SMD型
硅外延平面二极管
MA2ZV01
二极管
SOD-323
+0.1
1.7
-0.1
单位：mm
+0.05
0.3
-0.05
+0.05
0.85
-0.05
特点
良好的线性和大电容比用C
D- VR
关系
小编电阻r
D
S-迷你型封装，设备，使小型化，
通过带装自动插入
0.475
0.375
+0.1
2.6
-0.1
1.0max
A B S 0路忒米的个IM ü M R锡的s T A = 2 5
P一RA M E TE
V è RS电子V LTA克E（ D C ）
加利 TIO N TE米P·Eラ恩重
S到RA克éて米P·Eラ恩重
S YM BOL
V
R
T
j
T
s TG
伏鲁é
6
150
-5 5 + 1 5 0
加利IT
V
电气特性TA = 25
参数
反向电流（ DC ）
二极管电容
电容比
串联电阻*
注意：
1
2
额定输入/输出频率： 470 MHz的
*： RF测量仪器： YHP模型4191A RF阻抗分析仪
符号
I
R
C
D(1V)
C
D(3V)
C
D(1V)
/C
D(3V)
r
s
V
R
= 9 PF， F = 470 MHz的
条件
V
R
= 6 V
F = 1兆赫; V
R
= 1 V
F = 1兆赫; V
R
= 3 V
15
5
2.2
1.9
1
民
典型值
最大
10
17
7
单位
nA
pF
记号
记号
7X
+0.05
0.1
-0.02
+0.1
1.3
-0.1
www.kexin.com.cn
1
MA2ZV01
I
F
V
F
120
25°C
变容二极管
C
D
V
R
100
f
=
1兆赫
T
a
=
25°C
100
V
R
=
6 V
I
R
T
a
100
50
二极管电容C
D
（PF ）
正向电流I
F
（MA ）
80
T
a
=
60°C
40°C
30
20
60
10
反向电流I
R
（ nA的）
0
4
8 12 16 20 24 28 32 36 40
10
1
40
5
3
2
0.1
20
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1
0.01
0
20
40
60
80 100 120 140 160
正向电压V
F
(V)
反向电压V
R
(V)
环境温度T
a
(
°C
)
C
D
T
a
1.04
f
=
1兆赫
V
R
=
1 V
3V
1.03
C
D
(T
a
)
C
D
(T
a
=
25°C)
1.02
1.01
1.00
0.99
0.98
0
20
40
60
80
100
环境温度T
a
(
°C
)
2
产品speci fi cation
MA2ZV01
SOD-323
+0.1
1.7
-0.1
单位：mm
+0.05
0.3
-0.05
+0.05
0.85
-0.05
特点
良好的线性和大电容比用C
D- VR
关系
小编电阻r
D
S-迷你型封装，设备，使小型化，
通过带装自动插入
0.475
0.375
+0.1
2.6
-0.1
1.0max
A B S 0路忒米的个IM ü M R锡的s T A = 2 5
P一RA M E TE
V è RS电子V LTA克E（ D C ）
加利 TIO N TE米P·Eラ恩重
S到RA克éて米P·Eラ恩重
S YM BOL
V
R
T
j
T
s TG
伏鲁é
6
150
-5 5 + 1 5 0
加利IT
V
电气特性TA = 25
参数
反向电流（ DC ）
二极管电容
电容比
串联电阻*
注意：
1
2
额定输入/输出频率： 470 MHz的
*： RF测量仪器： YHP模型4191A RF阻抗分析仪
符号
I
R
C
D(1V)
C
D(3V)
C
D(1V)
/C
D(3V)
r
s
V
R
= 9 PF， F = 470 MHz的
条件
V
R
= 6 V
F = 1兆赫; V
R
= 1 V
F = 1兆赫; V
R
= 3 V
15
5
2.2
1.9
1
民
典型值
最大
10
17
7
单位
nA
pF
记号
记号
7X
+0.05
0.1
-0.02
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
+0.1
1.3
-0.1
1 1
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