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MA7001

MA7001

辐射硬512x9位的FIFO

取代1999年6月版， DS3519-4.0

2000 DS3519-5.0一月

在MA7001 512× 9 FIFO使用Dynex的制造

安森美半导体的CMOS -SOS高性能，辐射

硬， 3μm的技术。

该丹尼克斯半导体上硅蓝宝石工艺

在体硅衬底提供显著优点

技术除了很好的总剂量硬度和

中子硬度>10

15

牛顿/厘米

2

中，丹尼克斯半导体

技术提供了非常高的瞬时γ和单

事件干扰性能，而不影响速度

操作的蓝宝石衬底也消除了闩锁

让使用更加灵活地电严重

环境。

该MA7001实现了第一-LN先出算法

读取和写入上以先入先出的基础数据。双端口

静态RAM存储器由9位512个字（ 8位

数据和1位奇偶校验位或控制的目的）。

顺序读取和写入访问都使用实现

环形指针，架构，无需外部编址

信息。数据是通过使用切换的设备的进出

在写（w ）和读（r ）引脚。

满和空状态标志防止数据溢出，

下溢。设备上的扩展逻辑允许无限

扩展能力在两个词的尺寸和深度。一

重传（ RT）的特征允许该读出指针的复位

到其初始位置，以允许数据的重传。

该设备是专为需要的应用

异步和同步读/写多

和速率缓冲（以不同的速度采购和下沉数据

例如。接口处理器快和慢外设）。

特点

s

辐射硬CMOS - SOS技术

s

快速存取时间为60ns的典型

s

单5V电源

s

输入完全兼容TTL和CMOS

s

-55 ° C至+ 125°C操作

图1 ：框图

1/15

MA7001

直流特性和额定值

符号

V

DD

V

IN

T

A

T

S

参数

电源电压

输入电压

工作温度

储存温度

分钟。

-0.5

-0.3

-55

-65

马克斯。

7.0

V

DD

+0.3

125

150

单位

V

V

°C

°C

强调以上这些，可能会造成永久性的

损坏设备。这是一个值仅为

该设备在这些条件下，或在功能操作

任何其他条件超过上述指定

本规范的操作部分，是不是暗示

暴露在绝对最大额定值条件下，

长时间可能会影响器件的可靠性。

图2 ：绝对最大额定值

下面直流和交流电气特性适用于预辐射在T

A

= -55 ° C至+ 125°C ，V

DD

= 5V

±10%

与POST

100kRad （ Si）的总剂量辐射在T

A

= 25 ° C，V

DD

= 5V

±10%.

集团子组1 ， 2 ， 3 。

符号

V

IH

V

IL

I

IL

I

OL

V

OH

V

OL

I

DD1

I

DD2

I

DD3(L)

注意事项：

1.测量与V

SS

≤

V

IN

≤

V

DD

2.

R

＆ GT ; V

IH

, V

SS

≤

V

OUT

≤

V

DD

3. I

DD

测量是wlth输出开路，V

DD

= 5.5V

4.保证，但不是在-55°C测量

参数

输入逻辑'1'的电压

输入逻辑“0”电压

输入漏电流（任意输入）（注4）

输出漏电流（注4 ）

输出逻辑“1”的电压

输出loglc '0'电压

平均V

DD

电源电流（注3 ）

平均待机电流（注3 ）

掉电电流（注3 ）

条件

-

-

注1

注2

l

OUT

= -1mA

l

OUT

= 2毫安

FREQ = 10MHz时

R = W = RS = FL / RT

= V

DD

/2

所有输入= V

DD

-0.2V

分钟。

2.0

-

-10

-50

2.4

-

-

-

-

典型值。

-

-

-

-

-

-

70

8

-

马克斯。

-

0.8

10

50

-

0.4

100

15

3.0

单位

V

V

A

A

V

V

mA

mA

mA

图3a ：直流电气特性

2/15

MA7001

AC特性

特性适用于预辐射在T

A

= -55 ° C至+ 125°C ，V

DD

= 5V

±10%

与POST

100kRad （ Si）的总剂量辐射在T

A

= 25 ° C，V

DD

= 5V

±10%.

集团子组9 ， 10 ， 11 。

符号

t

RC

t

A

t

RR

t

乡郊小工程

t

RLZ

t

DV

t

RHZ

t

WC

t

预激

t

WR

t

DS

t

DH

t

RSC

t

RS

t

RSR

t

RTC

t

RT

t

RTR

t

英语

t

REF

t

RFF

t

世界经济论坛

t

WFF

t

EFR

t

RPI

t

FFW

t

WPI

参数

读周期时间

存取时间

阅读恢复时间

读取脉冲宽度（注2 ）

读取脉冲低到数据总线的低Z （注3 ）

数据有效期从读脉冲高

读取脉冲高到数据总线的高Z（注3 ）

写周期时间

把脉冲宽度（注2 ）

写恢复时间

数据建立时间

数据保持时间

复位周期（注3）

复位脉冲宽度（注2 ）

复位恢复时间（注3 ）

重发周期（注3）

重发脉冲宽度（注2 ）

重发恢复时间（注3 ）

重置为空标志低

读低到空标志低

读高到满标志高

写高到空标志高

写低位为全旗低

EF高到有效的读（注3 ）

读保护不确定的（注3 ）

FF高到有效Wrlte （注3 ）

写保护不确定的（注3 ）

分钟。

110

-

25

85

10

20

-

100

80

20

40

10

100

80

20

100

80

20

-

-

-

-

-

10

-

10

-

马克斯。

-

100

-

-

-

-

30

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

100

90

70

70

90

-

35

-

35

单位

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

注意事项：

在AC测试条件引用1.计时，图5

2.脉冲wldths低于最小值不允许

3.值由deslgn保证，目前尚未测试

图3b ： AC特性

3/15

MA7001

符号

FT

参数

的功能

条件

V

DD

= 3-6V ，频率= 100kHz的 - 为9MHz

V

IL

= V

SS

, V

IH

= V

DD

, V

OL

≤

1.5V, V

OH

≥

1.5V

TEMP = -55至+ 125°C ，辐射1MRAD总剂量

A组亚组7 ， 8A，8B

图3b ：功能

小组

1

2

3

7

8A

8B

9

10

11

德网络nition

在+ 25°C的表3a指定的静态特性

在+ 125°C的表3a指定的静态特性

在-55°C的表3a指定的静态特性

在+ 25°C表3C指定功能特点

在+ 125°C表3C指定的功能特性

在-55°C表3C指定的功能特性

交换表3b中规定的特性，在+ 25°C

交换表3b中规定的特性在+ 125°C

交换表3b中规定的特性，在-55°C

图4 ：子群的定义

4/15

MA7001

输入脉冲电平

输入上升和下降时间

输入定时基准水平

输出参考电平

输出负载

GND到3.0V

5ns

1.5V

1.5V

参见图7

产量

被测

测试点

≤50pF*

*包括夹具

和范围

电容

图5 ： AC测试条件

负载1

图7 ：输出负载

符号

C

IN

C

OUT

注意事项：

参数

输入Capacltance （注1 ）

输出电容（注1及2 ）

条件

V

IN

= 0V

V

OUT

= 0V

马克斯。

7

12

单位

pF

pF

1.特点值，目前尚未进行测试。

2.输出取消。

图6 ：电容

真值表

输入

手术

R

RESET

重发*

读

读

写

写

1

1

1→0

x

x

x

W

1

1

x

x

1→0

x

RS

0

1

1

1

1

1

RT

x

0

1

1

1

1

Xl

0

0

0

0

0

0

EF

0

1

1

0

x

1

FF

1

1

1

1

1

0

数据

Z

Z

有效

Z

x

x

读

零

零

增量

N / C

N / C

N / C

写

零

N / C

N / C

N / C

增量

N / C

产量

指针

*仅当低于512写自上次复位。

图8 ：单台设备或宽度扩展：读，写，复位和重发

输入

手术

R

首先重置

重设休息

注意事项：

1

1

W

1

1

RS

0

0

FL

0

1

Xl

1

1

EF

0

0

产量

FF

1

1

数据

Z

Z

读

零

零

指针

写

零

零

操作1.查看方式为连接

Xl

和

XO

深入扩展模式。

2.

XI

被连接到

XO

以往的装置（图12）。

图9 ：深度扩展：复位和第一负载

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