高Q超突变
调谐变容二极管
特点
q
q
q
MA4ST550系列
V3.00
表壳款式
q
高Q值
1 : 7的可用容量变化
低反向漏的好帖子
调整漂移特性
可重复的C-V曲线
描述
该MA4ST550系列高Q硅超突变
调谐变容二极管提供一系列低寄生的
电容微波封装或芯片形式。
该MA4ST550系列二极管可与结
约0.8 pF至8.2 pF的-4伏电容。
这些二极管具有电容变化率作为高
为7:1。
30
31
应用
该MA4ST550系列适合应用在VCO与使用
约1-14千兆赫范围内的频率
在一个大的电容变化是必需的。这些
二极管适用于VCO的导弹求职者,与电信
通信系统和电子战系统
关键岗位调整漂移规格。
134
环保性能
所有的调变容二极管的陶瓷封装能够
会议的方法所决定的性能测试
和MIL -S - 19500 , MIL-的最新版本的程序
STD- 202和MIL -STD- 750用于指定的机械,
电,热等环境测试常见
半导体产品。
在25 ° C绝对最大额定值
参数
反向电压
工作温度
储存温度
温度COEF网络cient
绝对最大
一样的击穿电压
- 65°C至+ 150°C
- 65 ° C至+ 200℃
400 PPM / ° C上电压-4
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
M / A - COM公司
北美:
电话: ( 800 ) 366-2266
传真:( 800 ) 618-8883
s
1
亚洲/太平洋网络C:电话。 +81 ( 03 ) 3226-1671
传真+81 ( 03 ) 3226-1451
s
欧洲:电话。 +44 ( 1344 ) 869 595
传真+44 ( 1344 ) 300 020
高Q超突变调谐变容二极管
电气规格在25℃
击穿电压= 22伏特最低@ 10微安
反向电流= 50 NAMPS最大@ 20伏和25℃
模型
数
MA4ST551
MA4ST552
MA4ST553
MA4ST554
MA4ST555
MA4ST556
MA4ST557
MA4ST558
MA4ST559
MA4ST560
MA4ST561
MA4ST562
MA4ST563
例
1
风格
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
总电容
2,3
@ - 4V (PF )
最小/最大。
0.72-0.88
0.90-1.10
1.08-1.32
1.35-1.65
1.62-1.98
1.98-2.42
2.43-2.97
2.97-3.63
3.51-4.29
4.23-5.16
5.04-6.16
6.12-7.48
7.38-9.02
总电容
2,3
@ - 20V (PF )
最小/最大。
0.30-0.38
0.34-0.42
0.38-0.48
0.43-0.58
0.51-0.68
0.58-0.78
0.68-0.88
0.82-1.02
0.93-1.18
1.13-1.43
1.33-1.63
1.58-1.98
1.88-2.38
MA4ST550系列
V3.00
典型
@ - 4伏
50兆赫
650
650
600
600
550
550
500
500
450
450
450
400
400
注意事项:
1.标准的情况下,风格是30.其他包和芯片的显示
这个页面的底部都可用。订购时,请指定所需
通过增加的情况下指定为后缀的型格款式
号,即MA4ST552-134是一个15 ×15密耳的芯片二极管。见附录
完整的尺寸。
2.电容的测量是在1兆赫。
3所示的总电容值的设备容纳在壳体
风格30.其他款式的情况下会产生不同的值,由于不同的
案例parsasitics 。案例寄生(C
P
和L
S
)给出了可用的
表壳款式以及附录中的外形图。
表壳款式
30
31
94
120
134
1056
1088
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2
北美:
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传真+44 ( 1344 ) 300 020
高Q超突变调谐变容二极管
典型性能曲线
MA4ST550系列
V3.00
电容VS反向偏置电压
(封装类型30 )
电容VS反向偏置电压
( CHIPS )
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3
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传真+81 ( 03 ) 3226-1451
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