肖特基势垒二极管( SBD )
MA2H735
硅外延平面型
单位:mm
对于开关电路
3.2
±
0.1
0 0.05
小而薄的半新的小功率封装
允许下(我要纠正
F( AV )
= 1 )条件
低V
F
(正向电压)类型: V
F
& GT ;
0.5 V
(在
I
F
= 1 A)
1.9
±
0.1
2
1
参数
反向电压(DC)的
反向重复峰值电压
平均正向电流
非重复性峰值正向
浪涌电流
*
结温
储存温度
符号
V
R
V
RRM
I
F( AV )
I
FSM
T
j
T
英镑
等级
30
30
1
30
125
40
to
+125
单位
V
V
A
A
°C
°C
0.25
0.05
0.9
±
0.2
3.8
±
0.2
0.9
±
0.2
1 :阳极
2 :阴极
半新的小功率封装
标识标志:
注)* :在50赫兹的正弦波的一个周期的峰 - 峰值
(不重复)
I
电气特性
T
a
=
25°C
参数
反向电流( DC )
正向电压( DC)的
终端电容
反向恢复时间
*
符号
I
R
V
F
C
t
t
rr
V
R
= 30 V
I
F
= 1 A
V
R
= 10 V , F = 1兆赫
I
F
= I
R
= 100毫安
I
rr
= 0.1 · I
R
, R
L
= 100
50
30
条件
民
典型值
最大
1
0.50
单位
mA
V
pF
ns
注) 1.额定输入/输出频率: 20MHz的
2. * : t
rr
测量仪
偏置应用单位无- 50BU
t
r
输入脉冲
t
p
10%
t
I
F
输出脉冲
t
rr
t
I
rr
=
0.1 · I
R
I
F
=
百毫安
I
R
=
百毫安
R
L
=
100
A
V
R
脉冲发生器
(PG-10N)
R
s
=
50
W.F.Analyzer
(SAS-8130)
R
i
=
50
90%
t
p
=
2
s
t
r
=
0.35纳秒
δ =
0.05
1.85
±
0.2
+
0.1
I
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
1.0
±
0.2
I
特点
1