【MA4E2099-1284高垒硅肖特基二极管：大桥Octoquad特点专为高动态范围的应用低寄生Ca】,IC型号MA4E2099-1284W,MA4E2099-1284W PDF资料,MA4E2099-1284W经销商,ic,电子元器件-51电子网

MA4E2099-1284

高垒硅肖特基二极管：

大桥Octoquad

特点

专为高动态范围的应用

低寄生Capitance和电感

低寄生电阻

推荐DC - 12 GHz的

每个统一的电气特性

连接点

坚固HMIC建设与聚酰亚胺

划伤保护

M / A- COM产品

修订版V3

ODS- 1284外形（冠捷）

描述

该MA4E2099-1284桥Octoquad提供

用于高动态范围的应用。该装置是

用高硅势垒肖特基二 - 构建

颂制造与专利异类米 -

crowave集成电路（ HMIC ）过程来烯

确保电气特性的均匀性为每

结。 HMIC电路由硅底座的

哪种形式的二极管或通过导体嵌入

玻璃电介质，其作为低分散，

损耗低，微带传输介质。该

硅和玻璃的组合使得DE- HMIC

虎钳具有优异的损耗和功率耗散

在低轮廓特性，可靠的设备。

应用

该装置可以在高功率混合器可以使用，去

到12 GHz的tector和限幅电路。

暗淡

英寸

分钟。

0.0285

0.0040

0.0035

0.0165

MILLIMETERS

分钟。

0.725

0.102

0.090

0.420

绝对最大额定值@ + 25°C

参数

工作温度

储存温度

正向电流

反向电压

RF C.W.入射功率

RF &直流耗散功率

马克斯。

0.0297

0.0060

0.0043

0.0173

马克斯。

0.755

0.153

0.110

0.440

平方米。

价值

-55 ° C至+ 150°C

20毫安

-9 V

+25 dBm的

100毫瓦

1.超出这些值中的任何一个可能导致永久

损害。

高级：

数据表包含有关产品M / A - COM正在考虑信息

北美

电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266

发展。性能是基于目标的规格，仿真的结果，和/或原型

欧洲

联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300

测量。致力于发展无法得到保证。

亚洲/太平洋地区

联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298

初步：

数据表包含有关产品M / A- COM已根据开发信息

访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。

换货。性能是基于工程测试。规格是典型的。机械大纲有

得到修复。工程样品和/或测试数据可以是可用的。致力于生产中

MA- COM技术解决方案及其关联公司保留随时更改的权利

量不能保证。

产品（S ）或包含，恕不另行通知信息。

MA4E2099-1284

高垒硅肖特基二极管：

大桥Octoquad

M / A- COM产品

修订版V3

电气规格@ 25°C （测量在相邻的端口： 1-2 ， 2-3 ， 3-4 ， 4-1 ）

产品型号

VF @ 1毫安

(V)

分钟。

MA4E2099-1284

1.08

VF @ 10毫安

(V)

分钟。

1.32

CT @ 0 V

（PF ）

典型值。

0.16

VB @ 10微安

(V)

分钟。

RT斜率电阻

（ Vf1的- Vf2的） /

（10.5 mA数 - 9.5毫安）

()

马克斯。

1.24

马克斯。

1.52

2 Rt是动态的斜率电阻其中rt = RS +的Rj那里的Rj = 26 IDC / （ IDC是在MA）和Rs为欧姆电阻。

MA4E2099-1284等效电路

MA4E2099-1284高阻隔SPICE参数（每个二极管）

（ nA的）

5.7 E-2

()

1.20

Cj0

（PF ）

2.4 E-1

0.5

（MA ）

(V)

8.0 E-2

0.5

(V)

5.0

IBV

（MA ）

1.0 E-2

订购信息

产品型号

MA4E2099-1284W

MA4E2099-1284

MA4E2099-1284T

包装

晶片上的相框

死在运营商

磁带/卷

高级：

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北美

电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266

发展。性能是基于目标的规格，仿真的结果，和/或原型

欧洲

联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300

测量。致力于发展无法得到保证。

亚洲/太平洋地区

联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298

初步：

数据表包含有关产品M / A- COM已根据开发信息

访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。

换货。性能是基于工程测试。规格是典型的。机械大纲有

得到修复。工程样品和/或测试数据可以是可用的。致力于生产中

MA- COM技术解决方案及其关联公司保留随时更改的权利

量不能保证。

产品（S ）或包含，恕不另行通知信息。

MA4E2099-1284

高垒硅肖特基二极管：

大桥Octoquad

处理和组装过程

所有的半导体芯片应谨慎处理，以避免汗渍损坏或污染，

皮肤油脂。使用塑料尖镊子或真空皮卡强烈建议各个组件。

管芯的顶表面具有保护的聚酰亚胺涂层，以减少损失。批量处理应保证

该磨损和机械冲击最小化。

坚固的结构，这些HMIC设备允许使用标准的处理和芯片粘接技术。

要注意的，就是行业标准的静电放电（ ESD ）的控制是必需的所有重要的是

次，由于具有0级评级肖特基器件的敏感性质。

M / A- COM产品

修订版V3

芯片粘接

管芯附着于这些设备是通过使用常规的金制成的镀模片固定技术。一个vac-

UUM夹头或塑料镊子被推荐用于设备放置到电路或接地平面。 DE-的

副背面金属由大约0.3微米的Ti -铂金。这种金属化方案允许芯片粘接

硬和软底物（通过接地）和镀金金属接地平面与80AU / 20Sn和锡63 /

Pb36 / AG2焊料。最大的时间 - 温度分布为300℃ ，持续5秒。芯片与电路的附件

介质用导电银环氧树脂也是可以接受的。

芯片粘接

导线和带状粘结从顶侧结合焊盘与电路可以完成与1密耳直径。金线

或1/4 ×3万平方米，金色丝带。球焊，楔焊，或热压接都是可以接受的。

管芯的顶面的保护用耐久的聚合物为冲击和划伤保护。

高级：

数据表包含有关产品M / A - COM正在考虑信息

北美

电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266

发展。性能是基于目标的规格，仿真的结果，和/或原型

欧洲

联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300

测量。致力于发展无法得到保证。

亚洲/太平洋地区

联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298

初步：

数据表包含有关产品M / A- COM已根据开发信息

访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。

换货。性能是基于工程测试。规格是典型的。机械大纲有

得到修复。工程样品和/或测试数据可以是可用的。致力于生产中

MA- COM技术解决方案及其关联公司保留随时更改的权利

量不能保证。

产品（S ）或包含，恕不另行通知信息。

高垒硅肖特基二极管：

大桥Octoquad

V 2.00

MA4E2099-1284

特点

ODS- 1284外形（冠捷）

专为高动态范围的应用

低寄生Capitance和电感

低寄生电阻

推荐DC- 12GHz的

与每一个结均匀电气特性

坚固HMIC建设与聚酰亚胺划痕

保护

描述

该MA4E2099-1284桥Octoquad供高

动态范围的应用。该设备与构建

高硅势垒肖特基二极管制成的

专利异类微波集成电路（ HMIC ）

流程，以确保电气特性的均匀性为每

结。 HMIC电路由硅底座的这

形成二极管或通路导体嵌入玻璃电介质，

它充当低色散，低损失，微带

传输介质。硅和玻璃的组合

允许HMIC器件具有优异的损耗和功率

在低调耗散特性，可靠的设备。

应用

该装置可在较高的动力混合器，检测器被使用，并且

到12 GHz的限幅电路。

暗淡

英寸

MILLIMETERS

分钟。

0.0285

0.0040

0.0035

0.0165

马克斯。

0.0297

0.0060

0.0043

0.0173

分钟。

0.725

0.102

0.090

0.420

马克斯。

0.755

0.153

0.110

0.440

绝对最大额定值

@ +25 °C

参数

工作温度

储存温度

正向电流

反向电压

RF C.W.入射功率

RF &直流耗散功率

价值

-55 ° C至+150°C

20毫安

升-9 V升

+ 25 dBm的

100毫瓦

平方米。

等效电路

1.超过任何这些值可能会导致永久性的

损坏

高垒硅肖特基二极管：大桥Octoquad

MA4E2099-1284

V 2.00

电气连接特定的阳离子@ 25°C

（测得相邻的端口： 1-2 ， 2-3 ， 3-4 ， 4-1 ）

部分

数

VF @ 1毫安

(V)

VF @ 10毫安

(V)

CT @ 0V

（PF ）

VB @ 10

(V )

RT斜率电阻

（ Vf1的 - Vf2的） /

（10.5毫安9.5毫安）

(

)

最大

民

MA4E2099-1284

1.08

最大

1.24

民

1.32

最大

1.52

典型值

0.16

民

Rt是动态的斜率电阻其中rt = RS +的Rj ，那里的Rj = 26 IDC / （ IDC是在MA）和卢比的欧姆电阻。

处理

所有的半导体芯片应该小心，避免被处理

从汗液和皮肤损伤或污染。该

使用塑料尖镊子或真空皮卡强烈

推荐用于各个组件。的顶表面上

该模具具有一个保护性的聚酰亚胺涂层，以减少损失。

批量处理应确保耐磨性和机械

震动最小。

坚固的结构，这些HMIC设备允许使用

标准的处理和芯片粘接技术。重要的是

然而要注意的是工业标准的静电放电

是必需的（ESD）的控制在任何时候，由于敏感

有一个0级评级肖特基器件的性质。

芯片粘接

管芯附着于这些设备是通过使用制成

传统的镀金芯片粘接技术。真空

筒夹或塑料镊子被推荐用于设备

放置到电路或接地平面。该装置

背面金属由大约0.3微米的Ti-的Pt- Au等。

这种金属化方案允许芯片连接到硬

软底物（用于经由接地）和Au镀覆金属

地平面与80AU / 20Sn和锡63 / Pb37的焊料。该

最大的时间 - 温度分布是300

下进行5秒。

模具附件与电气回路中

导电银环氧树脂也是可以接受的。

芯片粘接

线材和丝带结合，从顶面焊垫到

电路可以完成与1密耳的直径。金线或

×3万平方米，金色丝带。球焊，楔焊，或

热压接都是可以接受的。该

管芯的顶面的保护用耐久的聚合物为

冲击和划伤保护。

M / A - COM公司及其附属公司保留更改产品的权利（ S）

或此处包含的信息，恕不另行通知。

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北美：

电话：（ 800 ） 366-2266

亚洲/太平洋网络C：

电话： + 81-44-844-8296传真+ 81-44-844-8298

欧洲：

电话： +44 （1908 ） 574 200传真：+ 44 （ 1908） 574 300

高垒硅肖特基二极管：大桥Octoquad

MA4E2099-1284

V 2.00

MA4E2099-1284高阻隔SPICE参数（每个二极管）

（ nA的）

5.7 E-2

(

)

1.20

Cj0

（PF ）

2.4 E-1

0.5

（MA ）

(V)

8.0 E-2

0.5

(V)

5.0

IBV

（MA ）

1.0 E-2

订购信息

产品型号

MA4E2099-1284W

MA4E2099-1284

MA4E2099-1284T

包

晶片上的相框

死在运营商

磁带/卷

M / A - COM公司及其附属公司保留更改产品的权利（ S）

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北美：

电话：（ 800 ） 366-2266

亚洲/太平洋网络C：

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欧洲：

电话： +44 （1908 ） 574 200传真：+ 44 （ 1908） 574 300