【MA41202C硅探测器二极管封装形式DO- 23描述：该MA41202C是高倦怠点接触二极管混频器】,IC型号MA41202C,MA41202C PDF资料,MA41202C经销商,ic,电子元器件-51电子网

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MA41202C

硅探测器二极管

封装形式DO- 23

描述：

该

MA41202C

是高倦怠

点接触二极管混频器。

最大额定值

I

V

P

DISS

T

J

T

英镑

O

O

20毫安

1.0 V

10

尔格

@ T

C

= 25 C

-55℃至+ 150℃

-55℃至+ 150℃

O

O

O

无

特征

符号

NF

C

L

V

SWR

Z

IF

f

范围

T

C

= 25 C

O

测试条件

总噪声系数

转换损耗

电压驻波比

最小典型最大

9.8

6.5

1.5

335

465

12.4

F = 9.375 GHz的

8.2

单位

dB

dB

---

GHz的

I

F

阻抗

N

IIF

= 1.5分贝

R

L

= 100

A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。

7525 ETHEL AVENUE

北好莱坞， CA 91605

(818) 982-1200

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