RF功率放大器IC
2.4 GHz的ISM
MA02303GJ
特点
完美支持802.11b ， HOP ， SWAP ， HomeRF的，
蓝牙， WDECT ， MDS ， MMDS
单正电源
功率附加效率高达55％
IP
3
= +43 dBm的
输出功率26.5 dBm的@ 3.3 V
输出功率28.5 dBm的@ 5.0 V
100 ％的占空比
2200年至2600年MHz工作
8引脚MSOP全部下沉塑料包装
工作在电源电压范围宽
自对准MSAG
-Lite MESFET工艺
功能原理图
销1
引脚8
描述
该MA02303GJ是基于RF功率放大器
M / A - COM的自对准MSAG
MESFET工艺。
本产品设计用于2.4 GHz的ISM
产品。对于增压器应用，它具有低
权力“旁路”模式和输出功率控制
引脚配置
针
1
2
3
4
V
D1
RF
IN
/ V
G1
GND
V
G2
V
G3
GND
RF
OUT
/ V
D3
V
D2
功能
描述
漏极电压，第一阶段
RF输入和漏极
电压为第一阶段
地
栅极偏置电压，
第二阶段
栅极偏置电压，
第三阶段
地
RF输出和漏
电压为第三阶段
漏极电压为
第二阶段
订购信息
产品型号
MA02303GJ-R7
MA02303GJ-R13
MA02303GJ-SMB
描述
7英寸， 1000件卷轴
13英寸， 3000件卷轴
抽样检验局
5
6
7
8
包底部是电和热的地面
绝对最大额定值
1
等级
直流电源电压
RF输入功率
结温
储存温度
工作温度
湿气敏感度
符号
V
DD
P
IN
T
J
T
英镑
T
OPER
价值
5.5
10
150
-40到+150
-40至+100
单位
V
mW
°C
°C
°C
JEDEC 1级
1.除了这些限制，则可能会损坏设备或设备的可靠性
减少。在绝对最大额定条件下的功能操作
不是暗示。
射频功率放大器IC，适用于2.4 GHz的ISM
MA02303GJ
电气规格： V
DD
= +3.3 V，P
IN
= -2 dBm时，占空比为100 ％ ，
T
S
= 37 ℃（注1 ） ，在图11所示的评价板进行测量。
特征
频带
输出功率，
= 2450兆赫
功率附加效率，
= 2450兆赫
目前，
= 2450兆赫
电流线性运算，
= 2450兆赫，
P
IN
调整后的P
OUT
= 20.0 dBm的+/- 0.2 dBm的
符号
P
OUT
η
I
DD
I
DD
分钟。
2400
25.3
典型值。
马克斯。
2500
单位
兆赫
DBM
%
26.5
51
265
—
415
415
mA
mA
增益，
= 2450兆赫，
P
IN
调整后的P
OUT
= 20.0 dBm的+/- 0.2 dBm的
G
29.5
dB
谐波，
= 2450兆赫
输入电压驻波比，
= 2450兆赫
关断隔离
(V
DD
=0 V)
热阻，结到封装底部
三阶截点
负载不匹配
(V
DD
= 5.5 V ， VSWR = 8 ： 1 ，P
IN
= 0 dBm的）
稳定性（P
IN
= -2到2 dBm时， V
DD
= 0-5.5伏，负载电压驻波比= 5:1 ，
所有阶段）
2, 3, 4
—
—
R
TH
IP
3
—
—
-40
—
40
25
43
2.0:1
dBc的
—
dB
° C / W
DBM
在输出功率不降低
所有非谐波相关产出更多
超过60分贝以下所需的信号
1. T
S
是在该IC的底部下沉桨的焊接点处测量的温度。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
n
北美：
电话： （ 800 ） 366-2266
n
亚洲/太平洋网络C：
电话： + 81-44-844-8296传真+ 81-44-844-8298
n
欧洲：
电话： +44 （ 1344 ） 869 595传真：+ 44 （ 1344 ） 300 020
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
2
射频功率放大器IC，适用于2.4 GHz的ISM
典型特征
（从工艺设备的额定测量数据）
输出功率大，漏电流和
效率与输入功率
60
300
12
V
MA02303GJ
输出功率和漏极电流与输入
功率低电流“旁路”模式
(V
DD1,2
= 3.3 V, V
DD3
= 0.0 V)
300
DD1, 2
= 3.3 V, V
（ dBm的） ， PAE （％）
（ dBm的） ， PAE （％）
50
I
250
DD
10
8
6
4
2
0
-10
PAE
P
DD3
= 0.0 V
F = 2450 MHz的
250
（MA ）
30
20
10
0
-10
PAE
P
V
DD1, 2, 3
150
100
= 3.3 V
OUT
B
B
I
DD
I
100
50
-5
0
0
5
OUT
P
F = 2450 MHz的
-5
0
0
5
P（ dBm的）
IN
P
50
OUT
P（ dBm的）
IN
输出功率大，漏电流和效率
- 电源电压
60
0.35
PAE
输出功率大，漏电流和效率
与V
DD1
对于电源控制
30
25
600
500
P
OUT
（ dBm的） ， PAE （％）
50
40
0.30
(A)
P
（ dBm的）
0.25
OUT
20
15
10
5
0
0.0
0.5
I
I
DD1
DD2
400
300
200
100
I
DD
0.20
0.15
0.10
5
0.05
OUT
OUT
P
P
10
0
1
IN
= -2 dBm的
P
P
20
OUT
PAE
I
DD
F = 2450 MHz的
2
3
4
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
P（ dBm的）
IN
V
DD1
(V)
输出功率，输入回波损耗和
效率与频率
60
0
-5
35
30
输出功率和漏极电流与
温度在V
DD
= +3.0 V
350
300
250
I
P
P
V
IN
DD
（ dBm的） ， PAE （％）
50
40
30
20
10
0
2200
P = - 2 dBm的
IN
IRL
B
（ dB）的
OUT
20
15
10
5
0
-50
= - 2 dBm的
- 3.0 V
200
150
OUT
-15
-20
IRL
P
OUT
OUT
100
50
0
S
P
V
DD
= 3.3 V
-25
2400
2500
-30
2600
DD
F = 2450 MHz的
2300
频率（MHz）
温度， T（℃）
o
50
0
100
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
n
北美：
电话： （ 800 ） 366-2266
n
亚洲/太平洋网络C：
电话： + 81-44-844-8296传真+ 81-44-844-8298
n
欧洲：
电话： +44 （ 1344 ） 869 595传真：+ 44 （ 1344 ） 300 020
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
3
I
DD
（MA ）
PAE
P
-10
B
（ dBm的）
25
I
DD1
,I
I
DD2
30
B
DD
（MA ）
I
DD
OUT
DD
150
（MA ）
40
200
200
射频功率放大器IC，适用于2.4 GHz的ISM
典型特征（续）
（从工艺设备的额定测量数据）
输出功率和漏极电流与
温度在V
DD
= +3.2 V
35
30
350
300
35
30
MA02303GJ
输出功率和漏极电流与
温度在V
DD
= +3.6V
350
300
250
I
P
P
V
IN
DD
（ dBm的）
（MA ）
（ dBm的）
25
20
15
10
5
0
-50
P
V
IN
250
I
P
= - 2 dBm的
- 3.2 V
DD
25
20
15
10
5
0
-50
= - 2 dBm的
- 3.6 V
200
150
200
150
OUT
OUT
DD
P
100
50
0
S
P
OUT
OUT
I
100
50
0
S
DD
DD
F = 2450 MHz的
F = 2450 MHz的
50
o
0
100
50
o
0
100
温度， T（℃）
温度， T（℃）
谐波
最大工作温度（ TS ） ，以
保持<150 ° C的结温。
6
0
= 2 4 5 0 M·H
V
D D
30
OUT
25
20
15
P
OUT
（ dBm的）
10
5
0
-5
-1 0
-1 5
-2 0
0
20
30
P
IN
= -2 D B米
= 3 .3 V
5
4
3
2
1
0
-50
0
50
100
o
S
P
DISS
（W） =我
DD
*V
DD3
-P
40
150
温度T（℃ ）
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
n
北美：
电话： （ 800 ） 366-2266
n
亚洲/太平洋网络C：
电话： + 81-44-844-8296传真+ 81-44-844-8298
n
欧洲：
电话： +44 （ 1344 ） 869 595传真：+ 44 （ 1344 ） 300 020
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
4
I
DD
（MA ）
B
B
射频功率放大器IC，适用于2.4 GHz的ISM
机械数据
MA02303GJ
图11组件布局和印刷电路评估板画（ 60万GETEK
板） 。
应用信息
+V
DD
T7
R1
T1
C1
T2
L1
T3
C2
C3
C4
3
8
T8
L2
1
RF
IN
RF
OUT
T5
C5
T6
C6
2
7
3
6
T4
4
5
全下沉桨
登上地面
图12评估板电路图
组件列表
分立器件
输电线路长度*
C 1 - C 4 = 100pF的多层瓷介片状电容器
（介电实验室C11AH101K5TXL ）
C5 = 2.0 pF的多层瓷介片状电容器
（介电实验室C11AH2R0BTXL ）
C6 = 1.2 pF的多层瓷介片状电容器
（介电实验室C11AH1R2B5TXL ）
R1 = 300
片式电阻器（ P300ECT -ND ）
L1 = 1.8 nH的片式电感器（东光TKS235CT -ND ）
L2 = 27 nH的片式电感器（的Coilcraft 1008CS - 270XKBB ）
T1 = 0.15"
T2 = 0.21"
T3 = 0.11" （不是很严重）
T4 = 0.16"
T5 = 0.13"
T6 = 0.16"
T7 = 0.13" （不是很严重）
T8 = 0.077" （不是很严重）
T1，T2， T3 ，T5，T6是0.077"宽
T4，T7和T8是0.026"宽
*该板的材料是0.060"的FR-4 （距离为射频和GND之间），其介电常数
约4.3 （标准的FR -4）的
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
n
北美：
电话： （ 800 ） 366-2266
n
亚洲/太平洋网络C：
电话： + 81-44-844-8296传真+ 81-44-844-8298
n
欧洲：
电话： +44 （ 1344 ） 869 595传真：+ 44 （ 1344 ） 300 020
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
5
RF功率放大器IC
对于2.5 GHz的ISM
特点
完美的2.4 GHz无绳DECT （ WDECT ）
单正电源
功率附加效率高达55％
IP
3
= +43 dBm的
输出功率26.5 dBm的@ 3.3 V
输出功率28.5 dBm的@ 5.0 V
100 ％的占空比
2200年至2600年MHz工作
8引脚MSOP全部下沉塑料包装
工作在电源电压范围宽
自对准MSAG
-Lite MESFET工艺
MA02303GJ
V7
功能原理图
销1
引脚8
描述
该MA02303GJ是基于RF功率放大器
M / A - COM的自对准MSAG
MESFET工艺。
本产品设计用于2.4 GHz的ISM
产品。对于增压器应用，它具有低
权力“旁路”模式和输出功率控制通过
V
DD1
.
引脚配置
1
针
1
2
3
4
5
功能
V
D
1
RF
IN
/ V
G
1
GND
V
G
2
V
G
3
GND
RF
OUT
/ V
D
3
V
D
2
描述
漏极电压，第一阶段
RF输入和漏极
电压为第一阶段
地
栅极偏置电压，
第二阶段
栅极偏置电压，
第三阶段
地
RF输出和漏
电压为第三阶段
漏极电压为
第二阶段
订购信息
产品型号
MA02303GJ-R7
MA02303GJ-R13
MA02303GJ-SMB
描述
7英寸， 1000件卷轴
13英寸， 3000件卷轴
样品测试主板（ 5样品）
6
7
8
1.包装底部是电和热的地面。
绝对最大额定值
2
等级
直流电源电压
RF输入功率
结温
存储温度范围
工作温度范围
湿气敏感度
符号
V
DD
P
IN
T
J
T
英镑
T
OPER
价值
5.5 V
10兆瓦
150°C
-40 ° C至+ 150°C
-40 ° C至+ 100°C
JEDEC 1级
2.除了这些限制，则可能会损坏设备或装置
可靠性降低。 AT绝对功能操作
最大额定条件是不是暗示。
1
M / A - COM公司及其附属公司保留随时更改的权利
产品（S ）或包含，恕不另行通知信息。 M / A- COM使
关于是否适合任何保证，声明或保证其
产品用于任何特定目的，也没有M / A - COM承担任何责任
由此产生的任何产品（S）的使用或应用的任何或
信息。
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
RF功率放大器IC
对于2.5 GHz的ISM
在图11中所示的评估板。
特征
频带
输出功率， = 2450 MHz的
功率附加效率， = 2450 MHz的
目前， = 2450 MHz的
电流线性运算， = 2450MHz的
增益， = 2450 MHz的线性操作
谐波， = 2450 MHz的
输入电压驻波比， = 2450MHz的
截止隔离（ V
DD
=0 V)
噪声系数， = 2450 MHz的
热阻，结到封装底部
三阶截点
(
1
= 2450兆赫，
2
= 2451兆赫，P
IN
= -20 dBm的SCL ）
负载不匹配（V
DD
= 5.5 V ， VSWR = 8 ： 1 ，P
IN
= 0 dBm的）
稳定性
(P
IN
= -2到2 dBm时， V
DD
= 0到-5.5伏，负载电压驻波比= 5 ：1，所有阶段）
R
TH
IP
3
—
—
MA02303GJ
V7
电气连接特定的阳离子：
V
DD
= +3.3 V，P
IN
= -2 dBm时，占空比为100 ％ ，T
S
= 37 °C
3
，测量
符号
P
OUT
h
I
DD
I
DD
G
2, 3, 4
—
—
dB
dBc的
比
dB
dB
° C / W
DBM
单位
兆赫
DBM
%
mA
分钟。
2400
25.3
43
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
—
26.5
51
265
265
29.5
-40
—
40
3.6
25
43
马克斯。
2500
—
—
415
—
—
-30
2.0:1
—
—
—
—
在输出功率不降低
所有非谐波相关输出
所需信号低于60dB以上
3. T
S
是在该IC的底部下沉桨的焊接点处测量的温度。
MSOP - 8EP （下沉铅）
2
M / A - COM公司及其附属公司保留随时更改的权利
产品（S ）或包含，恕不另行通知信息。 M / A- COM使
关于是否适合任何保证，声明或保证其
产品用于任何特定目的，也没有M / A - COM承担任何责任
由此产生的任何产品（S）的使用或应用的任何或
信息。
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
RF功率放大器IC
对于2.5 GHz的ISM
典型特征
（从工艺设备的额定测量数据）
输出功率大，漏电流和效率
随输入功率
60
300
MA02303GJ
V7
输出功率和漏电流与输入功率为
低电流“旁路”模式（V
DD1,2
= 3.3 V,
V
DD3
= 0.0 V)
12
300
V
DD1, 2
（ dBm的） ， PAE （％）
（ dBm的） ， PAE （％）
50
40
30
20
10
0
-10
PAE
P
V
DD1, 2, 3
250
I
DD
10
8
6
4
2
0
-10
PAE
P
= 3.3 V, V
DD3
= 0.0 V
F = 2450 MHz的
250
（MA ）
150
100
= 3.3 V
OUT
I
DD
I
100
50
-5
0
0
5
OUT
P
F = 2450 MHz的
-5
P（ dBm的）
IN
0
0
5
P
50
OUT
P（ dBm的）
IN
输出功率大，漏电流和效率 -
电源电压
60
0.35
PAE
输出功率大，漏电流和效率与V
DD1
对于电源控制
30
25
600
500
P
OUT
DD1
DD2
（ dBm的） ， PAE （％）
50
40
30
20
10
0
1
P
IN
0.30
（ dBm的）
DD
DD
OUT
OUT
= -2 dBm的
P
PAE
OUT
P
I
F = 2450 MHz的
DD
0.10
5
0.05
5
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
100
0
2
P（ dBm的）
IN
3
4
V
DD1
(V)
输出功率，输入回波损耗和效率
与频率的关系
60
0
-5
输出功率和漏极电流与温度的关系
在V
DD
= +3.0 V
35
30
350
300
250
I
P
P
V
IN
DD
（ dBm的） ， PAE （％）
50
40
30
20
10
0
2200
P = - 2 dBm的
IN
（ dBm的）
IRL （ dB）的
OUT
20
15
10
5
0
-50
= - 2 dBm的
- 3.0 V
200
150
100
50
OUT
-15
-20
IRL
OUT
P
V
DD
= 3.3 V
-25
2400
2500
-30
2600
P
OUT
DD
F = 2450 MHz的
2300
0
S
频率（MHz）
温度， T（℃）
o
50
0
100
3
M / A - COM公司及其附属公司保留随时更改的权利
产品（S ）或包含，恕不另行通知信息。 M / A- COM使
关于是否适合任何保证，声明或保证其
产品用于任何特定目的，也没有M / A - COM承担任何责任
由此产生的任何产品（S）的使用或应用的任何或
信息。
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
亚洲/太平洋地区
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I
DD
（MA ）
PAE
P
-10
25
I
0.15
DD1
P
10
200
,I
0.20
I
DD2
OUT
I
(A)
P
0.25
20
15
400
300
I
（MA ）
I
I
DD
OUT
DD
150
（MA ）
200
200
RF功率放大器IC
对于2.5 GHz的ISM
典型特征（续）
（从工艺设备的额定测量数据）
输出功率和漏极电流与温度的关系
在V
DD
= +3.2 V
35
30
350
300
MA02303GJ
V7
输出功率和漏极电流与温度的关系
在V
DD
= +3.6V
35
30
350
300
250
I
P
P
V
IN
DD
（ dBm的）
（ dBm的）
25
20
15
10
5
0
-50
P
V
IN
250
25
20
15
10
5
0
-50
= - 2 dBm的
- 3.6 V
（MA ）
I
P
= - 2 dBm的
- 3.2 V
DD
200
150
100
50
200
150
100
50
OUT
OUT
DD
P
P
OUT
I
OUT
DD
DD
F = 2450 MHz的
F = 2450 MHz的
0
S
50
o
0
100
0
S
50
o
0
100
温度， T（℃）
温度， T（℃）
谐波
最大工作温度（ TS ），以维持
<150 ° C的结温。
6
P
V
IN
30
0
= 2 45 0M ^ h
D D
OUT
25
20
15
P
OUT
（ dBm的）
10
5
0
-5
-1 0
-1 5
-2 0
0
20
30
= -2 D B米
= 3 .3 V
5
4
3
2
1
0
-50
0
50
S
P
DISS
（W） =我
DD
*V
DD3
-P
40
温度T（℃ ）
o
100
150
4
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I
DD
（MA ）
RF功率放大器IC
对于2.5 GHz的ISM
机械数据
MA02303GJ
V7
图11组件布局及评估电路板印刷电路图纸（ 60万GETEK板） 。
应用信息
+V
DD
T7
C3
1
C2
C4
3
8
T8
L2
RF
IN
T1
C1
T2
L1
R1
T3
RF
OUT
T5
C5
T6
C6
2
7
3
6
T4
4
5
全下沉桨
登上地面
图12评估板电路图
组件列表
分立器件
C 1 - C 4 = 100pF的多层瓷介片状电容器（介电实验室C11AH101K5TXL ）
C5 = 2.0 pF的多层瓷介片状电容器（介电实验室C11AH2R0BTXL ）
C6 = 1.2 pF的多层瓷介片状电容器（介电实验室C11AH1R2B5TXL ）
R1 = 300
片式电阻器（ P300ECT -ND ）
L1 = 1.8 nH的片式电感器（东光TKS235CT -ND ）
L2 = 27 nH的片式电感器（的Coilcraft 1008CS - 270XKBB ）
输电线路长度*
T1 = 0.15"
T2 = 0.21"
T3 = 0.11" （不是很严重）
T4 = 0.16"
T5 = 0.13"
T6 = 0.16"
T7 = 0.13" （不是很严重）
T8 = 0.077" （不是很严重）
T1，T2， T3 ，T5，T6是0.077"宽
T4，T7和T8是0.026"宽
*该板的材料是0.060"的FR-4 （距离为射频和GND之间）具有约4.3的介电常数（标准的FR -4）的
5
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