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快恢复二极管（ FRD ）
MA111
MA650
硅平面型（阴极常见）
0.7±0.1
切换
s
特点
q
q
单位：mm
10.0±0.2
5.5±0.2
2.7±0.2
4.2±0.2
低正向电压V
F
快速反向恢复时间t
rr
16.7±0.3
q
高反向电压V
R
7.5±0.2
3.1±0.1
4.2±0.2
1.4±0.1
1.3±0.2
0.5
-0.1
0.8±0.1
+0.2
14.0±0.5
浸焊
4.0
2.54±0.25
s
绝对最大额定值
（大= 25℃）
参数
反向重复峰值电压
非重复性峰值反向电压
平均正向电流
非重复峰值正向浪涌电流
结温
储存温度
*正弦半波： 10毫秒/周期
5.08±0.5
符号
V
RRM
V
RSM
I
F（ AV ）
I
FSM
*
T
j
T
英镑
等级
200
200
10
60
- 40 + 150
- 40 + 150
单位
V
V
A
A
C
C
1 ：阳极
2 ：阴极
（共同）
3 ：阳极
TO- 220F （一）（ TO-220全包封装）
1
2
3
s
内部连接
1
2
3
s
电气特性
（大= 25℃）
参数
反向重复峰值电流
正向电压（ DC）的
反向恢复时间
热阻
符号
I
RRM1
I
RRM2
V
F
t
rr
*
R
日（J -C ）
R
号（j -a）的
条件
V
RRM
= 200V ，T
C
= 25C
V
RRM
= 200V ，T
j
=150C
I
F
= 5A ，T
C
= 25C
I
F
= 1A ，我
R
=1A
结和外壳间的平坦直流
民
典型值
最大
100
6
1
100
3
63
单位
A
mA
V
ns
° C / W
° C / W
注1.额定输入/输出频率： 10MHz的
2. * t
rr
测量电路
50
D.U.T
50
I
F
I
R
5.5
t
rr
0.1
×
I
R
快恢复二极管（ FRD ）
MA650
I
F
– V
F
100
T
C
=25C
10
8
I
R
– V
R
30
P
D（ AV ）
– I
F（ AV ）
100C
I
R
（ nA的）
(A)
10
Ta=150C
25C
10
6
Ta=150C
平均正向电流P
D（ AV ）
(W)
10
7
25
t
0
t
1
20
I
F
100C
正向电流
反向电流
1
10
5
15
t
0
/t
1
=1/6
1/3
1/2
DC
10
4
25C
10
3
10
0.1
5
0.01
0
0.4
0.8
1.2
V
F
1.6
(V)
2.0
正向电压
10
2
0
50
100
150
200
250
300
反向电压
V
R
(V)
0
0
2
4
6
8
10
12
平均正向电流I
F（ AV ）
(A)
I
F（ AV ）
– T
C
12
t
0
/t
1
=1/2
热阻R
th
（ ° C / W）
R
日（T ）
– t
10
2
无散热片
(A)
10
1/3
1/6
8
DC
平均正向电流
I
F（ AV ）
10
6
1
4
10
–1
2
t
0
t
1
0
30
50
100
T
C
(C)
150
10
–2
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
时间
1
t
(s)
10
10
2
10
3
10
4
外壳温度
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单价/备注
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    电话：0755-82780082
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    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MA650
    -
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    -
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深圳市创芯联盈电子有限公司
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电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
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联系人：朱咸华
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MA650
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MA650
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MA650
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