肖特基势垒二极管（ SBD ）
MA2SD32
硅外延平面型
单位：mm
超高速开关
■
特点
I
F（ AV ）
= 200毫安整改是可能的。
小反向电流：I
R
＆ LT ;
5
A
（在V
R
= 30 V)
0.80
±0.05
0.60
+0.05
–0.03
0.80
+0.05
–0.03
1
(0.60)
0.12
+0.05
–0.02
(0.80)
(0.60)
0.01
±0.01
5
■
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
反向电压
反向重复峰值电压
正向电流（平均值）
最大正向电流
非重复性峰值正向
浪涌电流
*
结温
储存温度
符号
V
R
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FM
I
FSM
T
j
T
英镑
等级
30
30
200
300
1
125
55
to
+125
单位
V
V
5
2
0.30
±0.05
0
+0
–0.05
0.01
±0.01
mA
mA
A
°C
°C
1 ：阳极
2 ：阴极
SSMini2 -F1套餐
标记符号： 8H
注）* ：在50赫兹的正弦波的一个周期的峰 - 峰值（不重复）
■
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
反向电流
符号
I
R1
I
R2
正向电压
终端电容
反向恢复时间
*
V
F
C
t
t
rr
V
R
=
10 V
V
R
=
30 V
I
F
=
200毫安
V
R
=
0 V，F
=
1兆赫
I
F
=
I
R
=
百毫安
I
rr
=
10毫安，R
L
=
100
0.49
25
2
条件
民
典型值
最大
0.5
5
0.56
V
pF
ns
单位
A
注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7031测量方法的二极管。
2.本产品是电击（静电等）敏感。应有的重视，必须对人体的电荷支付
和电流的泄漏从操作设备。
输入和输出的3绝对频率为250兆赫
4. *: t
rr
测量电路
偏股申请（N - 50BU ）
t
r
输入脉冲
t
p
10%
t
I
F
输出脉冲
t
rr
t
I
rr
=
10毫安
I
F
=
百毫安
I
R
=
百毫安
R
L
=
100
脉冲发生器
(PG-10N)
R
s
=
50
A
电波表
分析仪
（ SAS - 8130 ）V
R
R
i
=
50
90%
t
p
=
2
s
t
r
=
0.35纳秒
δ =
0.05
出版日期： 2003年10月
SKH00132AED
(0.15)
1.20
+0.05
–0.03
1.60
±0.05
1
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
（ 1）出口许可证需要从日本政府（如果有）的主管当局获得的
下"Foreign交易所在这种材料中描述和控制的产品或技术信息
外贸Law"是要出口或带出日本。
（ 2 ）在本材料中描述的技术信息仅限于展示有代表性的特点和
该产品的应用电路的例子。它既不保证不侵犯知识产权
或拥有本公司或第三方，也没有授予任何许可的任何其他权利。
（ 3 ）我们不为权利所因使用该技术的第三方拥有的侵权责任
在本材料中描述的信息。
（4）在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或一般elec-
TRONIC设备（如办公设备，通讯设备，测量仪器及住户
持设备） 。
提前为下列应用程序的信息，请咨询我们的销售人员：
特殊应用（例如用于飞机，航天，汽车，交通控制设备， combus-
化设备，生命支持系统和安全装置），其中出色的质量和可靠性
必需的，或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或损害人类
体。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
（ 5 ）在本材料中描述的产品和产品规格如有变更，恕不另行通知
修改和/或改进。在您的设计，采购，或者使用的产品的最后阶段，
因此，要求最先进的最新产品标准提前，以确保最新的规范
系统蒸发散满足您的要求。
（ 6 ）在设计你的装备，顺应保证值，尤其是最大额定的
荷兰国际集团，工作电源电压，以及热辐射特性的范围内。否则，我们不会
对于可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用，考虑到发病的代价
分解和破坏模式，可能发生对半导体产品。在这样的制度措施
作为冗余设计，阻止火灾或防止毛刺的蔓延，建议为了防止
物理损伤，火灾，社会的损害，例如，通过使用产品。
（7 ）在使用的量防潮包装是必需的产品，观察的条件（包括货架寿命
和时间量，让站在密封的物品）约定，当规格表被单独
交换。
（ 8 ）该材料可不能转载或复制全部或部分，未经事先书面
松下电器产业株式会社许可
2003年九月
肖特基势垒二极管（ SBD ）
MA2SD32
硅外延平面型
单位：mm
超高速开关
■
特点
I
F（ AV ）
= 200毫安整改是可能的。
小反向电流：I
R
＆ LT ;
5
A
（在V
R
= 30 V)
0.80
±0.05
0.60
+0.05
–0.03
0.80
+0.05
–0.03
1
(0.60)
0.12
+0.05
–0.02
(0.80)
(0.60)
0.01
±0.01
5
■
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
反向电压
反向重复峰值电压
正向电流（平均值）
最大正向电流
非重复性峰值正向
浪涌电流
*
结温
储存温度
符号
V
R
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FM
I
FSM
T
j
T
英镑
等级
30
30
200
300
1
125
55
to
+125
单位
V
V
5
2
0.30
±0.05
0
+0
–0.05
0.01
±0.01
mA
mA
A
°C
°C
1 ：阳极
2 ：阴极
SSMini2 -F1套餐
标记符号： 8H
注）* ：在50赫兹的正弦波的一个周期的峰 - 峰值（不重复）
■
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
反向电流
符号
I
R1
I
R2
正向电压
终端电容
反向恢复时间
*
V
F
C
t
t
rr
V
R
=
10 V
V
R
=
30 V
I
F
=
200毫安
V
R
=
0 V，F
=
1兆赫
I
F
=
I
R
=
百毫安
I
rr
=
10毫安，R
L
=
100
0.49
25
2
条件
民
典型值
最大
0.5
5
0.56
V
pF
ns
单位
A
注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7031测量方法的二极管。
2.本产品是电击（静电等）敏感。应有的重视，必须对人体的电荷支付
和电流的泄漏从操作设备。
输入和输出的3绝对频率为250兆赫
4. *: t
rr
测量电路
偏股申请（N - 50BU ）
t
r
输入脉冲
t
p
10%
t
I
F
输出脉冲
t
rr
t
I
rr
=
10毫安
I
F
=
百毫安
I
R
=
百毫安
R
L
=
100
脉冲发生器
(PG-10N)
R
s
=
50
A
电波表
分析仪
（ SAS - 8130 ）V
R
R
i
=
50
90%
t
p
=
2
s
t
r
=
0.35纳秒
δ =
0.05
出版日期： 2003年10月
SKH00132AED
(0.15)
1.20
+0.05
–0.03
1.60
±0.05
1
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
（ 1）出口许可证需要从日本政府（如果有）的主管当局获得的
下"Foreign交易所在这种材料中描述和控制的产品或技术信息
外贸Law"是要出口或带出日本。
（ 2 ）在本材料中描述的技术信息仅限于展示有代表性的特点和
该产品的应用电路的例子。它既不保证不侵犯知识产权
或拥有本公司或第三方，也没有授予任何许可的任何其他权利。
（ 3 ）我们不为权利所因使用该技术的第三方拥有的侵权责任
在本材料中描述的信息。
（4）在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或一般elec-
TRONIC设备（如办公设备，通讯设备，测量仪器及住户
持设备） 。
提前为下列应用程序的信息，请咨询我们的销售人员：
特殊应用（例如用于飞机，航天，汽车，交通控制设备， combus-
化设备，生命支持系统和安全装置），其中出色的质量和可靠性
必需的，或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或损害人类
体。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
（ 5 ）在本材料中描述的产品和产品规格如有变更，恕不另行通知
修改和/或改进。在您的设计，采购，或者使用的产品的最后阶段，
因此，要求最先进的最新产品标准提前，以确保最新的规范
系统蒸发散满足您的要求。
（ 6 ）在设计你的装备，顺应保证值，尤其是最大额定的
荷兰国际集团，工作电源电压，以及热辐射特性的范围内。否则，我们不会
对于可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用，考虑到发病的代价
分解和破坏模式，可能发生对半导体产品。在这样的制度措施
作为冗余设计，阻止火灾或防止毛刺的蔓延，建议为了防止
物理损伤，火灾，社会的损害，例如，通过使用产品。
（7 ）在使用的量防潮包装是必需的产品，观察的条件（包括货架寿命
和时间量，让站在密封的物品）约定，当规格表被单独
交换。
（ 8 ）该材料可不能转载或复制全部或部分，未经事先书面
松下电器产业株式会社许可
2003年九月
QQ：2880707522 复制
