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变容二极管

MA26V03

硅外延平面型

单位：mm

对于VCO

■

特点

良好的线性和大电容比用C

关系

小编电阻r

通过这种低电容高频型

1.00

±0.05

0.60

±0.05

0.39

+0.01

0.03

0.25

±0.05

0.50

±0.05

0.25

±0.05

■

绝对最大额定值

25°C

参数

反向电压

结温

储存温度

符号

英镑

等级

125

+125

单位

°C

0.65

±0.01

0.05

±0.03

1 ：阳极

2 ：北卡罗来纳州

3 ：阴极

ML3 -N2套餐

标记符号： 2F

■

电气特性

25°C

3°C

参数

反向电流

二极管电容

符号

D1V

D4V

电容比

串联电阻

D1V

/ C

D4V

4 V，F

470兆赫

5 V

1 V，F

1兆赫

4 V，F

1兆赫

5.20

2.10

2.1

条件

民

典型值

最大

5.80

2.58

2.6

0.3

单位

注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7031测量方法的二极管。

输入和输出的2.绝对频率为470兆赫。

3. * ：测量仪器： YHP模型4191A RF阻抗分析仪

0.15

±0.05

0.05

±0.03

0.35

±0.01

出版日期： 2003年11月

SKD00074CED

MA26V03

120

1兆赫

= 25°C

1.032

1兆赫

100

二极管电容C

（PF ）

正向电流I

（MA ）

1.024

1 V

60°C

40°C

25°C

)

= 25

°C

)

1.016

1.008

1.000

0.992

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

0.984

正向电压V

(V)

反向电压V

(V)

环境温度T

(

°C

)

5 V

反向电流I

（ nA的）

120

环境温度T

(

°C

)

SKD00074CED

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并在此材料中描述的半导体

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下"Foreign交易所在这种材料中描述和控制的产品或技术信息

外贸Law"是要出口或带出日本。

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在本材料中描述的信息。

（4）在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或一般elec-

TRONIC设备（如办公设备，通讯设备，测量仪器及住户

持设备）。

提前为下列应用程序的信息，请咨询我们的销售人员：

特殊应用（例如用于飞机，航天，汽车，交通控制设备， combus-

化设备，生命支持系统和安全装置），其中出色的质量和可靠性

必需的，或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或损害人类

体。

任何应用程序比预期的标准应用程序等。

（ 5 ）在本材料中描述的产品和产品规格如有变更，恕不另行通知

修改和/或改进。在您的设计，采购，或者使用的产品的最后阶段，

因此，要求最先进的最新产品标准提前，以确保最新的规范

系统蒸发散满足您的要求。

（ 6 ）在设计你的装备，顺应保证值，尤其是最大额定的

荷兰国际集团，工作电源电压，以及热辐射特性的范围内。否则，我们不会

对于可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。

即使产品的保证值范围内使用，考虑到发病的代价

分解和破坏模式，可能发生对半导体产品。在这样的制度措施

作为冗余设计，阻止火灾或防止毛刺的蔓延，建议为了防止

物理损伤，火灾，社会的损害，例如，通过使用产品。

（7 ）在使用的量防潮包装是必需的产品，观察的条件（包括货架寿命

和时间量，让站在密封的物品）约定，当规格表被单独

交换。

（ 8 ）该材料可不能转载或复制全部或部分，未经事先书面

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2003年九月

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