 mm
IN
IN
GND ：
GND ：
GN D：摹
GND ：
GN D：摹
GN D：摹
GND ：
GND ：
GN D：摹
GN D：摹
GND ：
GND ：
GND ：
GN D：摹
GN D：摹
GND ：
GN D：摹
GND ：
GN D：摹
GND ：
GN D：摹
0.126mm.
0
0
V
GG
VG
GND ：
芯片边缘到结合焊盘尺寸显示的键合焊盘的中心。
GN D：摹
GND ：
图5.模具布局
1.440 mm
2.353 mm
焊盘尺寸
PAD
RF In和Out
DC漏极电源电压VDD
直流栅极电源电压VGG
粒径（μm ）
100 x 200
200 x 150
150 x 150
尺寸（密耳）
4x8
8x6
4x6
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5
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北美：
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亚洲/太平洋网络C：
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欧洲：
电话： +44 （1908 ） 574 200传真：+ 44 （ 1908） 574 300
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