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MA4L
系列
硅PIN二极管限
特点
低插入损耗和噪声系数
高的峰值和平均工作功率
不同的P1dB压缩权力
低扁平泄漏功率
证明是可靠的,氮化硅钝化
符合RoHS
V13
芯片大纲
方形
描述
M / A - COM技术解决方案产生了一系列的
硅PIN二极管限中小型我区
长度这是专为高信号而设计
应用程序。该器件被设计为提供低
插入损耗,在零偏压,以及平坦泄漏低
电源与信号的快速响应/恢复时间。零件
可作为离散的模具或组装成各种
表面贴装或陶瓷丸包。见
可用的
机箱样式
表6页上的特定陶瓷
封装形式和它们的可用性单个零件
号码
.
阳极
B
应用
的PIN二极管限制器的MA4Lseries被设计用于使用
在被动限幅器控制电路,以保护敏感
接收器组件,例如低噪声放大器(LNA),
检测器,和混频器覆盖的10兆赫至18千兆赫
频率范围。
全区阴极
绝对最大额定值牛逼
AMB
= 25°C
(除非另有规定编)
参数
正向电流
工作温度
储存温度
结温
安装温度
绝对最大
100mA
-55 ° C至+ 125°C
-55 ° C至+ 150°C
+175°C
+ 320 ℃下进行10秒。
1
消耗臭氧层物质
134
A
B
密尔
15 ± 2
7 ±1*
m
381 ± 51
178 ± 25.4
注意:
该MADL - 000301-01340W和MA4L401-134
“B”尺寸为10 ± 1密耳
RF峰值& CW入射功率每场演出表
注意:
1.超过任何上述的评分可能引起
永久性损坏。
1
高级:
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话: 800.366.2266
欧洲
联系电话: +353.21.244.6400
正在考虑发展。性能是基于目标的规格,仿真结果,
印度
联系电话: +91.80.43537383
中国
联系电话: +86.21.2407.1588
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
初步:
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品( S)或信息包含在此恕不另行通知。
MA4L
系列
硅PIN二极管限
未封装晶片电气规格在T
AMB
= 25°C
标称特性
产品型号
支架
最小最大最小最大最大
I-地区联系
终身厚度直径电阻
反转反转
C
j0V
C
j0V
R
S 10毫安
I
=10mA
电压电压
I
= -6mA
1
M
密尔
° C / W
1
nS
1
pF
pF
V
R
V
R
15
20
20
30
30
50
100
200
250
35
35
35
50
50
75
0.08
0.10
0.09
0.14
0.13
0.07
0.18
0.20
0.19
0.21
0.20
0.15
0.15
0.20
0.30
2.10
2.10
2.00
2.00
2.50
2.50
2.00
1.50
1.20
10
10
10
20
15
70
90
200
800
2
2
2
3
3
4
13
20
25
1.2
1.2
1.2
1.4
1.5
1.5
3.5
3.0
4.5
175
175
175
150
150
150
30
30
25
V13
MA4L011-134
MA4L021-134
MA4L022-134
MA4L031-134
MA4L032-134
MA4L062-134
MA4L101-134
MADL-000301-01340W
MA4L401-134
注意:
1.
测试执行与安装在ODS- 30封装的芯片。
*
在T标称高信号表现
AMB
= 25°C
山顶事件
技术POWER
10分贝限制
@
9.4GHz
DBM
30
31
31
33
34
38
45
46
52
山顶事件
技术POWER
恢复时间
15分贝限制
(3 dB为单位)
最大
事故
@
@
最大CW
9.4GHz
50W峰值功率峰值功率输入功率
DBM
40
41
41
43
44
50
53
59
60
nS
10
15
15
25
25
75
100
50
250
80
90
90
125
125
200
250
500
1000
2
3
3
4
4
5
6
7
10
产品型号
山顶事件
技术POWER
1分贝限制
@
9.4GHz
DBM
MA4L011-134
MA4L021-134
MA4L022-134
MA4L031-134
MA4L032-134
MA4L062-134
MA4L101-134
MADL-000301-01340W
MA4L401-134
2
7
8
8
10
11
15
20
23
30
*
见高信号性能参数注3页。
高级:
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话: 800.366.2266
欧洲
联系电话: +353.21.244.6400
正在考虑发展。性能是基于目标的规格,仿真结果,
印度
联系电话: +91.80.43537383
中国
联系电话: +86.21.2407.1588
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
初步:
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品( S)或信息包含在此恕不另行通知。
MA4L
系列
硅PIN二极管限
对于单分流限幅二极管典型的高信号峰值功率性能
在一个50
测试网络连接夹具
单分流限幅二极管在50欧姆系统中的典型峰值功率性能
在9.4 GHz的, 1us的脉冲宽度,占空比0.001
45
V13
40
35
MA4L011-134 , MA4L021-134 ,
MA4L022-134
MA4L031-134 , MA4L032-134
MA4L101-134
30
MA4L401-132
MA4L301-134
的Pout ( dBm的)
25
20
15
10
0分贝损失
LINE
10分贝损失
LINE
20分贝损失
LINE
30分贝损失
LINE
5
0
0
10
20
销( DBM)
30
40
50
高信号表现:
使用直接连接到金单个并联二极管(芯片)测定镀射频
房屋地面用2密耳厚的导电银胶在50Ω ,SMA连接器连接测试夹具。阳极片
接触是使用1密耳粘结热压丝。直径。金线到7.2密耳厚的罗杰斯5880 DUROID
微带线。分流线圈提供直流回报。测试频率为9.4千兆赫,峰值功率
测量RF脉冲宽度= 1.0微秒, 0.001 %的占空比。
3
高级:
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MA4L
系列
硅PIN二极管限
应用电路
典型+为-60dBm峰值功率, 1μS私服, 0.001 %占空比, + 20dBm的扁平泄漏限制器电路
V13
输电线路: 90° @佛
输电线路: 90° @佛
RF输入
RF输出
MA4L401-134
线圈:特区回归
MA4L101-134
MA4L032-134
典型的+ 50dBm峰值功率, 1μS私服, 0.001 %占空比, + 20dBm的扁平泄漏限制器电路
输电线路: 90° @佛
RF输入
RF输出
MA4L032-134
线圈:特区回归
MA4L022-134
4
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MA4L
系列
硅PIN二极管限
为规范和标称高信号性能表注意事项:
1)
最大串联电阻:
R
S
进行测量,在500MHz在ODS -30封装,等效于
共二极管电阻,R
S
=的Rj (结电阻) + R
O
(欧姆电阻)
2)
标称C.W.热阻:
TH
测定在陶瓷药丸包装,ODS -30,安装在一
金属(无限)散热器。芯片只有热阻值为大约2 °C / W比下部
ODS- 30封装上市值的规格表。
3)
最大的高信号表现:
使用直接连接到金单个并联二极管(芯片)测定
镀RF房屋地面用2密耳厚的导电银胶在50Ω , SMA ,连接器连接测试夹具。
芯片阳极接触是使用1密耳粘结热压丝。直径金线到7.2密耳厚
罗杰斯5880 DUROID微带线。分流线圈提供直流回报。测试频率为9.4 GHz的,
RF脉冲宽度为1.0微秒,占空比= 0.001 % 。
4)
最大C.W.入射功率:
测量利用TWT一个50Ω , SMA ,外接式外壳@ 4GHz的
放大器,并且在同一单个二极管组件的结构附注3如上所述。
V13
模具操作和安装信息
处理:
所有的半导体芯片,应小心以避免损坏或污染被处理
从汗渍,盐和皮肤的油脂。对于个别裸片,使用塑料尖镊子或真空拾取
工具,强烈推荐。批量处理应确保磨损和机械冲击最小化。
模具附件:
模具有钛 - 铂 - 金背面和阳极金属,具有最终金1.0μM的厚度。模具可
安装有金 - 锡共晶焊料进行或导电银环氧树脂。金属射频和直流接地平面
安装表面必须是无污染的,并应具有一个表面平坦或< ± 0.002 “ 。
共晶芯片连接使用热煤气粘片机:
80/20 ,金/锡共晶焊料进行的
建议使用255 ℃的工作表面温度为220 ℃的工具尖端温度。当热
气体被施加,在工具尖端处的温度应为约290 ℃。该芯片不应该
暴露于温度超过320 ℃的时间超过10秒。
共晶芯片连接使用回流焊:
请参阅
应用笔记M538 ,
“表面安装
说明“ 。
环氧树脂模具附件:
导电银胶的薄,控制量应适用,
大约1-2密耳厚,以尽量减少电阻和热阻。小圆角环氧树脂应该是可见的
周围放置后的芯片的外周,以确保充分的区域覆盖。治愈导电
根据制造商的时间表银环氧树脂,通常150℃下1小时。
引线键合:
该芯片的阳极金属栈是由钛/铂/金与最终的金厚度
1.0μM 。用0.7至1密耳直径的金线热压楔焊建议,这取决于
在接触直径。热阶段的温度应设定为约200 ℃下用粘接尖
125℃的温度和18 40克的力。使用超声波能量不建议,但如果需要的话它
应调整,以达到良好的粘合所需的最低要求。过量的能量或力施加到上部
接触将导致金属逐出并取下。自动球焊,也可以使用。
S
ee
应用笔记M541 ,
“绑定和处理程序的芯片二极管装置”进行更详细的处理和
装配信息。
5
高级:
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
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    终端采购配单精选

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
MA4L011
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