MA4E1317 ， MA4E1318 ， MA4E1319-1 ，
MA4E1319-2 ， MA4E2160
砷化镓倒装芯片肖特基势垒二极管
M / A- COM产品
V7版本
特点
低串联电阻
低电容
高截止频率
氮化硅钝化
聚酰亚胺划伤保护
设计易于电路的插入
MA4E1317
说明与应用
M / A - COM的MA4E1317单， MA4E1318抗
对平行， MA4E1319-1逆向发球，
MA4E1319-2系列T恤，并MA4E2160不整合
连接的反并联的一对是砷化镓倒装
芯片肖特基势垒二极管。这些设备是
制造在使用OMCVD外延片
工艺设计的高均匀度的设备和
极低的寄生效应。二极管完全
钝化氮化硅和有一个附加
聚酰亚胺tional层的划伤保护。
该保护涂层防止损坏
在自动或手动操作的交界处。
倒装芯片的配置是适用于拾取
和地方插入。高截止频率
这些二极管可以通过使用毫米
波的频率。典型的应用包括
在PCN单，双平衡混频器
收发器和收音机，警用雷达探测器，
与汽车雷达探测器。该器件
可以通过80 GHz的使用。
该MA4E1318反并联对被设计为
分谐波混频器泵使用。近
的二极管特性匹配结果中
高振抑制RF输入。
MA4E1318
MA4E1319-1
MA4E1319-2
MA4E2160
1
北美
电话： 800.366.2266
欧洲
联系电话： +353.21.244.6400
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
印度
联系电话： +91.80.43537383
中国
联系电话： +86.21.2407.1588
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
MA4E1317 ， MA4E1318 ， MA4E1319-1 ，
MA4E1319-2 ， MA4E2160
砷化镓倒装芯片肖特基势垒二极管
M / A- COM产品
V7版本
电气规格@ + 25°C
参数和测试条件
符号
单位
分钟。
MA4E1317
典型值。
.020
.030
.045
.060
.030
3
马克斯。
分钟。
MA4E1318
典型值。
.020
3
.045
3
.005
.060
3
.010
7
.80
.010
马克斯。
结电容在0V在1 MHz
总电容在0V在1 MHz
1
结电容差
串联电阻在+ 10毫安
2
正向电压在+ 1毫安
正向电压差在1mA时
反向击穿电压在-10uA
SSB噪声系数
Cj
Ct
DCJ
Rs
Vf1
DVF
VBR
NF
pF
pF
pF
欧
伏
伏
伏
dB
4.5
.60
4
.70
7
.80
.60
4
.70
.005
7
6.5
4
6.5
4
参数和测试条件
符号
单位
MA4E1319-1或-2
分钟。
典型值。
.020
3
.030
3
.045
3
.005
4
.60
.70
.005
4.5
7
6.5
4
.060
3
.010
7
.80
.010
4.5
.60
.030
3
马克斯。
分钟。
MA4E2160
典型值。
.020
3
.045
3
.005
4
.70
.005
7
6.5
4
.060
3
.010
7
.80
.010
马克斯。
结电容在0V在1 MHz
总电容在0V在1 MHz
1
结电容差
串联电阻在+ 10毫安
2
正向电压在+ 1毫安
正向电压差在1mA时
反向击穿电压在-10uA
SSB噪声系数
Cj
Ct
DCJ
Rs
Vf1
DVF
VBR
NF
pF
pF
pF
欧
伏
伏
伏
dB
注意事项：
1.
2.
3.
4.
总电容相当于结电容CJ之和寄生电容Cp 。
串联电阻是通过测量动态电阻和减去的2.6欧姆结的电阻来确定。
电容为MA4E1318 ， MA4E2160 ， MA4E1319-1或-2是每肖特基二极管。
处测量的9.375 GHz的LO频率，以300兆赫的中频频率。 LO驱动电平为+6为dBM的单肖特基junc-
化。中频噪声系数的贡献（1.5 dB）被包括在内。
2
北美
电话： 800.366.2266
欧洲
联系电话： +353.21.244.6400
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
印度
联系电话： +91.80.43537383
中国
联系电话： +86.21.2407.1588
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
MA4E1317 ， MA4E1318 ， MA4E1319-1 ，
MA4E1319-2 ， MA4E2160
砷化镓倒装芯片肖特基势垒二极管
M / A- COM产品
V7版本
正向电流与温度
100.00
正向电流（mA ）
+125°C
25°C
- 50°C
10.00
1.00
0.10
0.01
0.00
0.20 0.30 0.40 0.50 0.60 0.70 0.80 0.90 1.00
正向电压（ V）
绝对最大额定值
1
参数
工作温度
储存温度
事件LO功率
事发射频功率
安装温度
静电放电（ ESD ）的分类
2
绝对最大
-65 ° C至+125°C
-65 ° C至+150°C
+20 dBm的
+20 dBm的。
+ 235℃保持10秒
CLASS 0
1.操作该设备，这些参数中的任何一个以上的可能会造成永久性的损害。
2.人体模型
3
北美
电话： 800.366.2266
欧洲
联系电话： +353.21.244.6400
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
印度
联系电话： +91.80.43537383
中国
联系电话： +86.21.2407.1588
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
MA4E1317 ， MA4E1318 ， MA4E1319-1 ，
MA4E1319-2 ， MA4E2160
砷化镓倒装芯片肖特基势垒二极管
M / A- COM产品
V7版本
安装技术
这些芯片被设计为被插入到与接线端向下硬或软的基质。它们可以是
安装有导电环氧树脂或用低温焊料预成型体。模具也可以与组装
交界处的一面朝上，并线或带状债券垫制成。
焊锡芯片粘接：
焊料不清除金，如Indalloy ＃2 ，值得推荐。的Sn- Pb系焊料中不REC-
由于焊料脆化ommended 。不要使芯片比温度大于235℃或更高
200 ℃下进行10秒以上。不应该被要求用于附擦洗超过三秒。
环氧树脂模具附件：
组件可以被预热至125 - 150℃。使用环氧树脂的最小量。环氧树脂固化按制造
商的时间表。为延长固化时间，温度应保持在200℃以下。
办理程序
以下注意事项应注意观察，避免损坏这些芯片：
清洁度：
芯片应在干净的环境中进行处理。
不要试图安装后清理模具。
静态灵敏度：
肖特基势垒二极管的ESD敏感，并且可以通过静电损坏
电力。操作这些设备的时候适当的ESD技术应该被使用。
常规处置：
这些管芯的有源区的保护性聚合物涂层提供刮
保护，特别是用于金属空气桥相接触的阳极。模可
用镊子或真空拾取器处理，并适合于与使用
自动拾放设备。
砷化镓倒装芯片订购信息
产品型号
MA4E1317
MADS-001317-1278HP
MA4E1318
MADS-001318-1197HP
MA4E1319-1
MA4E1319-2
MA4E2160
包
死在运营商
上卷袋胶带
晶片上的相框
上卷袋胶带
死在运营商
死在运营商
死在运营商
每个载波标准数量
100
3000
100
3000
100
100
100
4
北美
电话： 800.366.2266
欧洲
联系电话： +353.21.244.6400
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
印度
联系电话： +91.80.43537383
中国
联系电话： +86.21.2407.1588
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
MA4E1317 ， MA4E1318 ， MA4E1319-1 ，
MA4E1319-2 ， MA4E2160
砷化镓倒装芯片肖特基势垒二极管
M / A- COM产品
V7版本
倒装芯片外形图
B
F
E
C
G
A
MA4E1317
机箱样式1278
D
H
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
英寸
分钟。
马克斯。
0.013
0.026
0.008
0.007
0.016
0.004
0.006
0.0075
0.014
0.027
0.009
0.008
0.017
0.006
0.007
0.0085
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。
0.330
0.660
0.203
0.177
0.406
0.101
0.152
0.190
0.335
0.685
0.228
0.203
0.430
0.152
0.177
0.216
摹SQ
典型值
F
典型值
ê TYP
B
MA4E1318
机箱样式1197
D
典型值
A
C
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
对准指示（ 2 PLC）的
英寸
分钟。
马克斯。
.025
.012
.006
.018
.0075
.003
.004
.027
.015
.008
.020
.0085
.005
.006
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。
.64
.32
.15
.45
.190
.08
.10
.69
.37
.20
.50
.216
.13
.15
5
北美
电话： 800.366.2266
欧洲
联系电话： +353.21.244.6400
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
印度
联系电话： +91.80.43537383
中国
联系电话： +86.21.2407.1588
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
MA4E1317 ， MA4E1318 ， MA4E1319-1 ，
MA4E1319-2 ， MA4E2160
砷化镓倒装芯片肖特基势垒二极管
M / A- COM产品
牧师V5
特点
低串联电阻
低电容
高截止频率
氮化硅钝化
聚酰亚胺划伤保护
设计易于电路的插入
MA4E1317
说明与应用
M / A - COM的MA4E1317单， MA4E1318抗
对平行， MA4E1319-1逆向发球，
MA4E1319-2系列T恤，并MA4E2160不整合
连接的反并联的一对是砷化镓倒装
芯片肖特基势垒二极管。这些设备是
制造在使用OMCVD外延片
工艺设计的高均匀度的设备和
极低的寄生效应。二极管完全
钝化氮化硅和有一个附加
聚酰亚胺tional层的划伤保护。
该保护涂层防止损坏
在自动或手动操作的交界处。
倒装芯片的配置是适用于拾取
和地方插入。高截止频率
这些二极管可以通过使用毫米
波的频率。典型的应用包括
在PCN单，双平衡混频器
收发器和收音机，警用雷达探测器，
与汽车雷达探测器。该器件
可以通过80 GHz的使用。
该MA4E1318反并联对被设计为
分谐波混频器泵使用。近
的二极管特性匹配结果中
高振抑制RF输入。
MA4E1318
MA4E1319-1
MA4E1319-2
MA4E2160
1
高级：
数据表包含有关一个产品的MA- COM技术解决方案的信息
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
初步：
数据表包含有关一个产品的MA- COM技术信息
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用
能。致力于生产数量难以保证。
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
MA- COM技术解决方案及其关联公司保留随时更改的权利
产品（S ）或包含，恕不另行通知信息。
MA4E1317 ， MA4E1318 ， MA4E1319-1 ，
MA4E1319-2 ， MA4E2160
砷化镓倒装芯片肖特基势垒二极管
M / A- COM产品
牧师V5
电气规格@ + 25°C
参数和测试条件
符号
单位
分钟。
MA4E1317
典型值。
.020
.030
.045
.060
.030
3
马克斯。
分钟。
MA4E1318
典型值。
.020
3
.045
3
.005
.060
3
.010
7
.80
.010
马克斯。
结电容在0V在1 MHz
总电容在0V在1 MHz
1
结电容差
串联电阻在+ 10毫安
2
正向电压在+ 1毫安
正向电压差在1mA时
反向击穿电压在-10uA
SSB噪声系数
Cj
Ct
DCJ
Rs
Vf1
DVF
VBR
NF
pF
pF
pF
欧
伏
伏
伏
dB
4.5
.60
4
.70
7
.80
.60
4
.70
.005
7
6.5
4
6.5
4
参数和测试条件
符号
单位
MA4E1319-1或-2
分钟。
典型值。
.020
3
.030
3
.045
3
.005
4
.60
.70
.005
4.5
7
6.5
4
.060
3
.010
7
.80
.010
4.5
.60
.030
3
马克斯。
分钟。
MA4E2160
典型值。
.020
3
.045
3
.005
4
.70
.005
7
6.5
4
.060
3
.010
7
.80
.010
马克斯。
结电容在0V在1 MHz
总电容在0V在1 MHz
1
结电容差
串联电阻在+ 10毫安
2
正向电压在+ 1毫安
正向电压差在1mA时
反向击穿电压在-10uA
SSB噪声系数
Cj
Ct
DCJ
Rs
Vf1
DVF
VBR
NF
pF
pF
pF
欧
伏
伏
伏
dB
注意事项：
1.
2.
3.
4.
总电容相当于结电容CJ之和寄生电容Cp 。
串联电阻是通过测量动态电阻和减去的2.6欧姆结的电阻来确定。
电容为MA4E1318 ， MA4E2160 ， MA4E1319-1或-2是每肖特基二极管。
处测量的9.375 GHz的LO频率，以300兆赫的中频频率。 LO驱动电平为+6为dBM的单肖特基junc-
化。中频噪声系数的贡献（1.5 dB）被包括在内。
2
高级：
数据表包含有关一个产品的MA- COM技术解决方案的信息
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
初步：
数据表包含有关一个产品的MA- COM技术信息
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用
能。致力于生产数量难以保证。
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
MA- COM技术解决方案及其关联公司保留随时更改的权利
产品（S ）或包含，恕不另行通知信息。
MA4E1317 ， MA4E1318 ， MA4E1319-1 ，
MA4E1319-2 ， MA4E2160
砷化镓倒装芯片肖特基势垒二极管
M / A- COM产品
牧师V5
正向电流与温度
100.00
正向电流（mA ）
+125°C
25°C
- 50°C
10.00
1.00
0.10
0.01
0.00
0.20 0.30 0.40 0.50 0.60 0.70 0.80 0.90 1.00
正向电压（ V）
绝对最大额定值
1
参数
工作温度
储存温度
事件LO功率
事发射频功率
安装温度
静电放电（ ESD ）的分类
2
绝对最大
-65 ° C至+125°C
-65 ° C至+150°C
+20 dBm的
+20 dBm的。
+ 235℃保持10秒
CLASS 0
1.操作该设备，这些参数中的任何一个以上的可能会造成永久性的损害。
2.人体模型
3
高级：
数据表包含有关一个产品的MA- COM技术解决方案的信息
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
初步：
数据表包含有关一个产品的MA- COM技术信息
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用
能。致力于生产数量难以保证。
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
MA- COM技术解决方案及其关联公司保留随时更改的权利
产品（S ）或包含，恕不另行通知信息。
MA4E1317 ， MA4E1318 ， MA4E1319-1 ，
MA4E1319-2 ， MA4E2160
砷化镓倒装芯片肖特基势垒二极管
M / A- COM产品
牧师V5
安装技术
这些芯片被设计为被插入到与接线端向下硬或软的基质。它们可以是
安装有导电环氧树脂或用低温焊料预成型体。模具也可以与组装
交界处的一面朝上，并线或带状债券垫制成。
焊锡芯片粘接：
焊料不清除金，如Indalloy ＃2 ，值得推荐。的Sn- Pb系焊料中不REC-
由于焊料脆化ommended 。不要使芯片比温度大于235℃或更高
200 ℃下进行10秒以上。不应该被要求用于附擦洗超过三秒。
环氧树脂模具附件：
组件可以被预热至125 - 150℃。使用环氧树脂的最小量。环氧树脂固化按制造
商的时间表。为延长固化时间，温度应保持在200℃以下。
办理程序
以下注意事项应注意观察，避免损坏这些芯片：
清洁度：
芯片应在干净的环境中进行处理。
不要试图安装后清理模具。
静态灵敏度：
肖特基势垒二极管的ESD敏感，并且可以通过静电损坏
电力。操作这些设备的时候适当的ESD技术应该被使用。
常规处置：
这些管芯的有源区的保护性聚合物涂层提供刮
保护，特别是用于金属空气桥相接触的阳极。模可
用镊子或真空拾取器处理，并适合于与使用
自动拾放设备。
4
高级：
数据表包含有关一个产品的MA- COM技术解决方案的信息
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
初步：
数据表包含有关一个产品的MA- COM技术信息
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用
能。致力于生产数量难以保证。
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
亚洲/太平洋地区
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MA4E1317 ， MA4E1318 ， MA4E1319-1 ，
MA4E1319-2 ， MA4E2160
砷化镓倒装芯片肖特基势垒二极管
M / A- COM产品
牧师V5
倒装芯片外形图
B
F
E
C
G
A
MA4E1317
机箱样式1278
D
H
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
英寸
分钟。
马克斯。
0.013
0.026
0.008
0.007
0.016
0.004
0.006
0.0075
0.014
0.027
0.009
0.008
0.017
0.006
0.007
0.0085
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。
0.330
0.660
0.203
0.177
0.406
0.101
0.152
0.190
0.335
0.685
0.228
0.203
0.430
0.152
0.177
0.216
摹SQ
典型值
F
典型值
ê TYP
B
MA4E1318
机箱样式1197
D
典型值
A
C
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
对准指示（ 2 PLC）的
英寸
分钟。
马克斯。
.025
.012
.006
.018
.0075
.003
.004
.027
.015
.008
.020
.0085
.005
.006
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。
.64
.32
.15
.45
.190
.08
.10
.69
.37
.20
.50
.216
.13
.15
5
高级：
数据表包含有关一个产品的MA- COM技术解决方案的信息
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
初步：
数据表包含有关一个产品的MA- COM技术信息
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用
能。致力于生产数量难以保证。
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