压敏电阻
MA3X028系列
（ MA28系列）
硅外延平面型
单位：mm
对于低电压和温度补偿
■
特点
极小的反向电流I
R
与平面结构，可靠性高
宽正向电压V
F
范围
1
0.40
+0.10
–0.05
3
0.16
+0.10
–0.06
1.50
+0.25
–0.05
2.8
+0.2
–0.3
2
(0.95) (0.95)
1.9
±0.1
2.90
+0.20
–0.05
10
1.1
+0.2
–0.1
参数
反向电压
峰值正向MA3X0280A / B
当前
MA3X028WA/WB
MA3X028TA/TB
功耗
结温
储存温度
符号
V
R
I
FM
等级
6
150
100
70
单位
V
mA
0-0.1
1.1
+0.3
–0.1
■
绝对最大额定值
T
a
= 25°C
(0.65)
EIAJ ： SC- 59
1 ：阳极
2 ：北卡罗来纳州
3 ：阴极
Mini3 -G1封装
P
D
T
j
T
英镑
150
125
55
to
+125
mW
°C
°C
标记符号
MA3X0280A
MA3X0280B
MA3X028WA
MA3X028WB
MA3X028TA
MA3X028TB
:
MD
:
ME
:
MF
:
MK
:
ML
:
MM
■
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
*1
参数
正向电压MA3X028WA / WB
MA3X028TA/TB
正向电压MA3X0280A
MA3X0280B
MA3X028WA
MA3X028WB
MA3X028TA
MA3X028TB
反向电流
温度
MA3X0280A/B
对COEF网络cient
MA3X028WA/B
*2
正向电压
MA3X028TA/B
I
R
V
F
/T
V
R
=
6 V
I
F
=
3毫安
2.0
4.6
6.5
I
F
=
3毫安
V
F2
I
F
=
1.5毫安
符号
V
F1
I
F
=
10
A
条件
民
0.77
1.15
0.56
0.59
1.18
1.26
1.76
1.88
0.61
0.64
1.28
1.36
1.92
2.04
1.0
A
毫伏/°C的
V
典型值
最大
单位
V
注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7031测量方法的二极管。
输入和输出的2.绝对频率为100兆赫
3. * 1：温度必须控制在25 ℃的V
F
测量。 V
F
在其他温度图的测量值必须被调整
到V
F
(25°C).
*2: T
j
=
25 ℃150 ℃的
注）括号内显示常规零件号的零件号。
出版日期： 2004年3月
SKB00003CED
0.4
±0.2
5
1
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
（ 1）出口许可证需要从日本政府（如果有）的主管当局获得的
下"Foreign交易所在这种材料中描述和控制的产品或技术信息
外贸Law"是要出口或带出日本。
（ 2 ）在本材料中描述的技术信息仅限于展示有代表性的特点和
该产品的应用电路的例子。它既不保证不侵犯知识产权
或拥有本公司或第三方，也没有授予任何许可的任何其他权利。
（ 3 ）我们不为权利所因使用该技术的第三方拥有的侵权责任
在本材料中描述的信息。
（4）在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或一般elec-
TRONIC设备（如办公设备，通讯设备，测量仪器及住户
持设备） 。
提前为下列应用程序的信息，请咨询我们的销售人员：
特殊应用（例如用于飞机，航天，汽车，交通控制设备， combus-
化设备，生命支持系统和安全装置），其中出色的质量和可靠性
必需的，或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或损害人类
体。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
（ 5 ）在本材料中描述的产品和产品规格如有变更，恕不另行通知
修改和/或改进。在您的设计，采购，或者使用的产品的最后阶段，
因此，要求最先进的最新产品标准提前，以确保最新的规范
系统蒸发散满足您的要求。
（ 6 ）在设计你的装备，顺应保证值，尤其是最大额定的
荷兰国际集团，工作电源电压，以及热辐射特性的范围内。否则，我们不会
对于可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用，考虑到发病的代价
分解和破坏模式，可能发生对半导体产品。在这样的制度措施
作为冗余设计，阻止火灾或防止毛刺的蔓延，建议为了防止
物理损伤，火灾，社会的损害，例如，通过使用产品。
（7 ）在使用的量防潮包装是必需的产品，观察的条件（包括货架寿命
和时间量，让站在密封的物品）约定，当规格表被单独
交换。
（ 8 ）该材料可不能转载或复制全部或部分，未经事先书面
松下电器产业株式会社许可
2003年九月
压敏电阻
MA3X028系列
（ MA28系列）
硅外延平面型
单位：mm
对于低电压和温度补偿
■
特点
极小的反向电流I
R
与平面结构，可靠性高
宽正向电压V
F
范围
1
0.40
+0.10
–0.05
3
0.16
+0.10
–0.06
1.50
+0.25
–0.05
2.8
+0.2
–0.3
2
(0.95) (0.95)
1.9
±0.1
2.90
+0.20
–0.05
10
1.1
+0.2
–0.1
参数
反向电压
峰值正向MA3X0280A / B
当前
MA3X028WA/WB
MA3X028TA/TB
功耗
结温
储存温度
符号
V
R
I
FM
等级
6
150
100
70
单位
V
mA
0-0.1
1.1
+0.3
–0.1
■
绝对最大额定值
T
a
= 25°C
(0.65)
EIAJ ： SC- 59
1 ：阳极
2 ：北卡罗来纳州
3 ：阴极
Mini3 -G1封装
P
D
T
j
T
英镑
150
125
55
to
+125
mW
°C
°C
标记符号
MA3X0280A
MA3X0280B
MA3X028WA
MA3X028WB
MA3X028TA
MA3X028TB
:
MD
:
ME
:
MF
:
MK
:
ML
:
MM
■
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
*1
参数
正向电压MA3X028WA / WB
MA3X028TA/TB
正向电压MA3X0280A
MA3X0280B
MA3X028WA
MA3X028WB
MA3X028TA
MA3X028TB
反向电流
温度
MA3X0280A/B
对COEF网络cient
MA3X028WA/B
*2
正向电压
MA3X028TA/B
I
R
V
F
/T
V
R
=
6 V
I
F
=
3毫安
2.0
4.6
6.5
I
F
=
3毫安
V
F2
I
F
=
1.5毫安
符号
V
F1
I
F
=
10
A
条件
民
0.77
1.15
0.56
0.59
1.18
1.26
1.76
1.88
0.61
0.64
1.28
1.36
1.92
2.04
1.0
A
毫伏/°C的
V
典型值
最大
单位
V
注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7031测量方法的二极管。
输入和输出的2.绝对频率为100兆赫
3. * 1：温度必须控制在25 ℃的V
F
测量。 V
F
在其他温度图的测量值必须被调整
到V
F
(25°C).
*2: T
j
=
25 ℃150 ℃的
注）括号内显示常规零件号的零件号。
出版日期： 2004年3月
SKB00003CED
0.4
±0.2
5
1
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
（ 1）出口许可证需要从日本政府（如果有）的主管当局获得的
下"Foreign交易所在这种材料中描述和控制的产品或技术信息
外贸Law"是要出口或带出日本。
（ 2 ）在本材料中描述的技术信息仅限于展示有代表性的特点和
该产品的应用电路的例子。它既不保证不侵犯知识产权
或拥有本公司或第三方，也没有授予任何许可的任何其他权利。
（ 3 ）我们不为权利所因使用该技术的第三方拥有的侵权责任
在本材料中描述的信息。
（4）在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或一般elec-
TRONIC设备（如办公设备，通讯设备，测量仪器及住户
持设备） 。
提前为下列应用程序的信息，请咨询我们的销售人员：
特殊应用（例如用于飞机，航天，汽车，交通控制设备， combus-
化设备，生命支持系统和安全装置），其中出色的质量和可靠性
必需的，或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或损害人类
体。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
（ 5 ）在本材料中描述的产品和产品规格如有变更，恕不另行通知
修改和/或改进。在您的设计，采购，或者使用的产品的最后阶段，
因此，要求最先进的最新产品标准提前，以确保最新的规范
系统蒸发散满足您的要求。
（ 6 ）在设计你的装备，顺应保证值，尤其是最大额定的
荷兰国际集团，工作电源电压，以及热辐射特性的范围内。否则，我们不会
对于可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用，考虑到发病的代价
分解和破坏模式，可能发生对半导体产品。在这样的制度措施
作为冗余设计，阻止火灾或防止毛刺的蔓延，建议为了防止
物理损伤，火灾，社会的损害，例如，通过使用产品。
（7 ）在使用的量防潮包装是必需的产品，观察的条件（包括货架寿命
和时间量，让站在密封的物品）约定，当规格表被单独
交换。
（ 8 ）该材料可不能转载或复制全部或部分，未经事先书面
松下电器产业株式会社许可
2003年九月
QQ：2881677436 复制
