表面贴装单片
PIN二极管芯片
V 1.00
MA4SPS552
特点
n
n
n
n
n
n
n
机箱样式ODS- 1281
A
表面安装器件
无引线键合要求
坚固的硅玻璃建筑
氮化硅钝化
聚合物划伤保护
低寄生电容和电感
高功率处理（高效散热）
B
描述
这个设备是一个与硅玻璃PIN二极管芯片制造为
M / A - COM公司的专利HMIC过程。该设备的特点
两个硅底座嵌入低损耗玻璃。二极管
形成在一个底座和连接到所述的顶
该装置的背面都是通过对基座便利
侧壁导。选择性的背面是金属化
应用于制造表面安装器件。上部是完全
封装有氮化硅和具有附加的聚合物
层的划伤保护。这些保护性涂层可防止
损伤到接线并在阳极空气桥
处理和组装。
C
D
E
F
应用
这些无封装设备适合使用于中等
入射功率（ 5瓦CW）或更高事故的峰值功率
（200瓦）串联，并联，或串并联的开关。小的寄生
电感，0.7 nH的，和优良的RC时间常数， 0.20 PS，
使器件非常适用于无线TR开关及配件
开关电路，在高磷
1dB
和IP
3
值是必需的。
这些二极管，也可以在使用
π,
T的锥形电阻，并
为50Ω或75Ω开关垫衰减器控制电路
系统。
G
绝对最大额定值
1
@ T
A
= + 25 ℃（除非另有规定）
参数
正向电流
反向电压
工作温度
储存温度
结温
耗散RF &直流电源
安装温度
绝对最大
百毫安
-200 V
-65 ° C至+150°C
-65 ° C至+150°C
暗淡
英寸
MILLIMETERS
A
B
C
D
E
F
G
分钟。
0.0207
0.0108
0.0040
0.0069
0.0018
0.0061
0.0069
马克斯。
0.0226
0.0128
0.0080
0.0089
0.0037
0.0081
0.0089
分钟。
0.525
0.275
0.102
0.175
0.045
0.155
0.175
马克斯。
0.575
0.325
0.203
0.225
0.095
0.205
0.225
+175 °C
1W
235 ℃下保持10秒
1.背面金属： 0.1微米THK 。
2.斜线区域表示键合焊盘。
1.超出这些限制可能会造成永久性的损害。
表面贴装PIN二极管芯片
电气规格： @ 25 ℃，
符号
C
T
C
T
R
S
R
S
V
F
V
F
V
R
I
R
R
θJL
T
L
参数
总
电容
总
电容
系列
阻力
系列
阻力
正向电压
正向电压
反向电压
反向漏
当前
热
阻力
少子
一生
条件
-40 V， 1 MHz的
-40 V， 1 GHz的
百毫安， 100兆赫
20毫安， 100兆赫
百毫安
10毫安
-10
A
-40 V
稳定状态
(50% - 90% V)
10毫安/ -6毫安
单位
pF
pF
V
V
V
nA
° C / W
s
MA4SPS552众志成城
TM
系列
V 1.00
分钟。
典型值。
0.08
0.06
1.7
2.4
1.00
0.86
马克斯。
0.14
1.25
1.00
l -200 l
l -275 l
l -10 l
30
2.5
办理程序
所有的半导体芯片应该小心，避免被处理
从汗液和皮肤损伤或污染。
使用塑料尖镊子或真空皮卡是
强烈推荐使用单独的组件。体积
处理应确保磨损和机械冲击
被最小化。
焊接时，这些设备连接到硬质基板，热气体
管芯键合是优选的。我们建议利用
真空塞尖和60 100克施加的力
垂直于该设备的顶表面。当焊接
软底物，它是推荐使用铅 - 锡
接口在电路板的安装焊盘。位置
使得它的安装焊盘与所述对齐模
电路板的安装垫，并通过回流焊接
加热该电路迹线附近的安装焊盘，而
施加60至100克的力在垂直于
管芯的顶表面上。
由于HMIC 玻璃是透明的，对所述边缘
安装垫片最接近对方可以在视觉上
通过模头后附加完成检查。
键合技术
附连到电路板，通过使用由简单
表面贴装技术。
安装垫
座落在这些二极管的底部表面
然后从当前结点的位置被除去。这些
器件非常适用于焊料附着到硬
柔软的基板。使用80/20金/锡和60/40的Sn / Pb
焊料是推荐的，具有相等的温度分布
各触点。环氧导电浆料附件
可能也可以使用。
2
M / A - COM公司及其附属公司保留更改产品的权利（ S）
或此处包含的信息，恕不另行通知。
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
n
n
n
北美：
电话： （ 800 ） 366-2266
亚洲/太平洋网络C：
电话： + 81-44-844-8296传真+ 81-44-844-8298
欧洲：
电话： +44 （1908 ） 574 200传真：+ 44 （ 1908） 574 300
表面贴装PIN二极管芯片
MA4SPS552众志成城
TM
系列
V 1.00
电容与频率
0.20
0.18
0.16
0V
0.14
0.12
-5V
0.10
0.08
0.06
0.04
0.00
0.10
0.20
0.30
0.40
0.50
0.60
0.70
0.80
0.90
1.00
-40V
频率（ GHz）的
电容VS电压
0.20
0.18
0.16
0.14
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.0
5.0
10.0
15.0
20.0
25.0
30.0
35.0
40.0
100兆赫
1 GHz的
电压（V）的
3
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或此处包含的信息，恕不另行通知。
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n
n
n
北美：
电话： （ 800 ） 366-2266
亚洲/太平洋网络C：
电话： + 81-44-844-8296传真+ 81-44-844-8298
欧洲：
电话： +44 （1908 ） 574 200传真：+ 44 （ 1908） 574 300
表面贴装PIN二极管芯片
MA4SPS552众志成城
TM
系列
V 1.00
RS VS我
100.0
1GHz
10.0
100MHz
1.0
0.01
0.10
1.00
我（毫安）
10.00
100.00
RS与频率
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
50mA
10mA
20mA
1.5
1.0
0.5
0.0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
100mA
频率（GHz ）
4
M / A - COM公司及其附属公司保留更改产品的权利（ S）
或此处包含的信息，恕不另行通知。
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
n
n
n
北美：
电话： （ 800 ） 366-2266
亚洲/太平洋网络C：
电话： + 81-44-844-8296传真+ 81-44-844-8298
欧洲：
电话： +44 （1908 ） 574 200传真：+ 44 （ 1908） 574 300
表面贴装PIN二极管芯片
MA4SPS552众志成城
TM
系列
V 1.00
并联电阻与V
1.0E+06
100MHz
1.0E+05
1GHz
1.0E+04
1.0E+03
0.0
-5.0
-10.0
-15.0
-20.0
-25.0
-30.0
-35.0
-40.0
反向偏压（ -V ）
5
M / A - COM公司及其附属公司保留更改产品的权利（ S）
或此处包含的信息，恕不另行通知。
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n
n
n
北美：
电话： （ 800 ） 366-2266
亚洲/太平洋网络C：
电话： + 81-44-844-8296传真+ 81-44-844-8298
欧洲：
电话： +44 （1908 ） 574 200传真：+ 44 （ 1908） 574 300
MA4SPS552
超越
TM
PIN二极管
符合RoHS
特点
表面安装器件
无引线键合要求
坚固的硅玻璃建筑
氮化硅钝化
聚合物划伤保护
超低寄生电容和电感
更高的功率处理（高效热沉）
描述
该装置是一个硅玻璃PIN二极管芯片制造
具有M / A - COM技术解决方案的专利HMIC
流程。该器件具有两个硅底座的EM
床在一个低损失的玻璃。在二极管上形成的
1基座和连接的顶部的背面
该装置是通过使底座容易副作用
墙壁导电的。选择性的背面是金属化
应用于制造表面安装器件。上部
完全封装的硅氮化物和具有额外
tional聚合物层的划伤保护。这些亲
tective涂层防止损坏连接点与
搬运和装配过程中的阳极空中桥梁。
绝对最大额定值
TA = + 25 ° C（除非另有说明）
参数
正向电流
反向电压
工作温度
储存温度
结温
耗散RF &直流电源
安装温度
绝对最大
百毫安
-200 V
-65 ° C至+ 150°C
-65 ° C至+ 150°C
+175°C
1W
+ 235℃保持10秒
牧师V1
A
B
C
D
E
F
G
DIM 。
分钟。
A
B
C
D
E
F
G
0.0207
0.0108
0.0040
0.0069
0.0018
0.0061
0.0069
in
马克斯。
0.0226
0.0128
0.0080
0.0089
0.0037
0.0081
0.0089
分钟。
0.525
0.275
0.102
0.175
0.045
0.155
0.175
mm
马克斯。
0.575
0.325
0.203
0.225
0.095
0.205
0.225
应用
这些无封装器件适合于使用
中等入射功率（ 5瓦CW ）或更高的事件
峰值功率（ 200 W， 1美元， 0.001职务）系列，分流，或
串并联切换。小的寄生电感， 0.7
NH，和优秀的RC常数， 0.20 PS ，使DE-
罪恶的理想TR开关和配件开关电路，
其中，较高的P1dB和IP3值是必需的。
这些二极管，也可以在使用
π,
T，圆锥电阻
tance和交换，垫衰减器控制电路的
50Ω或75Ω系统
1
高级：
数据表包含有关一个产品的MA- COM技术信息
解决方案正在考虑发展。性能是基于目标的规格，
模拟的结果，和/或原型的测量。致力于开发不瓜拉尼
开球。
初步：
数据表包含有关一个产品的MA- COM技术信息
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规范
系统蒸发散是典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据
可提供。致力于生产数量难以保证。
1.背面金属： 0.1微米THK 。
北美
电话： 800.366.2266
欧洲
联系电话： +353.21.244.6400
印度
联系电话： +91.80.43537383
中国
联系电话： +86.21.2407.1588
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
MA- COM技术解决方案及其关联公司保留随时更改的权利
产品（S ）或包含，恕不另行通知信息。
MA4SPS552
超越
TM
PIN二极管
符合RoHS
电气规格在+ 25°C
符号
C
T
C
T
R
S
R
S
V
F
V
F
V
R
I
R
R
qJL
TL
参数
总电容
总电容
条件
-40V ， 1MHz的
-40V ， 1GHz的
单位
pF
pF
Ω
Ω
V
V
V
nA
° C / W
s
| - 200 |
分钟。值
TYP 。值
0.08
0.06
1.7
2.4
1.00
0.88
| -275 |
| - 10 |
30
2.5
1.25
1.00
马克斯。值
0.14
牧师V1
串联电阻100mA时为100MHz
串联电阻
正向电压
正向电压
反向电压
20mA时， 100MHz的
100mA
10mA
-10 A
反向漏
-40 V
当前
热敏电阻
稳定状态
tance
少数载流子（ 50 ％ - 90 ％ V）
一生
+ 10毫安/ -6mA
电容与频率
0.20
0.18
0.16
0V
厘泊（ pF）的
0.14
0.12
-5V
0.10
0.08
-40V
0.06
0.04
0.00
0.10
0.20
0.30
0.40
0.50
0.60
0.70
0.80
0.90
1.00
频率（ GHz）的
2
高级：
数据表包含有关一个产品的MA- COM技术信息
解决方案正在考虑发展。性能是基于目标的规格，
模拟的结果，和/或原型的测量。致力于开发不瓜拉尼
开球。
初步：
数据表包含有关一个产品的MA- COM技术信息
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规范
系统蒸发散是典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据
可提供。致力于生产数量难以保证。
北美
电话： 800.366.2266
欧洲
联系电话： +353.21.244.6400
印度
联系电话： +91.80.43537383
中国
联系电话： +86.21.2407.1588
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MA- COM技术解决方案及其关联公司保留随时更改的权利
产品（S ）或包含，恕不另行通知信息。
MA4SPS552
超越
TM
PIN二极管
符合RoHS
电容VS电压
0.20
0.18
0.16
100兆赫
1 GHz的
牧师V1
厘泊（ pF）的
0.14
1 GHz的
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.0
5.0
10.0
15.0
20.0
25.0
30.0
35.0
40.0
100
兆赫
电压（V）的
RS VS我
100.0
卢比（欧姆）
1GHz
10.0
100MHz
1.0
0.01
0.10
1.00
我（毫安）
10.00
100.00
3
高级：
数据表包含有关一个产品的MA- COM技术信息
解决方案正在考虑发展。性能是基于目标的规格，
模拟的结果，和/或原型的测量。致力于开发不瓜拉尼
开球。
初步：
数据表包含有关一个产品的MA- COM技术信息
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规范
系统蒸发散是典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据
可提供。致力于生产数量难以保证。
北美
电话： 800.366.2266
欧洲
联系电话： +353.21.244.6400
印度
联系电话： +91.80.43537383
中国
联系电话： +86.21.2407.1588
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
MA- COM技术解决方案及其关联公司保留随时更改的权利
产品（S ）或包含，恕不另行通知信息。
MA4SPS552
超越
TM
PIN二极管
符合RoHS
RS与频率
4.0
3.5
10mA
牧师V1
3.0
卢比（欧姆）
2.5
2.0
1.5
100mA
20mA
50mA
1.0
0.5
0.0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
频率（GHz ）
并联电阻与V
1.0E+06
100MHz
RP （欧姆）
1.0E+05
1GHz
1.0E+04
1.0E+03
0.0
-5.0
-10.0
-15.0
-20.0
-25.0
-30.0
-35.0
-40.0
反向偏压（ -V ）
4
高级：
数据表包含有关一个产品的MA- COM技术信息
解决方案正在考虑发展。性能是基于目标的规格，
模拟的结果，和/或原型的测量。致力于开发不瓜拉尼
开球。
初步：
数据表包含有关一个产品的MA- COM技术信息
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规范
系统蒸发散是典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据
可提供。致力于生产数量难以保证。
北美
电话： 800.366.2266
欧洲
联系电话： +353.21.244.6400
印度
联系电话： +91.80.43537383
中国
联系电话： +86.21.2407.1588
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MA4SPS552
超越
TM
PIN二极管
符合RoHS
MA4SPS552宏&惩戒损失
0
-0.1
- 0.2
- 0.3
- 0.4
- 0.5
- 0.6
- 0.7
- 0.8
- 30
- 0.9
-1
0
1
2
3
4
5
6
- 35
- 20
0
牧师V1
S21
S11
S22
-5
- 10
损耗dB
- 15
- 25
GHz的频率
MA4SPS522隔离
0
S21
-5
-10
损耗dB
-15
-20
-25
-30
0
1
2
3
GHz的频率
4
5
5
高级：
数据表包含有关一个产品的MA- COM技术信息
解决方案正在考虑发展。性能是基于目标的规格，
模拟的结果，和/或原型的测量。致力于开发不瓜拉尼
开球。
初步：
数据表包含有关一个产品的MA- COM技术信息
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规范
系统蒸发散是典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据
可提供。致力于生产数量难以保证。
北美
电话： 800.366.2266
欧洲
联系电话： +353.21.244.6400
印度
联系电话： +91.80.43537383
中国
联系电话： +86.21.2407.1588
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损耗dB
6
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