超越
TM
低阻隔T恤
“ 0301 ”足迹硅肖特基二极管
特点
极低的寄生Capitance和
电感
非常小的“ 0301” （ 1000× 300um ）的脚印
表面安装的微波电路，无
引线键合要求
坚固HMIC建设与聚酰亚胺
划伤保护
可靠，多层金属化与扩散
障，100％稳定烘烤（ 300℃， 16小时）
低敏感性的ESD损伤
MA4E2513-1289
V1系列
该MA4E2513L - 1289克服壁垒低
肖特基二极管被推荐用于在使用中
通过Ku波段频率的微波电路
低功率应用，如混频器，
次谐波混频器，检测器和限幅器。该
HMIC施工方便直接更换
更脆弱的梁式引线二极管的
对应的超越二极管，其可以是
连接到具有一硬或软基底电路
焊料。
说明与应用
该MA4E2513L - 1289克服二极管是
硅低势垒肖特基器件与制造
该专利的异类微波综合
电路（ HMIC ）的过程。 HMIC电路由
形成二极管或通过硅底座
导体嵌入玻璃的电介质，其
作为低分散，微带传输
媒介。硅和玻璃的组合允许
HMIC器件具有优异的损耗和功率
在低调耗散特性，可靠的设备。
在众志成城的肖特基器件是极好的
对于电路需要一个小的寄生选择
梁式引线器件加上优越
一个芯片的机械性能。在众志成城
结构采用非常低的电阻硅通孔来
连接的肖特基接触的金属化
安装在芯片上的底面垫。
这些设备是可靠的，可重复的，和下
性价比解决方案，以常规的设备。
它们具有较低的敏感性静电
排放比传统的梁式引线肖特基
二极管。
中的制造中所用的多层金属化
所述的超越肖特基结具有铂
扩散阻挡层，其允许所有的设备都
经过16小时的非工作稳定
烘烤，在300℃ 。
极小的“ 0301”大纲允许
表面安装的位置和多功能
极性方向。
机箱样式1289
俯视图，侧视图和底视图
A
B
C
D
E
D
E
D
B
阴极1
常见
阳极2
英寸
暗淡
A
B
C
D
E
分钟。
0.038
0.011
0.004
0.007
0.007
马克斯。
0.040
0.013
0.008
0.009
0.009
MILLIMETERS
分钟。
0.975
0.275
0.102
0.175
0.175
马克斯。
1.025
0.325
0.203
0.225
0.225
1
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关于是否适合任何保证，声明或保证其
产品用于任何特定目的，也没有M / A - COM承担任何责任
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信息。
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
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低阻隔T恤
“ 0301 ”足迹硅肖特基二极管
电气规格@ 25°C （每交界处）
模型
数
MA4E2513L-
1289
TYPE
推荐
频率
范围
DC - 18 GHz的
VF @ 1毫安
（毫伏）
330最大
典型值300
VB @ 10微安
(V)
3分钟
5 ，典型值
CT @ 0 V
（PF ）
0.12最大
典型值0.10
MA4E2513-1289
V1系列
低
屏障
RT斜率电阻
（ Vf1的 - Vf2的） / （ 10.5毫安- 9.5毫安）
(
)
10 TYP
14最大
Rt是动态的斜率电阻其中rt = RS +的Rj ，其中，
RJ 26 = IDC / （ IDC是在MA）和卢比的欧姆电阻。
处理
所有的半导体芯片应小心处理
避免汗损坏或污染
和皮肤。使用塑料尖镊子或
真空皮卡强烈推荐
各个组件。管芯的顶表面
具有保护性的聚酰亚胺涂层，以减少
损害。
坚固的结构，这些众志成城设备
允许使用标准的处理和管芯附着
技术。需要注意的是工业是很重要的
标准的静电放电（ ESD ）控制
在任何时候都必须的，因的敏感性质
肖特基结。
批量处理应确保磨损和
机械冲击最小化。
芯片粘接
芯片粘接这些设备是通过由简单的
采用表面贴装芯片粘接技术。
安装垫片位于交通方便的
这些装置的底表面上，并且是相对
活动结。该器件非常适用于
较高的温度下焊接件到硬盘
基材。 80AU / 20Sn和的Sn63 / Pb37的焊料
可接受的使用情况。芯片粘接与电
导电银胶不建议使用。
对于硬质承印物，我们建议利用
的60 100克真空塞尖和力施加
均匀地向所述装置的顶表面上，用
热气焊机与整个应用相同的热量
该装置的底部安装垫片。当焊接
到软衬底，建议使用
铅 - 锡接口在电路板的安装焊盘。
定位模具，使得它的安装焊盘是
与电路板的安装焊盘对准。回流焊
焊膏施加均等的热量向电路
在两个模具安装垫片。焊点不得
进行一次，产生非均等的热流
和热应力。回流焊不应该
通过使热流经顶端进行
模具的表面上。由于HMIC玻璃
的安装焊盘透明，边缘可
通过模具后附加的是模具目视检查
完成。
绝对最大额定值@ 25°C
（除非另有说明）
1
参数
工作温度
储存温度
结温
正向电流
反向电压
RF C.W.入射功率
RF &直流耗散功率
绝对最大
-40 ° C至+150°C
-40 ° C至+150°C
+175 °C
20毫安
5V
+ 20 dBm的
50毫瓦
以上这些参数中的任何一个1.操作此设备的
可能会造成永久性的损害。
2
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“ 0301 ”足迹硅肖特基二极管
MA4E2513L - 1289低壁垒SPICE参数
Is
（ nA的）
26
Rs
(
)
12.8
N
1.20
Cj0
（PF ）
1.0 E-2
M
0.5
Ik
（MA ）
14
CPAR
（PF ）
9.0 E-2
Vj
(V)
8.0 E-2
FC
0.5
MA4E2513-1289
V1系列
BV
(V)
5.0
IBV
（MA ）
1.0 E-2
典型性能
0.140
0.120
总电容（ pF）的
0.100
0.080
0.060
0.040
0.020
0.000
0
100
200
300
400
500
频率（MHz）
电路安装尺寸（英寸）
0.007
0.007
订购信息
产品型号
MA4E2513L-1289W
MA4E2513L-1289
MA4E2513L-1289T
包
晶片上的相框
死在运营商
磁带/卷
0.010
0.010
0.008
3
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