MA4GP905
砷化镓
符合RoHS
Beamlead PIN二极管
特点
低串联电阻
低电容
毫米波开关&截止
频率
3纳秒的开关速度
可以通过一个缓冲的+ 5V TTL驱动
氮化硅钝化
聚酰亚胺划伤保护
符合RoHS
修订版V2
MA4GP905
描述
M / A - COM的MA4GP905是砷化镓，
梁式引线PIN二极管。这些设备是
制作用一个OMCVD外延晶片上
工艺设计的高均匀度的设备和
极低的寄生效应。该二极管具有低
串联电阻3Ω ，低电容， 25fF ，并且
3纳秒的极快的开关速度。他们
完全钝化氮化硅和有
对于划痕的聚合物的附加层
保护。该保护涂层防止
损伤到接线和阳极空气桥
在处理和组装。
绝对最大额定值@ T
AMB
= 25°C
（除非另有规定编）
参数
绝对最大
-50V
-65 ° C至+ 125°C
-65 ° C至+ 150°C
+175°C
应用
该MA4GP905的超低电容
设备的特性，非常适合用于通过
W波段。低RC乘积和的低轮廓
该beamlead PIN二极管允许在使用
微波和毫米波开关设计，
其中，低插入损耗和高隔离度
所需。的+ 20毫安操作偏置条件
对于低损耗状态，和0伏，对于隔离
国家允许使用简单的+ 5V TTL门
驱动程序。这些砷化镓， beamlead二极管，可以是
在开启雷达系统阵列中使用，高
速ECM的电路，光开关网络，
仪表等的宽带多掷
开关组件
.
反向电压
工作温度
储存温度
结温
正向直流电流
C.W.入射功率
安装温度
40毫安
+20 dBm的
+ 235℃保持10秒
1
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
MA4GP905
砷化镓
符合RoHS
Beamlead PIN二极管
电气连接特定的阳离子在T
AMB
= 25°C
测试条件
总电容@ 0V / 10 GHz的
1
正向电阻@ + 20毫安/ 10 GHz的
2
正向电压在+ 10毫安
漏电流在-50 V
开关时间
3
注意事项：
1.电容是通过测量在一个50Ω线在10GHz的一个串联二极管的隔离来决定。
2.正向串联电阻是通过在测量单个串联二极管的插入损耗在50Ω线路确定
10GHz.
3.开关速度是在一系列安装在开关之间的10％和90％施加的RF的测量。司机不延误
包括
修订版V2
外观和数据
Ct
Rs
Vf
Ir
TL
单位
fF
欧
伏
nA
nS
民
–
–
1.2
–
–
典型
25
3.0
1.36
50
2
马克斯。
30
4.9
1.5
300
10
密尔
暗淡
A
B
C
D
E
2
MM
马克斯。
1.2
10.0
5.7
7.9
3.9
25.4
分钟。
0.229
0.178
0.125
0.160
0.077
0.615
马克斯。
0.305
0.254
0.145
0.201
0.099
0.645
分钟。
9.0
7.0
4.9
6.3
2.9
24.2
F
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MA4GP905
砷化镓
符合RoHS
Beamlead PIN二极管
搬运和组装程序
以下注意事项应注意观察，避免损坏这些设备。
清洁度
这些装置应在干净的环境中进行处理。
静电灵敏度
铝砷化镓PIN二极管属于1类的ESD敏感，并且可以通过静电损坏
电力。操作这些设备的时候适当的ESD技术应该被使用。
一般处理
这些设备有一个聚合物层，其提供了用于接合区域和划伤保护
阳极空中桥梁。梁式引线的设备必须然而，应特别小心，因为在引线处理
可以容易地变形或由当用镊子处理所施加的正常压力下破裂。一
真空铅笔用＃ 27提示，建议拿放。
附件
这些设备被设计为可插入到硬或软的衬底。推荐方法
附件包括热压粘合，平行间隙焊接和导电
银环氧树脂。
参见应用笔记M541第8页，
合和处理和程序芯片二极管器件
更详细的安装说明。
修订版V2
订购信息
产品型号
MA4GP905
包装
GEL PAK
3
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欧洲
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和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
亚洲/太平洋地区
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