铝镓砷SP2T PIN
二极管开关
V 1.00
MA4AGSW2
特点
超宽频带： 50 MHz至50 GHz的
功能性带宽： 50 MHz至70 GHz的
0.7分贝插入损耗33 dB的隔离，在50 GHz的
低电流消耗：
-10 mA的低丢失状态
10毫安的隔离
n
M / A - COM独特的正在申请专利的AlGaAs
异质结阳极技术
n
氮化硅钝化
n
聚酰亚胺划伤保护
n
n
n
n
MA4AGSW2布局
描述
M / A - COM的MA4AGSW2是铝镓砷化物
阳极提升， SP2T PIN二极管开关。铝镓砷阳极，其
利用M / A - COM公司正在申请专利的异质结技术，
其中产生比传统的砷化镓工艺损耗少，因为
就像0.3分贝降低插入损耗在50千兆赫。这些
制造器件使用一个OMCVD外延晶片上
工艺设计的高均匀度的设备和极低
寄生效应。二极管本身具有低的串联电阻，
低电容，和快速的开关速度。他们完全
钝化氮化硅，并且具有一个附加层
聚合物划伤保护。该保护涂层防止
损伤到接线和处理过程中的阳极登机桥。
片偏置电路是必需的，允许最大设计
灵活性。
绝对最大额定值
1
@ TA = 25 ℃（除非另有
特定网络版）
参数
工作温度
储存温度
事件C.W.射频功率
最大额定值
-55 ° C至+125°C
-65 ° C至+150°C
+ 23 dBm的C. W.
25 V
+/- 30毫安
应用
使用PIN二极管的低电容非常适合使用
在微波多掷开关的设计，其中该系列
电容在每个偏移臂将加载输入。此外，低
二极管的串联电阻可以帮助的总插入损耗
器件在微波频率。这些铝镓砷PIN开关
被用作开关阵列雷达系统，辐射计，以及
其他多部件元件。
击穿电压
偏置电流
1.超过任何这些值可能会导致永久性的
损坏
公称尺寸芯片
芯片尺寸（微米）
X
1290
焊盘尺寸（微米）
X
100
Y
825
Y
100
芯片
RF
J1
J2
J3
垫的位置（ μm）的
X
Y
0
0
-520
+350
+520
+350
焊盘位置相对于J1
SP2T的AlGaAs PIN二极管开关
电气规格@ T
A
= 25 ° C， +/- 10毫安偏置电流
（在晶圆测量值）
RF连接特定的阳离子
参数
插入损耗
隔离
输入回波损耗
输出回波损耗
开关速度（ 10 ％ - 90 ％的射频电压）
MA4AGSW2
V 1.00
频率
0.05 - 18 GHz的
18 - 50 GHz的
0.05 - 18 GHz的
18 - 50 GHz的
0.05 - 18 GHz的
18 - 50 GHz的
0.05 - 18 GHz的
18 - 50 GHz的
10 GHz的
最低
-
45
28
-
-
-
典型
0.5
0.7
47
33
22
21
25
22
20
最大
0.6
0.9
-
-
-
-
单位
dB
dB
dB
dB
ns
注意事项：
1.典型的开关速度被测量为10％至90％所检测的射频电压由一个TTL兼容的驱动器驱动的。司机
输出并联RC网络使用390 pF的之间的电容 - 560 pF和150之间的电阻 - 220欧姆实现
20 ns上升时间和下降时间。
典型的驱动器连接
控制层（直流电流）
J2
-10毫安
10毫安
RF输出条件
J2-J1
低损耗
隔离
J3
10毫安
-10毫安
J3-J1
隔离
低损耗
2
M / A - COM公司及其附属公司保留更改产品的权利（ S）
或此处包含的信息，恕不另行通知。
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
n
北美：
电话： （ 800 ） 366-2266
n
亚洲/太平洋网络C：
电话： + 81-44-844-8296传真+ 81-44-844-8298
n
欧洲：
电话： +44 （ 1344 ） 869 595传真：+ 44 （ 1344 ） 300 020
SP2T的AlGaAs PIN二极管开关
微波和毫米波性能
MA4AGSW2
V 1.00
典型插入损耗@ -10毫安
0
-0.2
IL （分贝）
-0.4
-0.6
-0.8
-1
0.00
10.00
20.00
30.00
40.00
50.00
频率（ GHz）的
J2
J3
典型的隔离@ 10毫安
0
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
-80
0.00
IRL （ dB）的
10.00
20.00
30.00
40.00
50.00
频率（ GHz）的
J2
J3
3
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或此处包含的信息，恕不另行通知。
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n
北美：
电话： （ 800 ） 366-2266
n
亚洲/太平洋网络C：
电话： + 81-44-844-8296传真+ 81-44-844-8298
n
欧洲：
电话： +44 （ 1344 ） 869 595传真：+ 44 （ 1344 ） 300 020
SP2T的AlGaAs PIN二极管开关
微波和毫米波性能（续）
MA4AGSW2
V 1.00
典型的输入回波损耗@ -10毫安
0
-5
IRL （ dB）的
-10
-15
-20
-25
-30
0.00
10.00
20.00
30.00
40.00
50.00
频率（ GHz）的
J2
J3
典型输出回波损耗@ -10毫安
0
-5
IRL （ dB）的
-10
-15
-20
-25
-30
0.00
10.00
20.00
30.00
40.00
50.00
频率（ GHz）的
J2
J3
4
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或此处包含的信息，恕不另行通知。
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n
北美：
电话： （ 800 ） 366-2266
n
亚洲/太平洋网络C：
电话： + 81-44-844-8296传真+ 81-44-844-8298
n
欧洲：
电话： +44 （ 1344 ） 869 595传真：+ 44 （ 1344 ） 300 020
SP2T的AlGaAs PIN二极管开关
大会注意事项
以下预防措施应遵守防止
破坏这些芯片。
MA4AGSW2
V 1.00
焊锡模具附件
所有的芯片粘接和粘接的方法应该是兼容
金色金属。焊料不scavange金，如
80AU / 20Sn或SN62 / Pb36 / AG2建议。别
暴露管芯的温度大于300℃以上的
10秒。
清洁度
这些芯片必须在一个干净的环境中操作。别
试图安装后清理模具。
导电环氧树脂
芯片连接
组件可以被预热到约125 ℃。使用
约2密耳厚度控制为最佳的电
和热导率。固化的环氧树脂按照制造商的
时间表。对于延长固化时间，温度应
保持在低于150 ℃。
静电灵敏度
这些设备被认为是防静电的Class1 。适当的ESD
操作这些设备的技术时，应该使用。
一般处理
在这些活动领域死去的保护聚合物涂层
提供刮擦和冲击的保护，特别是对
金属登机桥相接触二极管的阳极。应该死
主要与真空拾取器进行处理，或可替代地
用塑料镊子。
色带/焊线
楔热压接或球焊可以是
用于带或电线连接到RF接合垫。金
色带应该是1/4 ×3万平方米，为最低的所有RF端口
电感和微波最佳性能。
安装技术
这些的AlGaAs装置被设计成安装有
导电银环氧树脂或具有低级
高温焊料进行，这是不丰富的锡含量。
在MA4AGSW2操作
负直流电流的同时应用到低损耗端口和正向直流电流
剩下的隔离端口达到MA4AGSW系列铝镓砷PIN开关的操作。的背面区
模具是RF和DC返回地平面。直流返回上常见的端口J1实现。恒流
来源应提供直流控制电流。该二极管的电压在这些偏置节点将不会超过+ 1.6伏
（ + 1.4伏的典型电源电流可达+ 30 mA）的。在低损耗状态，该系列二极管必须是快进
偏见和并联二极管反向偏置。对于所有的隔离端口，并联二极管的正向偏置，
系列二极管反向偏置。偏置网络的设计应产生> 30分贝射频到直流隔离。
最佳的插入损耗，的P1dB ， IP3和开关速度是由直流回用电压上拉电阻取得
路径（ J1 ） 。 -2 V | |的最小值，建议在这个节点回归，这是可以实现的一个标准，
+ 5 V TTL控制PIN二极管驱动器。
5
M / A - COM公司及其附属公司保留更改产品的权利（ S）
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n
北美：
电话： （ 800 ） 366-2266
n
亚洲/太平洋网络C：
电话： + 81-44-844-8296传真+ 81-44-844-8298
n
欧洲：
电话： +44 （ 1344 ） 869 595传真：+ 44 （ 1344 ） 300 020
MA4AGSW2
SPDT铝镓砷PIN二极管开关
牧师V5
特点
超宽频带： 50 MHz至50 GHz的
功能性带宽： 50 MHz至70 GHz的
0.7分贝插入损耗
33分贝隔离在50 GHz的
低电流消耗
-10mA低损耗状态
+ 10毫安的隔离状态
M / A- COM技术的独特的AlGaAs
异质结阳极技术
氮化硅钝化
聚合物划伤保护
符合RoHS * 260℃回流焊
黄色区域表示焊垫
描述
该MA4AGSW2是一个铝镓砷化物，
单刀双掷（SPDT） ， PIN二极管开关。
开关功能增强的AlGaAs阳极上，
使用M / A- COM技术的专利异质形成
结技术。这种技术产生
具有比传统的砷化镓损失较少切换proc-
S弯。高达0.3 dB的衰减在插入
可在50GHz的实现损失。这些设备是
制作用的OMCVD外延晶片上
工艺设计的高均匀度的设备和
极低的寄生效应。二极管本身
表现出低的串联电阻，低电容，并
快速的开关速度。它们与完全钝化
氮化硅和有一个额外的聚合物层
对于划伤保护。所述保护性涂层
防止损坏二极管结和阳极
空气桥的处理和组装过程中。片外
偏置电路是必需的。
绝对最大额定值@ T
AMB
= +25°C
参数
工作温度
储存温度
事件C.W.射频功率
击穿电压
偏置电流
大会温度
结温
最大额定值
-55 ° C至+ 125°C
-55 ° C至+ 150°C
+ 23dBm的C.W.
25V
= 25毫安
+ 300℃ < 10秒
+175°C
应用
的AlGaAs及低的高电子迁移率
PIN二极管的电容，使该开关
理想的快速开关，高频率，多掷
开关设计。这些铝镓砷PIN开关的使用
在开关阵列雷达系统，辐射计，
测试设备等多装配康波
堂费。
最大组合操作条件射频功率，直流
偏置和温度： +23 dBm的CW @ 10 MA（每二极管） @
+85°C.
*对有害物质的限制，欧盟指令2002/95 / EC 。
1
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266
欧洲
联系电话： +353.21.244.6400
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
印度
联系电话： +91.80.43537383
中国
联系电话： +86.21.2407.1588
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
MA4AGSW2
SPDT铝镓砷PIN二极管开关
牧师V5
电气规格@ T
A
= 25℃ +/- 10毫安偏置电流
（在晶圆测量值）
RF连接特定的阳离子
参数
插入损耗
频带
0.05 - 18GHz的
18 - 50GHz的
0.05 - 18GHz的
18 - 50GHz的
0.05 - 18GHz的
18 - 50GHz的
0.05 - 18GHz的
18 - 50GHz的
10GHZ
民
---
---
45
28
---
---
---
---
---
典型值
0.5
0.7
47
33
22
21
25
22
20
最大
0.6
0.9
---
---
---
---
---
---
---
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
nS
隔离
输入回波损耗
输出回波损耗
开关速度
（10％ - 90％的射频电压）
*
*注意：
典型的开关速度从10 ％开始，到90％所检测的射频电压由一个TTL驱动的
兼容的驱动程序。驱动器输出并联RC网络使用390 pF的之间的电容 - 560 pF和
150之间的电阻 - 220欧姆达到20 ns上升时间和下降时间。
2
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266
欧洲
联系电话： +353.21.244.6400
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
印度
联系电话： +91.80.43537383
中国
联系电话： +86.21.2407.1588
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
MA4AGSW2
SPDT铝镓砷PIN二极管开关
牧师V5
典型R.F.性能（探测晶片） @ + 25°C
典型插入损耗@ -10毫安
0
-0.1
-0.2
-0.3
-0.4
-0.5
-0.6
-0.7
-0.8
-0.9
-1
0.00
10.00
20.00
30.00
40.00
50.00
IL （分贝）
频率（ GHz）的
J2
J3
典型的隔离@ 10毫安
0
-10
-20
ISOL （分贝）
-30
-40
-50
-60
-70
-80
0.00
10.00
20.00
30.00
40.00
50.00
频率（ GHz）的
J2
J3
3
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266
欧洲
联系电话： +353.21.244.6400
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
印度
联系电话： +91.80.43537383
中国
联系电话： +86.21.2407.1588
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
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初步：
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解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
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MA4AGSW2
SPDT铝镓砷PIN二极管开关
牧师V5
典型的射频性能（探测晶片） @ + 25°C
典型输出回波损耗@ -10毫安
0
-5
ORL （ dB）的
-10
-15
-20
-25
-30
0.00
10.00
20.00
30.00
40.00
50.00
频率（ GHz）的
J2
J3
典型的输入回波损耗@ -10毫安
0
-5
IRL （ dB）的
-10
-15
-20
-25
-30
0.00
5.00
10.00
15.00
20.00
25.00
30.00
35.00
40.00
45.00
50.00
频率（ GHz）的
J2
J3
4
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266
欧洲
联系电话： +353.21.244.6400
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
印度
联系电话： +91.80.43537383
中国
联系电话： +86.21.2407.1588
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
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初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
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MA4AGSW2
SPDT铝镓砷PIN二极管开关
牧师V5
在MA4AGSW2开关的操作
同时施加一个负的直流电流，以低损耗端口和正的直流电流提供给
是必需的MA4AGSW2 ，铝镓砷，PIN开关的操作其余隔离式开关端口。该
管芯的背面侧区域是RF和DC回接地层。直流回路连接到公共端口
J1 。正向偏置电压在J2 & J3将不超过± 1.6伏，并且通常为± 1.4伏的电源电流
± 30mA），口径。在低损耗状态，串联二极管必须是正向偏置和旁路二极管反向偏置。而
为隔离端口，该并联二极管是正向偏置的串联二极管被反向偏置。偏置网络
如下图所示应该产生> 30分贝射频到直流隔离设计。
可与M / A- COM技术的路线的AlGaAs交换机结合使用两种，完全集成的，基础广泛
带，单片，偏置网络，其可被用作替代建议的单个组件偏压
如下图所示的网络。请参阅数据表的
MA4BN1840-1
和
MA4BN1840-2
了解更多信息。
最低的插入损耗， P1dB为， IP
3
和开关速度是通过使用在直流电压上拉电阻器来实现
返回路径， （J1） 。的最小值| -2V |推荐这个节点的回报，这是可以实现的了
标准， ± 5V TTL控制PIN二极管驱动器。
MA4AGSW2原理与典型的外部2-18 GHz的偏置网络
典型的驱动器连接
控制层（直流电流）
J2
J3
-10mA
+10mA
5
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266
欧洲
联系电话： +353.21.244.6400
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
印度
联系电话： +91.80.43537383
中国
联系电话： +86.21.2407.1588
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
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初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
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RF输出状态
J2-J1
低损耗
隔离
J3-J1
隔离
低损耗
+10mA
-10mA
MA4AGSW2
SPDT铝镓砷PIN二极管开关
符合RoHS
特点
超宽频带： 50 MHz至50 GHz的
功能性带宽： 50 MHz至70 GHz的
0.7分贝插入损耗，
33分贝隔离在50 GHz的
低电流消耗。
-10mA低损耗状态
+ 10毫安的隔离状态
M / A - COM独特的AlGaAs异质结
V4版本
阳极技术。
氮化硅钝化
聚合物划伤保护
黄色区域表示焊垫
描述
M / A - COM的MA4AGSW2是铝镓
砷化镓，单刀双掷（SPDT） ， PIN二极管
开关。开关功能增强的AlGaAs阳极
它使用的是M / A- COM公司的专利异质形成
结技术。铝镓砷技术的产生
用更少的开关损耗比用设备制造
传统的砷化镓工艺。不亚于0.3分贝
可以在50千兆赫来实现减少插入损耗。
该装置被制成一个OMCVD外延晶片上
采用专为高均匀度的设备工艺
和极低的寄生效应。内部的二极管
芯片具有低的串联电阻，低电容，
和快速的开关速度。他们完全钝化
与氮化硅和有一个额外的聚合物
层的划伤保护。所述保护性涂层
防止损坏
搬运和组装期间
对
结二极管和芯片阳极空气桥。片外
偏置电路是必需的。
绝对最大额定值@ T
AMB
= +25°C
参数
工作温度
储存温度
事件C.W.射频功率
击穿电压
偏置电流
大会温度
结温
最大额定值
-55 ° C至+ 125°C
-55 ° C至+ 150°C
+ 23dBm的C.W.
25V
= 25毫安
+ 300℃ < 10秒
+175°C
应用
的AlGaAs及低的高电子迁移率
所使用的PIN二极管的电容使该开关
非常适合快速响应，高频率，多掷
开关设计。铝镓砷PIN二极管开关的
切换雷达系统阵列的理想选择，
辐射计，测试设备等多总成
组件。
最大组合操作条件射频功率，直流
偏置和温度： +23 dBm的CW @ 10 MA（每二极管） @
+85°C.
1
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
MA4AGSW2
SPDT铝镓砷PIN二极管开关
符合RoHS
V4版本
电气规格@ T
A
= 25℃ +/- 10毫安偏置电流
（在晶圆测量值）
RF连接特定的阳离子
参数
插入损耗
频带
0.05 - 18GHz的
18 - 50GHz的
0.05 - 18GHz的
18 - 50GHz的
0.05 - 18GHz的
18 - 50GHz的
0.05 - 18GHz的
18 - 50GHz的
10GHZ
民
---
---
45
28
---
---
---
---
---
典型值
0.5
0.7
47
33
22
21
25
22
20
最大
0.6
0.9
---
---
---
---
---
---
---
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
nS
隔离
输入回波损耗
输出回波损耗
开关速度
（10％ - 90％的射频电压）
*
*注意：
典型的开关速度从10 ％开始，到90％所检测的射频电压由一个TTL驱动的
兼容的驱动程序。驱动器输出并联RC网络使用390 pF的之间的电容 - 560 pF和
150之间的电阻 - 220欧姆达到20 ns上升时间和下降时间。
2
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
MA4AGSW2
SPDT铝镓砷PIN二极管开关
符合RoHS
典型R.F.性能（探测晶片） @ + 25°C
V4版本
典型插入损耗@ -10毫安
0
-0.1
-0.2
-0.3
-0.4
-0.5
-0.6
-0.7
-0.8
-0.9
-1
0.00
10.00
20.00
30.00
40.00
50.00
IL （分贝）
频率（ GHz）的
J2
J3
典型的隔离@ 10毫安
0
-10
-20
ISOL （分贝）
-30
-40
-50
-60
-70
-80
0.00
10.00
20.00
30.00
40.00
50.00
频率（ GHz）的
J2
3
J3
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MA4AGSW2
SPDT铝镓砷PIN二极管开关
符合RoHS
典型的射频性能（探测晶片） @ + 25°C
V4版本
典型输出回波损耗@ -10毫安
0
-5
ORL （ dB）的
-10
-15
-20
-25
-30
0.00
10.00
20.00
30.00
40.00
50.00
频率（ GHz）的
J2
J3
典型的输入回波损耗@ -10毫安
0
-5
IRL （ dB）的
-10
-15
-20
-25
-30
0.00
5.00
10.00
15.00
20.00
25.00
30.00
35.00
40.00
45.00
50.00
频率（ GHz）的
J2
J3
4
高级：
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北美
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MA4AGSW2
SPDT铝镓砷PIN二极管开关
符合RoHS
在MA4AGSW2开关的操作
同时施加一个负的直流电流，以低损耗端口和正的直流电流提供给
是必需的MA4AGSW2 ，铝镓砷，PIN开关的操作其余隔离式开关端口。该
管芯的背面侧区域是RF和DC回接地层。直流回路连接到公共端口
J1 。正向偏置电压在J2 & J3将不超过± 1.6伏，并且通常为± 1.4伏的电源电流
± 30mA），口径。在低损耗状态，串联二极管必须是正向偏置和旁路二极管反向偏置。而
为隔离端口，该并联二极管是正向偏置的串联二极管被反向偏置。偏置网络
如下图所示应该产生> 30分贝射频到直流隔离设计。
最低的插入损耗， P1dB为， IP
3
和开关速度是通过使用在直流电压上拉电阻器来实现
返回路径， （J1） 。的最小值| -2V |推荐这个节点的回报，这是可以实现的了
标准， ± 5V TTL控制PIN二极管驱动器。
V4版本
MA4AGSW2原理与典型的外部2-18 GHz的偏置网络
典型的驱动器连接
控制层（直流电流）
J2
J3
-10mA
+10mA
5
高级：
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北美
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欧洲
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和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
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RF输出状态
J2-J1
低损耗
隔离
J3-J1
隔离
低损耗
+10mA
-10mA
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QQ：2881677436 复制
