MNS微波贴片电容
MA4M系列
MA4M系列
MNS微波
贴片电容
特点
卓越的可重复性
（晶圆到晶圆和批次到地块）
小型
低损耗，高Q
可用圆形或方形焊盘
机箱样式
描述
M / A - COM的MA4M MNS系列（金属 - 氮化物 - 硅）的sili-
骗子片状电容器的高可靠性而设计，并
可重复的性能在微波电路应用。这些
电容器是使用低压化学气相沉积制成
灰（LPCVD）其导致致密，均匀的氮化层。这些
单位面积电容具有更高的电容量（导致
更小的芯片尺寸），比类似的MOS管， MIS和陶瓷电容。
蒸发金触点是用来提供一种易于粘合
金属衬垫上的电容器芯片。 M / A - COM MNS电容有
当经受示出没有可测的电容变化
150℃的额定断态电压。
该MA4M系列芯片电容器是使用的最佳选择
在混合微波电路透过Ku波段，其中低
损，高可靠性，小尺寸和温度稳定性是
首要关注的问题。
这些片状电容器适合需要DC应用
块，耦合电容，旁路电容，电容性负载
而在振荡器，乘法器和滤波器调谐元件。
350
M / A - COM MNS电容器相比，陶瓷片式电容器
特点对比
工作温度范围
温度COEF网络cient
20 pF电容的50插入损耗
在15 GHz的行
芯片尺寸
200 pF的， 100V
20 pF的， 100V
MNS
-55 + 200℃
180 PPM
0.1分贝
40 ×40的MILS
22× 22密耳
陶瓷的
-55到+ 125°C
为1000ppm
0.2分贝
70× 70密耳
50 ×50密耳
V3.00
AMP公司的M / A- COM司
s
北美：电话。 （ 800 ） 366-2266 ，传真：（ 800 ） 618-8883
s
亚洲/太平洋地区：电话： + 85 2 2111 8088 ，传真+85 2 2111 8087
s
欧洲：电话。 +44 （ 1344 ） 869 595传真：+ 44 （ 1344 ） 300 020
www.macom.com
AMP连接，并在更高层次上的商标。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
MNS微波贴片电容
MA4M系列
特定网络阳离子
贴片电容与圆形焊盘
最大
STANDOFF
Capactance电压
2,5
1,2,3,4
等级
（PF ）
（伏）
±
10 %
2
5
10
20
20
30
50
80
100
100
200
250
300
300
600
200
200
100
100
200
100
100
100
100
200
100
100
100
200
100
公称
顶部
联系
直径
（密耳）
3.5
6.0
6.0
9.0
11.5
11.0
14.0
18.0
20.0
26.0
28.0
32.0
35.0
45.0
48.0
贴片电容与广场焊盘
最大
STANDOFF
电压
2,5
等级
（伏）
200
200
200
200
50
50
模型
数
MA4M2002
MA4M2005
MA4M1010
MA4M1020
MA4M2020
MA4M1030
MA4M1050
MA4M1080
MA4M1100
MA4M2100
MA4M1200
MA4M1250
MA4M1300
MA4M2300
MA4M1600
芯片
风格
132
132
132
132
132
132
132
199
199
200
200
200
201
263
263
模型
数
MA4M3010
MA4M3020
MA4M3030
MA4M3050
MA4M3100
MA4M3150
Capactance
1,2,3,4
（PF ）
±
10 %
10
20
30
50
100
150
芯片
风格
350
351
352
354
358
359
注意事项：
1 5 ％的电容公差要求提供。
2其他电容和对峙的电压值，可根据要求提供。
3电容的测量是在1兆赫。
电容4的温度系数为标称180 PPM / ℃。
如果断态电压比超过可能发生5设备故障。
最大额定值
施加的电压
工作温度
储存温度
额定断态电压
-55 ° C到+ 200℃
-55 ° C到+ 200℃
典型的电容变化和MNS
陶瓷电容器与温度
（ 200 pF电容）
+10
+8
+6
+4
%
电容
变化
温度
qC
-75
-25
0
-4
-6
-8
25
50
125
150
200
M / A- COM MA4M1200
电容
-10
陶瓷的
电容
V3.00
AMP公司的M / A- COM司
s
北美：电话。 （ 800 ） 366-2266 ，传真：（ 800 ） 618-8883
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MNS微波贴片电容
MA4M系列
机箱样式
芯片
风格
132
DIM 。
A
B
199
A
B
200
A
B
201
A
B
263
A
B
英寸
分钟。
0.020
0.003
0.027
0.004
0.037
0.004
0.047
0.004
—
0.004
马克斯。
0.024
0.008
0.031
0.008
0.041
0.008
0.051
0.008
0.060
0.008
MILLIMETERS
分钟。
0.51
0.08
0.69
0.10
0.94
0.10
1.19
0.10
—
0.10
马克斯。
0.61
0.203
0.79
0.203
1.04
0.203
1.30
0.203
1.52
0.203
C
A
B
注意：
有关上述案件的风格“C”的尺寸，看规格。
芯片
风格
350
DIM 。
A
B
C
351
A
B
C
C
A
英寸
分钟。
0.018
—
—
0.018
—
—
0.018
—
—
0.020
—
—
0.018
—
—
0.018
—
—
马克斯。
0.021
0.008
0.009
0.021
0.008
0.012
0.021
0.008
0.015
0.023
0.008
0.018
0.021
0.008
0.013
0.021
0.008
0.016
MILLIMETERS
分钟。
0.46
—
—
0.46
—
—
0.46
—
—
0.51
—
—
0.46
—
—
0.46
—
—
马克斯。
0.53
0.203
0.23
0.53
0.203
0.30
0.53
0.203
0.38
0.58
0.203
0.46
0.53
0.203
0.33
0.53
0.203
0.41
352
A
B
C
354
A
B
C
B
358
A
B
C
359
A
B
C
V3.00
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北美：电话。 （ 800 ） 366-2266 ，传真：（ 800 ） 618-8883
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MA4M系列
合和处理注意事项
MNS贴片电容
处理
正常的预防措施，这是常见的混合动力的处理
半导体也适用于MNS片状电容器。去除
从饼包和后续处理芯片应该是
用真空铅笔进行。铅笔配备有含金属
LIC或非金属的提示是可以接受的。
导电环氧树脂
任何导电环氧树脂可用于semicon-的
导体芯片连接是可接受的MNS片状电容器
附件。按照制造商的建议
混合和精心的应用。照顾座位电容
在基板上用软工具。
表面处理
每个MNS芯片和基片应当是自由油和其它的
表面污染。这些污染物可能会导致不良的
焊料润湿性。清洗可以用丙酮，醇来完成，
氟利昂， TMS或其他常见的微电子溶剂。 Bur-
的MNS电容芯片精轧没有必要和推荐
谁料。
引线键合
该线或带引线的球，超声波， TC或脉冲焊接
都是可以接受的方法。温度为脉冲焊机
应不超过300℃ 。最大压力施加到
MNS电容器芯片不超过25克的任何一个
方法中。正确的方法将导致粘结强度的
超过MIL- STD- 883B方法2011.2的金线或金
色带。
SOLDER
钎焊温度高至300℃是可以接受的持续时间
不大于5秒的MNS片状电容器。任何的
普通锡 - 铅 - 银，铅，铟，或更高温度下的金
合金钎料是可接受的，但300℃的温度
不超标。纯锡或锡 - 锑焊锡不
推荐使用。剩余磁通的清洗是必需的，并且可以是
完成用氟化或氯化溶剂中进行。
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AMP公司的M / A- COM司
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