MA4P HIPAX
大功率PIN二极管
V9
特点
高功率处理
低损耗/低失真
电压额定值高达1000伏
钝化芯片的低漏电流
低的Theta （ θ ）由于全脸芯片键合
无铅低电感MELF套餐
各种封装选项
作为芯片
完全符合RoHS标准
封装形式
401 & 402
1072 & 1091
描述
M / A - COM技术解决方案MELF和HIPAX
PIN二极管系列是专为使用的开关
和衰减器应用中需要高功率
操控性和低失真。该MELF和HIPAX
PIN二极管集成了完全钝化的PIN二极管
芯片造成了极其低的反向偏压
漏电流。半导体技术
利用在MELF和HIPAX家庭借鉴
在PIN二极管M / A- COM的丰富经验
设计和晶圆生产。其结果是一个设备
它有一个厚
我区
长载流子寿命
同时保持低的串联电阻和
的电容值。该MELF的芯片和
HIPAX PIN二极管被封装在一个坚固
陶瓷封装，全面粘结到金属
在阳极和阴极引脚。其结果是一个
适当低热阻低损失PIN二极管
对称的热路径。的部分被提供
在任何一个HIPAX ，轴向引线或
金属电极
无铅面对（ MELF ）
表面贴装封装
具有一个矩形的轮廓。这些长方形
SMQ ， PIN二极管被设计用于高容量的磁带
和滚筒组件。这种易于使用的软件包
设计使自动取放，分度
和组装，非常容易。平行平板
表面是适合于大多数关键颚或真空
接机的技术。所有的可焊性表面的锡
镀金和行业标准兼容回流焊
和汽相焊接工艺。
应用
HIPAX PIN二极管被用在广泛的设计
各种开关和衰减器的高频应用
通过UHF频率，并在以上功率等级
1KW， CW 。内部芯片以及每个二极管
组件已被全面测试，
其特征在于，以确保可预测和可重复的
性能。
设计建议
低失真衰减器
MA4P4301B
表面贴装开关
MA4P7101F
蜂窝式无线电天线开关
MA4P1200 ， MA4P1250
绝对最大额定值
T
AMB
= +25°C
（除非另有说明）
1,2
参数
绝对最大
直流反向电压
工作片结
温度
储存温度
安装温度
（见表格）
-55 ° C到+ 175℃
-55 ° C到+ 200℃
+ 280 ℃下进行30秒
笔记
其中任何一项上述1.操作此设备的
参数可能会造成永久性的损害。
2.请参考应用笔记
M538
表面
安装说明。
1
北美
电话： 800.366.2266
欧洲
联系电话： +353.21.244.6400
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
印度
联系电话： +91.80.4155721
中国
联系电话： +86.21.2407.1588
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
MA4P HIPAX
大功率PIN二极管
V9
MA4P1000系列电气规格@ T
AMB
= +25°C
V
R
反向电压
V
DC
产品型号
条件
I
R
= 10
μA
最低
MA4P1200 - 401T
MA4P1250 -1072T
MA4P1450 -1091T
50
50
50
C
T
总电容
pF
条件
F = 1 MHz的
V
R
= 50 V
R
S
串联电阻
Ω
条件
F = 100 MHz的
I
F
= 50毫安
R
P
并联电阻
kΩ
条件
F = 100 MHz的
V
R
= 0 V
最低
5
5
5
最大
典型的最大典型最大
等级
100
100
100
1.2
0.8
1.8
1.5
1.2
2.5
0.5
0.5
0.5
0.75
0.75
0.75
V
F
正向电压
产品型号
条件
I
F
= 50毫安
T
L
载流子寿命
条件
I
F
= 10毫安
I
R
= 6毫安
正向偏压
反向偏置
谐波失真谐波失真
R（图2a /年） * R （图3a / a）的
R（图2a /一） - R（图3a / a）的
条件
F = 100 MHz的
P
IN
= 30 W
条件
F = 100 MHz的
P
IN
= 0 dBm的
最大
2
典型
最小典型最小典型最小典型
等级
MA4P1200 - 401T
1
MA4P1250 -1072T
1
MA4P1450 -1091T
*
1
0.85
0.85
0.85
1.0
1.0
1.0
2
2
2
8
8
8
80
80
80
90
90
90
60
60
60
70
70
70
注意事项：
1. ）在一个非磁性的包用于MRI应用的访问。相同的电气规格同上。
非磁性版本MA4P1200的 - 401T = MA4P1200NM - 401T
在MA4P1250非磁性版本 - 1072T = MA4P1250NM -1072T
2 ）最大正向电流对所有设备@ 1V为1.5A
功耗和热电阻额定值@ T
AMB
= +25°C
包
风格
B
轴向引线
F
MELF
条件
无需散热器
引线长度4"分之1
无需散热器
无限散热器
MA4P1200-401T
P
DISS
1.5 W
5.5W
θ
JC
15°C/W
MA4P1250-1072T
P
DISS
—
—
6W
18W
θ
JC
—
—
15°C/W
MA4P1450-1091T
P
DISS
—
—
10W
30W
θ
JC
—
—
5°C/W
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
2
北美
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联系电话： +353.21.244.6400
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印度
联系电话： +91.80.4155721
中国
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和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
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解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
MA4P HIPAX
大功率PIN二极管
V9
典型性能曲线@ T
AMB
= +25°C
MA4P1200系列
串联电阻@ 100兆赫与正向电流
电容与频率&反向偏置
串联电阻
电容
pF
兆赫
频率
正向电流
并联电阻与频率&反向偏置
散热器温度与最高功耗
最大功率耗散
并联电阻
兆赫
频率
瓦
°C
散热器温度
3
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大功率PIN二极管
V9
典型性能曲线@ T
AMB
= +25°C
MA4P1250系列
串联电阻@ 100兆赫与正向电流
电容与频率&反向偏置
串联电阻
电容
pF
正向电流
兆赫
频率
并联电阻与频率&反向偏置
载流子寿命与正向偏置电流
并联电阻
兆赫
频率
载流子寿命
正向电流
4
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V9
典型性能曲线@ T
AMB
= +25°C
MA4P1450系列
串联电阻@ 100兆赫与正向电流
电容与频率和反向偏置
串联电阻
电容
pF
兆赫
正向电流
频率
并联电阻与频率和反向偏置
并联电阻
兆赫
频率
5
北美
电话： 800.366.2266
欧洲
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