超越
TM
低&中势垒硅肖特基二极管：环四系列
MA4E2532系列
V 2.00
电气规格： 25°C （测量单二极管）
模型
数
MA4E2532L-1113
TYPE
推荐Vf的@ 1毫安
-VF
@ 1毫安
频率
（毫伏）
（毫伏）
范围
DC - 18 GHz的
330最大
典型值300
470最大
典型值440
10 MAX
CT @ 0 V
（PF ）
0.16最大
典型值0.10
0.18 MAX
0.12 （典型值）
RT斜率电阻
（ Vf1的 - Vf2的） / （10.5毫安9.5毫安）
(
)
典型值16
20 MAX
10 TYP
低
屏障
MA4E2532M -1113中
屏障
DC - 18 GHz的
10 MAX
18最大
Rt是动态的斜率电阻哪里
RT = RS +的Rj ，那里的Rj = 26 IDC / （ IDC是在MA）和Rs为欧姆电阻
处理
所有的半导体芯片应该小心，避免被处理
从汗液和皮肤损伤或污染。该
使用塑料尖镊子或真空皮卡强烈
推荐用于各个组件。的顶表面上
该模具具有一个保护性的聚酰亚胺涂层，以减少损失。
坚固的结构克服这些设备允许
使用标准的处理和芯片粘接技术。这是
需要注意的是工业标准的静电放电
是必需的（ESD）的控制在任何时候，由于敏感
肖特基结的性质。
批量处理应确保耐磨性和机械
震动最小。
芯片粘接
管芯附着于这些设备是通过使用变得简单
表面贴装芯片粘接技术。安装垫
座落在这些底面
设备，并且是活性结对面。该器件
非常适用于较高温度的焊料附着
在坚硬的基板。 80AU / 20Sn和的Sn63 / Pb37的/ AG2
焊料是可以接受的用法。
对于硬质承印物，我们建议采用真空技巧
和60 100克的力均匀地施加到顶部
该装置的表面上，用热气体焊接机用相等
在底部安装的设备的焊盘热施加。
当焊接到软衬底，建议使用
铅 - 锡接口在电路板的安装焊盘。
定位模具，使得它的安装垫与对齐
所述电路板的安装焊盘。通过回流焊锡膏
适用平等热量电路在两个模具安装
垫。焊点不得进行一次，
创建非平等的热流和热应力。焊接
回流焊不应造成热量流动进行
通过模具的顶表面上。由于HMIC玻璃
的安装焊盘透明，边缘可以是在视觉上
通过模具后，模具安装完成后检查。
绝对最大额定值
1
参数
工作温度
储存温度
结温
正向电流
反向电压（ 10
A
)
RF C.W.入射功率
RF &直流耗散功率
价值
-40 ° C至+150°C
-40 ° C至+150°C
+175 °C
20毫安
5V
+ 20 dBm的
50毫瓦
1.超过任何这些值可能会导致永久性的
损坏
2
M / A - COM公司及其附属公司保留更改产品的权利（ S）
或此处包含的信息，恕不另行通知。
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
n
北美：
电话： （ 800 ） 366-2266
n
亚洲/太平洋网络C：
电话： + 81-44-844-8296传真+ 81-44-844-8298
n
欧洲：
电话： +44 （1908 ） 574 200传真：+ 44 （ 1908） 574 300
超越
TM
低&中势垒硅肖特基二极管：环四系列
MA4E2532系列
V 2.00
MA4E2532L -1113低壁垒SPICE参数（每个二极管） *
Is
（ nA的）
26
Rs
(
)
12.8
N
1.20
Cj0
（PF ）
1.0 E-2
M
0.5
Ik
（MA ）
14
Cjpar
（PF ）
9.0 E-2
Vj
(V)
8.0 E-2
FC
0.5
BV
(V)
5.0
IBV
（MA ）
1.0 E-2
MA4E2532M -1113中阻隔SPICE参数（每个二极管） *
Is
（ nA的）
5 E-1
Rs
(
)
9.6
N
1.20
Cj0
（PF ）
1.0 E-2
M
0.5
Ik
（MA ）
10
Cjpar
（PF ）
9.0 E-2
Vj
(V)
8.0 E-2
FC
0.5
BV
(V)
5.0
IBV
（MA ）
1.0 E-2
* （每个二极管） SPICE参数是基于MA4E2502系列数据表。
电路安装尺寸（英寸）
0.020
0.020
0.020
0.020
0.013
0.013
0.020
0.020
订购信息
产品型号
MA4E2532L-1113W
MA4E2532L-1113
MA4E2532L-1113T
MA4E2532M-1113W
MA4E2532M-1113
MA4E2532M-1113T
包
晶片上的相框
死在运营商
磁带/卷
晶片上的相框
死在运营商
磁带/卷
3
M / A - COM公司及其附属公司保留更改产品的权利（ S）
或此处包含的信息，恕不另行通知。
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
n
北美：
电话： （ 800 ） 366-2266
n
亚洲/太平洋网络C：
电话： + 81-44-844-8296传真+ 81-44-844-8298
n
欧洲：
电话： +44 （1908 ） 574 200传真：+ 44 （ 1908） 574 300
超越
TM
低&中势垒硅肖特基二极管：环四系列
MA4E2532系列
V 2.00
MA4E2532系列示意图每二极管
Ct
Ls
Rs
Rj
每个二极管的平均价值原理
模型
数
MA4E2532L-1113
MA4E2532M-1113
LS （ NH）
0.8
0.8
卢比（
)
13.4
9.4
RJ （
)
26 IDC /
26 IDC /
克拉（ pF）的
0.10
0.12
4
M / A - COM公司及其附属公司保留更改产品的权利（ S）
或此处包含的信息，恕不另行通知。
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
n
北美：
电话： （ 800 ） 366-2266
n
亚洲/太平洋网络C：
电话： + 81-44-844-8296传真+ 81-44-844-8298
n
欧洲：
电话： +44 （1908 ） 574 200传真：+ 44 （ 1908） 574 300
MA4E2532L - 1113 ， MA4E2532M -1113
超越
TM
低&中等屏障
硅肖特基二极管：环四系列
特点
极低的寄生电容和IN
感抗
表面安装的微波电路，无
引线键合要求
坚固HMIC建设与聚酰亚胺
划伤保护
可靠，多层金属化与扩散
障，100％稳定烘烤（ 300℃， 16
小时）
低敏感性的ESD损伤
M / A- COM产品
修订版V3
机箱样式1113
A
B
描述
该MA4E2532-1113系列众志成城
TM
低
和中等屏障，硅肖特基环四
二极管制造与专利异类
微波集成电路（ HMIC ）的过程。
HMIC电路由硅底座的这
形式的二极管或通路导体嵌入玻璃
电介质，其作为低色散，低
损耗，微带传输介质。该combi-
硅和玻璃的国家允许HMIC设备
具有优异的损耗和功率耗散字符
开创性意义的低调，可靠的设备。
在众志成城的肖特基器件是极好的
对于电路要求的小寄生的选择
再加上优越我 - 一个梁式引线装置
一个芯片的机械性能。在众志成城
结构采用非常低的电阻硅通孔
到肖特基接触连接到金属化
安装在芯片上的底面垫。
这些设备是可靠的，可重复的，和下
性价比解决方案，以常规的设备。
它们具有较低的敏感性静电释放
充电比传统的梁式引线肖特基二
颂歌。
在fabri-所用的多层金属化
在众志成城肖特基结的阳离子包括
铂扩散阻挡层，它允许所有从
恶习要进行一个16小时的非工作
稳定的烘烤，在300℃ 。
在“ 0505 ”纲要允许表面贴装占位
精神疾病和多官能极性方向。
1
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM正在考虑信息
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
发展。性能是基于目标的规格，仿真的结果，和/或原型
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
测量。致力于发展无法得到保证。
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM已根据开发信息
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
换货。性能是基于工程测试。规格是典型的。机械大纲有
得到修复。工程样品和/或测试数据可以是可用的。致力于生产中
MA- COM技术解决方案及其关联公司保留随时更改的权利
量不能保证。
C
D
E
D
机箱样式1113
暗淡
A
B
C
平方米。
E
英寸
分钟。
0.0445
0.0445
0.0040
0.0128
0.0128
MILLIMETERS
分钟。
1.130
1.130
0.102
0.325
0.325
马克斯。
0.0465
0.0465
0.0080
0.0148
0.0148
马克斯。
1.180
1.180
0.203
0.375
0.375
产品（S ）或包含，恕不另行通知信息。
MA4E2532L - 1113 ， MA4E2532M -1113
超越
TM
低&中等屏障
硅肖特基二极管：环四系列
电气规格@ 25°C （测量单二极管）
型号
TYPE
推荐
频率。范围
VF @ 1毫安
（毫伏）
330 MAX 。
300典型。
470最大。
440典型。
M / A- COM产品
修订版V3
Δ
VF @ 1毫安
（毫伏）
10最大。
10最大。
CT @ 0 V
（PF ）
0.16最大。
0.10典型。
0.18最大。
0.12典型。
RT斜率电阻
（ Vf1的- Vf2的） /
（10.5 mA数 - 9.5毫安）
()
16典型。
20 MAX 。
10 TYP 。
18马克斯。
MA4E2532L-1113
MA4E2532M-1113
低门槛
中等屏障
DC - 18 GHz的
DC - 18 GHz的
1. Rt是动态的斜率电阻其中rt = RS +的Rj那里的Rj = 26 IDC / （ IDC是在MA）和卢比的欧姆电阻。
应用
该MA4E2532-1113系列超越低
和中势垒硅肖特基环四
二极管建议在使用微波炉
通过Ku波段频率较低的电路
功率应用，如混频器，分谐波
混频器，检波器和限幅器。该HMIC construc-
化有利于直接更换更碎片
异亮氨酸梁式引线二极管与相应的外加
安装二极管，其可以连接到一个坚硬或
软性电路基板与焊料。
TM
芯片粘接
模具安装这些设备变得简单
通过使用表面贴装芯片附着技
术。安装垫片，交通便利，
这些装置的底表面上，并且是对立面
部位为活性结。该装置是公
适合于高温焊料附着到
硬质基材。 80AU / 20Sn和的Sn63 / Pb36 / AG2
焊料是可以接受的用法。
对于硬质承印物，我们建议利用
的60 100克真空塞尖和力施加
均匀地向所述装置的顶表面上，用
热气焊机与整个应用相同的热量
该装置的底部安装垫片。当可焊
荷兰国际集团到软衬底，建议使用
铅 - 锡接口在所述电路板的安装
垫。定位模具，使得它的安装焊盘
排列与电路板的安装焊盘。
通过施加等于热回流焊锡膏
该电路在两个模具安装垫片。焊料
联合决不能在同一时间进行的，建立非
等于热流和热应力。回流焊
不应使热量流进行
通过模具的顶表面上。由于HMIC
玻璃是透明的，所述的安装的边缘
垫可通过后模进行目视检查
芯片粘接完毕。
处理
所有半导体芯片应与被处理
注意避免从per-损坏或污染
spiration和皮肤。使用塑料放倒
镊子或真空皮卡强烈recom-
荐为单个组件。顶河畔
面的模具的具有保护性的聚酰亚胺涂层，以
尽量减少损失。
坚固的结构，这些DE-的超越
恶习允许使用标准的处理及模具
连接技术。需要注意的是它是重要说明
dustry标准的静电放电（ ESD ） CON-
控制，需要在任何时候，由于敏感NA-
TURE肖特基结的。批量处理应
确保磨损和机械冲击是
最小化。
2
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM正在考虑信息
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
发展。性能是基于目标的规格，仿真的结果，和/或原型
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
测量。致力于发展无法得到保证。
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM已根据开发信息
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
换货。性能是基于工程测试。规格是典型的。机械大纲有
得到修复。工程样品和/或测试数据可以是可用的。致力于生产中
MA- COM技术解决方案及其关联公司保留随时更改的权利
量不能保证。
产品（S ）或包含，恕不另行通知信息。
MA4E2532L - 1113 ， MA4E2532M -1113
超越
TM
低&中等屏障
硅肖特基二极管：环四系列
MA4E2532L - 1113低壁垒SPICE参数
Is
（ nA的）
26
M / A- COM产品
修订版V3
Rs
()
12.8
N
1.20
Cj0
（PF ）
1.0 E-2
M
0.5
Ik
（MA ）
14
Cjpar
（PF ）
9.0 E-2
Vj
(V)
8.0 E-2
FC
0.5
BV
(V)
5.0
IBV
（MA ）
1.0 E-2
MA4E2532M -1113中阻隔SPICE参数（每个二极管） *
Is
（ nA的）
5 E-1
Rs
()
9.6
N
1.20
Cj0
（PF ）
1.0 E-2
M
0.5
Ik
（MA ）
10
CPAR
（PF ）
9.0 E-2
Vj
(V)
8.0 E-2
FC
0.5
BV
(V)
5.0
IBV
（MA ）
1.0 E-2
SPICE参数（每二极管）是基于MA4E2502系列数据表。
电路安装尺寸（英寸）
0.020
0.020
0.020
0.020
0.013
0.013
0.020
0.020
订购信息
产品型号
MA4E2532L-1113W
MA4E2532L-1113
MA4E2532L-1113T
MA4E2532M-1113W
MA4E2532M-1113
MA4E2532M-1113T
绝对最大额定值
1
参数
工作温度
包装
晶片上的相框
死在运营商
磁带/卷
晶片上的相框
死在运营商
磁带/卷
价值
-40 ° C至+ 150°C
-40 ° C至+ 150°C
+175°C
20毫安
5V
+20 dBm的
50毫瓦
CLASS 0
储存温度
结温
正向电流
反向电压（ 10微安）
RC C.W.入射功率
RF &直流耗散功率
静电放电
2
（ ESD ）的分类
1.超过任何这些值可能会造成永久性的损害。
2.人体模型
3
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM正在考虑信息
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
发展。性能是基于目标的规格，仿真的结果，和/或原型
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
测量。致力于发展无法得到保证。
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM已根据开发信息
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
换货。性能是基于工程测试。规格是典型的。机械大纲有
得到修复。工程样品和/或测试数据可以是可用的。致力于生产中
MA- COM技术解决方案及其关联公司保留随时更改的权利
量不能保证。
产品（S ）或包含，恕不另行通知信息。
MA4E2532L - 1113 ， MA4E2532M -1113
超越
TM
低&中等屏障
硅肖特基二极管：环四系列
概要
Ct
M / A- COM产品
修订版V3
Ls
Rs
Rj
每个二极管的平均价值原理
型号
MA4E2532L-1113
MA4E2532M-1113
LS （ NH）
0.8
0.8
的RS （^）
13.4
9.4
的Rj （ Ω ）
26 IDC /
26 IDC /
CT （ pF）的
0.10
0.12
MA4E2532L - 1113 ， MA4E2532M -1113
等效电路
4
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM正在考虑信息
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
发展。性能是基于目标的规格，仿真的结果，和/或原型
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
测量。致力于发展无法得到保证。
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM已根据开发信息
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
换货。性能是基于工程测试。规格是典型的。机械大纲有
得到修复。工程样品和/或测试数据可以是可用的。致力于生产中
MA- COM技术解决方案及其关联公司保留随时更改的权利
量不能保证。
产品（S ）或包含，恕不另行通知信息。
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