开关二极管
MA2Z001
硅外延平面型
单位:mm
对于开关电路
■
特点
高击穿电压: V
R
=
200 V
小型终端电容C
t
适用于高密度安装
1.25
±0.1
0.35
±0.1
0.7
±0.1
1
0-0.1
1.7
±0.1
2.5
±0.2
■
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
反向电压
反向重复峰值电压
正向电流(平均值)
重复峰值正向电流
非重复性峰值正向
浪涌电流
*
结温
储存温度
注) * :T已
=
1 s
符号
V
R
V
RRM
I
F( AV )
I
FRM
I
FSM
T
j
T
英镑
等级
200
250
100
225
500
150
55
to
+150
单位
V
0.16
+0.1
–0.06
5
mA
mA
mA
°C
°C
1 :阳极
2 :阴极
EIAJ : SC- 76
SMini2 -F1套餐
标记符号: 1K
■
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
正向电压
反向电流
终端电容
反向恢复时间
*
符号
V
F
I
R
C
t
t
rr
V
R
=
200 V
V
R
=
0 V,F
=
1兆赫
I
F
=
I
R
=
10毫安
I
rr
=
1毫安,R
L
=
100
条件
I
F
=
百毫安
民
典型值
最大
1.2
1.0
3.0
60
单位
V
A
pF
ns
注) 1.测量方法是基于对二极管的日本工业标准JIS C 7031测量方法。
输入和输出的2.绝对频率为20MHz 。
3. *: t
rr
测量电路
偏置应用单位无- 50BU
t
r
10%
输入脉冲
t
p
t
I
F
t
rr
t
I
rr
=
1毫安
I
F
=
I
R
=
10毫安
R
L
=
100
输出脉冲
A
V
R
脉冲发生器
(PG-10N)
R
s
=
50
波形分析仪
(SAS-8130)
R
i
=
50
90%
t
p
=
2
s
t
r
=
0.35纳秒
δ =
0.05
(0.15)
V
0-0.1
0.4
±0.1
2
0.5
±0.1
5
出版日期: 2003年11月
SKF00016BED
1
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2003年九月