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首字符M的型号第131页
> MA3U649
快恢复二极管( FRD )
MA3U649
硅平面型(阴极常见)
单位:mm
对于高频整流
I
特点
小U型封装表面贴装
具有快速反向恢复时间t低损耗型
rr
阴极常见的双类型
6.5
±
0.1
5.3
±
0.1
4.35
±
0.1
2.3
±
0.1
0.5
±
0.1
7.3
±
0.1
1.8
±
0.1
2.5
±
0.1
0.8最大。
0.93
±
0.1
1.0
±
0.1
0.1
±
0.05
0.5
±
0.1
I
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
反向重复峰值电压
非重复性峰值反向
浪涌电压
平均正向电流
*1
非重复性峰值正向
浪涌电流
*2
结温
储存温度
I
F( AV )
I
FSM
T
j
T
英镑
5
40
40
to
+150
40
to
+150
A
A
°C
°C
符号
V
RRM
V
RSM
等级
200
200
单位
V
V
1
0.75
±
0.1
2.3
±
0.1
4.6
±
0.1
2
3
1 :阳极
2 :阴极
(共同)
3 :阳极
U型套餐
注) 1. * 1:T
C
= 25°C
* 2 :半正弦波; 10毫秒/周期
I
电气特性
T
a
=
25°C
参数
反向重复峰值电流
符号
I
RRM1
I
RRM2
正向电压( DC)的
反向恢复
时间
*2
热阻
*1
V
F
t
rr
R
日(J -C )
条件
V
RRM
= 200 V,T
C
= 25°C
V
RRM
= 200 V,T
j
= 150°C
I
F
= 2.5 A,T
C
= 25°C
I
F
= 1 A,I
R
= 1 A
直流(结和外壳之间)
民
典型值
最大
20
2
0.98
30
12.5
单位
A
mA
V
ns
° C / W
注) 1.额定输入/输出频率: 200 MHz的
2. *1 : T
C
= 25°C
*2 : t
rr
测量电路
50
50
t
rr
I
F
D.U.T
5.5
I
R
0.1
×
I
R
1.0
±
0.2
1
MA3U649
I
F
V
F
10
1.6
1.4
快恢复二极管( FRD )
V
F
T
a
I
R
V
R
10
4
T
a
=
150°C
1
T
a
=
150°C
–20°C
10
3
正向电压V
F
(V)
正向电流I
F
(A)
10
1
100°C
25°C
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
I
F
=
5 A
反向电流I
R
(
A
)
10
2
100°C
10
2
10
25°C
2.5 A
1A
10
3
1
10
4
10
1
10
5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
40
10
2
0
40
80
120
160
200
0
50
100
150
200
250
300
正向电压V
F
(V)
环境温度T
a
(°C)
反向电压V
R
(V)
I
R
T
a
10 000
V
R
=
200 V
100 V
10 V
30
C
t
V
R
f
=
1兆赫
T
a
=
25°C
1 000
终端电容C
t
(PF )
反向电流I
R
(
A
)
20
100
10
10
1
0.1
40
0
0
40
80
120
160
200
0
50
100
150
200
250
300
环境温度T
a
(°C)
反向电压V
R
(V)
2
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MA3U649
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