MA4E2508系列
超越
TM
低，中， &高阻隔硅
肖特基二极管：反平行配对
特点
极低的寄生Capitance &电感
tance
表面安装的微波电路，无
引线键合要求
坚固HMIC建设与聚酰亚胺
划伤保护
可靠，多层金属化与扩散
障，100％稳定烘烤（ 300℃， 16
小时）
低敏感性的ESD损伤
M / A- COM产品
修订版V3
机箱样式1112
A
B
描述
该MA4E2508众志成城
TM
反并联二极管
系列是Silicon低，中， &高阻隔
肖特基器件制造的专利异质
erolithic微波集成电路（ HMIC ） proc-
ESS 。 HMIC电路由硅底座的
哪种形式的二极管或通过导体嵌入
玻璃电介质，其作为低色散，
损耗低，微带传输介质。该
硅和玻璃的组合使得DE- HMIC
虎钳具有优异的损耗和功率耗散
在低轮廓特性，可靠的设备。
在众志成城的肖特基器件是极好的
对于电路要求的小寄生的选择
再加上优越我 - 一个梁式引线装置
一个芯片的机械性能。在众志成城
结构采用非常低的电阻硅通孔
到肖特基接触连接到金属化
安装在芯片上的底面垫。
这些设备是可靠的，可重复的，和下
性价比解决方案，以常规的设备。
它们具有较低的敏感性静电释放
充电比传统的梁式引线肖特基二
颂歌。
在fabri-所用的多层金属化
在众志成城肖特基结的阳离子包括
铂扩散阻挡层，它允许所有从
恶习要进行一个16小时的非工作
稳定的烘烤，在300℃ 。
在“ 0502 ”纲要允许表面贴装占位
换货和多功能的极性方向。
C
D
E
D
机箱样式1112
暗淡
A
B
C
平方米。
E
英寸
分钟。
0.0445
0.0169
0.0040
0.0128
0.0128
MILLIMETERS
分钟。
1.130
0.430
0.102
0.325
0.325
马克斯。
0.0465
0.0189
0.0080
0.0148
0.0148
马克斯。
1.180
0.480
0.203
0.375
0.375
等效电路
1
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM正在考虑信息
发展。性能是基于目标的规格，仿真的结果，和/或原型
测量。致力于发展无法得到保证。
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM已根据开发信息
换货。性能是基于工程测试。规格是典型的。机械大纲有
得到修复。工程样品和/或测试数据可以是可用的。致力于生产中
量不能保证。
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
MA- COM技术解决方案及其关联公司保留随时更改的权利
产品（S ）或包含，恕不另行通知信息。
MA4E2508系列
超越
TM
低，中， &高阻隔硅
肖特基二极管：反平行配对
电气规格@ 25°C
1,2
模型
数
MA4E2508L
MA4E2508M
MA4E2508H
M / A- COM产品
修订版V3
TYPE
推荐
频率。范围
DC - 18 GHz的
DC - 18 GHz的
DC - 18 GHz的
VF @ 1毫安
（毫伏）
330最大
典型值300
470最大
典型值420
700最大
典型值650
CT @ 0 V
（PF ）
0.24 MAX
0.18 TYP
0.24 MAX
0.18 TYP
0.24 MAX
0.18 TYP
RT斜率电阻
（ Vf1的 - Vf2的） / （ 10.5毫安 - 9.5毫安）
()
16典型
20 MAX
12典型
18最大
6典型
8最大
低门槛
中等屏障
高阻隔
1. Rt是动态的斜率电阻其中rt = RS +的Rj ，那里的Rj = 26 IDC / （ IDC是在MA）和卢比的欧姆电阻。
2.最大正向电压差
-VF
@ 1毫安： 10mV的
应用
该MA4E2508家庭超越肖特基二极管
被推荐用于在微波电路中使用
通过Ku波段频率的低功耗应用
系统蒸发散如混频器，分谐波混频器，检测器
和限制器。该HMIC建设有利于
直接更换更脆弱梁式引线二极管
与相应的超越二极管，其可以是
连接到具有溶胶 - 硬或软基底电路
明镜。
绝对最大额定值@ 25°C
（除非另有说明）
1
参数
工作温度
储存温度
结温
正向电流
反向电压
RF C.W.入射功率
绝对最大
-40°C至+ 125°C
-40 ° C至+ 150°C
+175°C
20毫安
5V
+20 dBm的
50毫瓦
CLASS 0
处理
所有的半导体芯片应小心处理
避免汗损坏或污染
和皮肤。使用塑料尖镊子或
真空皮卡强烈建议individ-
UAL组件。管芯的顶表面具有一
保护性的聚酰亚胺涂层的损害降到最低。
坚固的结构，这些众志成城设备
允许使用标准的处理和管芯附着
技术。需要注意的是工业是很重要的标
需要准静电放电（ ESD ）控制
在任何时候，由于肖特基的敏感性质
路口。批量处理应确保磨损
和机械冲击最小化。
1.
2.
RF &直流耗散功率
静电放电
2
（ ESD ）的分类
损害。
人体模型
超过这些值可能会造成永久性
芯片粘接
对于硬质承印物，我们建议利用vac-
UUM尖和60 100克的力施加单向
formly到该装置的顶表面上，利用热气体
用焊机在底部加热量相等
装配该装置的垫。当焊接软
底物，它是推荐使用铅 - 锡间
面，在所述电路板的安装焊盘。定位
死，这样的安装焊盘与税务局局长对齐
CUIT板安装垫片。通过回流焊锡膏
适用平等热量电路在两个模具安装
垫。焊点不能在一个合而为一
时间，创造了非平等的热流和热应力。
焊料回流，不应通过使进行
热量流经该管芯的顶表面上。自
该HMIC玻璃是透明的，对所述边缘
安装垫可通过进行目视检查
死后芯片粘接完毕。
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
MA- COM技术解决方案及其关联公司保留随时更改的权利
产品（S ）或包含，恕不另行通知信息。
芯片粘接
芯片粘接这些设备是通过由简单的
采用表面贴装芯片粘接技术。
安装垫片位于交通方便的底部
这些装置的表面上，并且是相对活性
结。该设备非常适合于高温
perature焊锡附着在坚硬的基板。
80AU / 20Sn和的Sn63 / Pb37的焊料是可以接受的
用法。
2
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM正在考虑信息
发展。性能是基于目标的规格，仿真的结果，和/或原型
测量。致力于发展无法得到保证。
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM已根据开发信息
换货。性能是基于工程测试。规格是典型的。机械大纲有
得到修复。工程样品和/或测试数据可以是可用的。致力于生产中
量不能保证。
MA4E2508系列
超越
TM
低，中， &高阻隔硅
肖特基二极管：反平行配对
MA4E2508L低壁垒SPICE参数（每二极管）
4
Is
（ nA的）
26
M / A- COM产品
修订版V3
Rs
()
12.8
N
1.20
Cj0
（PF ）
1.0 E-2
M
0.5
Ik
（MA ）
14
Cjpar
（PF ）
9.0 E-2
Vj
(V)
8.0 E-2
FC
0.5
BV
(V)
5.0
IBV
（MA ）
1.0 E-2
MA4E2508M中阻隔SPICE参数（每二极管）
4
Is
（ nA的）
5.0 E-1
Rs
()
9.6
N
1.20
Cj0
（PF ）
1.0 E-2
M
0.5
Ik
（MA ）
10
CPAR
（PF ）
9.0 E-2
Vj
(V)
8.0 E-2
FC
0.5
BV
(V)
5.0
IBV
（MA ）
1.0 E-2
MA4E2508H高阻隔SPICE参数
Is
（ nA的）
5.7 E-2
Rs
()
6.5
N
1.20
Cj0
（PF ）
1.0 E-2
M
0.5
Ik
（MA ）
4
CPAR
（PF ）
9.0 E-2
Vj
(V)
8.0 E-2
FC
0.5
BV
(V)
5.0
IBV
（MA ）
1.0 E-2
4.香料参数（每二极管）是基于MA4E2502系列数据表。
电路安装尺寸（英寸）
0.020
0.020
0.020
0.020
0.013
订购信息
产品型号
MA4E2508L-1112W
MA4E2508L-1112
MA4E2508L-1112T
MA4E2508M-1112W
MA4E2508M-1112
MA4E2508MSP-T
MA4E2508H-1112W
MA4E2508H-1112
MADS-002508-1112HT
3
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM正在考虑信息
发展。性能是基于目标的规格，仿真的结果，和/或原型
测量。致力于发展无法得到保证。
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM已根据开发信息
换货。性能是基于工程测试。规格是典型的。机械大纲有
得到修复。工程样品和/或测试数据可以是可用的。致力于生产中
量不能保证。
包装
晶片上的相框
死在运营商
磁带/卷
晶片上的相框
死在运营商
磁带/卷
晶片上的相框
死在运营商
磁带/卷
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
MA- COM技术解决方案及其关联公司保留随时更改的权利
产品（S ）或包含，恕不另行通知信息。
MA4E2508系列
超越
TM
低，中， &高阻隔硅
肖特基二极管：反平行配对
MA4E2508示意图每二极管
Ct
M / A- COM产品
修订版V3
Ls
Rs
Rj
每个二极管原理价值观
型号
MA4E2508L
MA4E2508M
MA4E2508H
LS （ NH）
0.8
0.8
0.8
的RS （^）
12.8
9.6
6.5
的Rj （ Ω ）
26 IDC / （MA ）
26 IDC / （MA ）
26 IDC / （MA ）
CT （ pF）的
0.09
0.09
0.09
4
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM正在考虑信息
发展。性能是基于目标的规格，仿真的结果，和/或原型
测量。致力于发展无法得到保证。
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM已根据开发信息
换货。性能是基于工程测试。规格是典型的。机械大纲有
得到修复。工程样品和/或测试数据可以是可用的。致力于生产中
量不能保证。
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
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产品（S ）或包含，恕不另行通知信息。
超越
TM
低中&高阻隔硅
肖特基二极管：反平行配对
特点
极低的寄生Capitance和
电感
表面安装的微波电路，无
引线键合要求
坚固HMIC建设与聚酰亚胺
划伤保护
可靠，多层金属化与扩散
障，100％稳定烘烤（ 300℃， 16
小时）
低敏感性的ESD损伤
MA4E2508系列
V2
该MA4E2508家庭超越肖特基二极管
被推荐用于在微波电路中使用
通过Ku波段频率更低的功耗
应用，如混频器，分谐波混频器，
检测器和限制器。该HMIC建设
方便直接更换更脆弱
梁式引线二极管与相应的超越
二极管，其可以连接到一个硬的或软
电路基板与焊料。
机箱样式1112
A
说明与应用
该MA4E2508超越反并联二极管系列
硅是低，中&高势垒肖特基
制造与专利的异类设备
微波集成电路（ HMIC ）的过程。 HMIC
电路由形成硅底座的
二极管或通路导体嵌入玻璃
电介质，其作为低色散，低损失，
微带传输介质。的组合
硅和玻璃允许HMIC设备具有
优良的损耗和功耗特性
在低轮廓的，可靠的装置。
在众志成城的肖特基器件是极好的
对于电路需要一个小的寄生选择
梁式引线器件加上优越
一个芯片的机械性能。在众志成城
结构采用非常低的电阻硅通孔来
连接的肖特基接触的金属化
安装在芯片上的底面垫。
这些设备是可靠的，可重复的，和下
性价比解决方案，以常规的设备。
它们具有较低的敏感性静电
排放比传统的梁式引线肖特基
二极管。
在所用的多层金属化
在众志成城肖特基结的制作
包括铂扩散阻挡，它允许
所有的设备要进行16小时的
非经营稳定烘300℃ 。
在“ 0502 ”纲要允许表面贴装
安置和多功能的极性方向。
B
C
D
E
D
英寸
暗淡
A
B
C
平方米。
E
分钟。
0.0445
0.0169
0.0040
0.0128
0.0128
马克斯。
0.0465
0.0189
0.0080
0.0148
0.0148
MILLIMETERS
分钟。
1.130
0.430
0.102
0.325
0.325
马克斯。
1.180
0.480
0.203
0.375
0.375
等效电路
1
M / A - COM公司及其附属公司保留随时更改的权利
产品（S ）或包含，恕不另行通知信息。 M / A- COM使
关于是否适合任何保证，声明或保证其
产品用于任何特定目的，也没有M / A - COM承担任何责任
由此产生的任何产品（S）的使用或应用的任何或
信息。
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
超越
TM
低中&高阻隔硅
肖特基二极管：反平行配对
电气连接特定的阳离子@ 25°C
模型
数
MA4E2508L
TYPE
推荐
频带
DC - 18 GHz的
VF @ 1毫安
（毫伏）
330最大
典型值300
470最大
典型值420
700最大
典型值650
CT @ 0 V
（PF ）
0.24 MAX
0.18 TYP
0.24 MAX
0.18 TYP
0.24 MAX
0.18 TYP
MA4E2508系列
V2
低
屏障
中
屏障
高
屏障
RT斜率电阻
（ Vf1的 - Vf2的） / （ 10.5毫安- 9.5毫安）
(
)
典型值16
20 MAX
12 TYP
18最大
6 TYP
8最大
MA4E2508M
MA4E2508H
DC - 18 GHz的
DC - 18 GHz的
Rt是动态的斜率电阻其中rt = RS +的Rj ，其中，
RJ 26 = IDC / （ IDC是在MA）和卢比的欧姆电阻。
最大正向电压差
-VF
@ 1毫安： 10毫伏
芯片粘接
处理
所有的半导体芯片应小心处理
避免汗损坏或污染
和皮肤。使用塑料尖镊子或
真空皮卡强烈推荐
各个组件。管芯的顶表面
具有保护性的聚酰亚胺涂层，以减少
损害。
坚固的结构，这些众志成城设备
允许使用标准的处理和管芯附着
技术。需要注意的是工业是很重要的
标准的静电放电（ ESD ）控制
在任何时候都必须的，因的敏感性质
肖特基结。
批量处理应确保磨损和
芯片粘接这些设备是通过由简单的
采用表面贴装芯片粘接技术。
安装垫片位于交通方便的
这些装置的底表面上，并且是相对
活动结。该器件非常适用于
较高的温度下焊接件到硬盘
基材。 80AU / 20Sn和的Sn63 / Pb37的/ AG2焊料
是可以接受的用法。
对于硬质承印物，我们建议利用
的60 100克真空塞尖和力施加
均匀地向所述装置的顶表面上，用
热气焊机与整个应用相同的热量
该装置的底部安装垫片。当焊接
到软衬底，建议使用
铅 - 锡接口在电路板的安装焊盘。
定位模具，使得它的安装焊盘是
与电路板的安装焊盘对准。回流焊
焊膏施加均等的热量向电路
在两个模具安装垫片。焊点不得
进行一次，产生非均等的热流
和热应力。回流焊不应该
通过使热流经顶端进行
模具的表面上。由于HMIC玻璃
的安装焊盘透明，边缘可
通过模具后附加的是模具目视检查
完成。
绝对最大额定值@ 25°C
（除非另有说明）
1
参数
工作温度
储存温度
结温
正向电流
反向电压
RF C.W.入射功率
RF &直流耗散功率
绝对最大
-40 ° C至+125°C
-40 ° C至+150°C
+175 °C
20毫安
5V
+ 20 dBm的
50毫瓦
以上这些参数中的任何一个1.操作此设备的
可能会造成永久性的损害。
2
M / A - COM公司及其附属公司保留随时更改的权利
产品（S ）或包含，恕不另行通知信息。 M / A- COM使
关于是否适合任何保证，声明或保证其
产品用于任何特定目的，也没有M / A - COM承担任何责任
由此产生的任何产品（S）的使用或应用的任何或
信息。
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
超越
TM
低中&高阻隔硅
肖特基二极管：反平行配对
MA4E2508L低壁垒SPICE参数（每二极管） *
Is
（ nA的）
26
Rs
(
)
12.8
N
1.20
Cj0
（PF ）
1.0 E-2
M
0.5
Ik
（MA ）
14
CPAR
（PF ）
9.0 E-2
Vj
(V)
8.0 E-2
0.5
FC
MA4E2508系列
V2
BV
(V)
5.0
IBV
（MA ）
1.0 E-2
MA4E2508M中阻隔SPICE参数（每二极管） *
Is
（ nA的）
5 E-1
Rs
(
)
9.6
1.20
N
Cj0
（PF ）
1.0 E-02
M
0.5
Ik
（MA ）
10
CPAR
（PF ）
9.0 E-2
Vj
(V)
8.0 E-2
0.5
FC
BV
(V)
5.0
IBV
（MA ）
1.0 E-2
MA4E2508H中阻隔SPICE参数（每二极管） *
Is
（ nA的）
5.7 E-2
Rs
(
)
6.5
N
1.20
Cj0
（PF ）
1.0 E-02
M
0.5
Ik
（MA ）
4
CPAR
（PF ）
9.0 E-2
Vj
(V)
8.0 E-2
0.5
FC
BV
(V)
5.0
IBV
（MA ）
1.0 E-2
* SPICE参数（每二极管）是基于MA4E2502系列数据表。
电路安装尺寸（英寸）
订购信息
产品型号
包
晶片上的相框
死在运营商
磁带/卷
晶片上的相框
死在运营商
磁带/卷
晶片上的相框
死在运营商
磁带/卷
0.020
0.020
MA4E2508L-1112W
MA4E2508L-1112
0.020
0.020
MA4E2508L-1112T
MA4E2508M-1112W
MA4E2508M-1112
0.013
MA4E2508M-1112T
MA4E2508H-1112W
MA4E2508H-1112
MA4E2508H-1112T
3
M / A - COM公司及其附属公司保留随时更改的权利
产品（S ）或包含，恕不另行通知信息。 M / A- COM使
关于是否适合任何保证，声明或保证其
产品用于任何特定目的，也没有M / A - COM承担任何责任
由此产生的任何产品（S）的使用或应用的任何或
信息。
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
超越
TM
低中&高阻隔硅
肖特基二极管：反平行配对
MA4E2508示意图每二极管
Ct
MA4E2508系列
V2
Ls
Rs
Rj
每个二极管原理价值观
模型
数
MA4E2508L
MA4E2508M
MA4E2508H
LS （ NH）
0.8
0.8
0.8
卢比（
)
12.8
9.6
6.5
RJ （
)
26 IDC /
26 IDC /
26 IDC /
克拉（ pF）的
0.09
0.09
0.09
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