M76DW63000A

M76DW62000A

64Mbit的（ X8 / X16 ，多个银行，引导块）快闪记忆体和

的8Mbit / 4Mbit的SRAM ， 3V电源，多个存储产品

初步数据

功能摘要

■

多种存储产品

- 64兆位（8MB X8或X16 4Mb的） ，多银行，

页，引导块，闪存

- SRAM ： 8Mbit的（ 512K ×16 ）的

M76DW63000A ，或为4Mbit （ 256K ×16 ），用于

M76DW62000A

■

电源电压

– V

CCF

= V

CCS

= 2.7V至3.3V

– V

PPF

= 12V快速程序（可选）

■

■

■

图1.包装

FBGA

存取时间： 70为90ns

低功耗

电子签名

- 制造商代码： 0020H

- 器件代码： 227Eh + 2202h + 2201h

LFBGA73 （ZA）

8× 11.6毫米

FL灰内存

■

异步页面读取模式

- 页面宽度： 4字

- 页面访问： 25 ， 30ns的

- 随机访问： 70 ，为90ns

■

■

编程时间

- 每字节为10μs /字典型

- 4字/ 8字节，一个时间计划

内存块

- 四组内存阵列：

8Mbits +格式，24Mbits +格式，24Mbits + 8Mbits

- 参数块（在顶部和底部）

V

PP

/ WP引脚用于快速编程和写

保护

临时块解除保护

模式

通用闪存接口

- 64位验证码

扩展内存块

- 额外的块作为安全块或存储

附加信息

■

■

■

■

■

双重运作逻辑

- 虽然在一组银行编程或擦除

（从1到3） ，读出在任何其他银行的

编程/擦除挂起和恢复

模式

- 读取来自任何阻止程序时

暂停

- 阅读并计划在另一座

擦除挂起

■

每10万编程/擦除周期

块

■

SRAM

■

8Mbit的（ 512K ×16 ）或为4Mbit （ 256K ×16 ）

■

■

■

访问时间： 70ns的

低V

CCS

数据保存： 1.5V

POWER DOWN采用2个

芯片使能输入

■

解锁绕道程序命令

- 加快生产/批处理编程

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2003年9月

这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。详细信息如有变更，恕不另行通知。

M76DW63000A ， M76DW62000A

目录

概要说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4

图2.逻辑图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4

表1.信号名称。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4

图3. LFBGA连接（通过包顶视图） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五

信号描述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6

地址输入（ A0 - A21 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6

数据输入/输出（ DQ0 - DQ7 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6

数据输入/输出（ DQ8 - DQ14 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6

数据输入/输出或输入地址（ DQ15A - 1）...... 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6

闪存芯片使能（ EF ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6

输出使能（ G） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6

写使能（ W） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6

V

PP/

写保护（V

PP/

WP ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6

复位/座临时撤消（ RPF ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6

就绪/忙输出（ RB ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7

字节/字组织的选择（ BYTE ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7

SRAM芯片使能（ E1S ， E2S ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7

SRAM高字节使能（ UBS） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7

SRAM的低字节使能（ LBS ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7

V

CCF

电源电压（ 2.7V至3.3V ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7

V

CCS

电源电压（ 2.7V至3.3V ） .. 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7

V

SS

地面...... 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7

功能描述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8

图4.功能框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8

表2.主要操作模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9

最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10

表3.绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10

直流和交流参数。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11

表4.操作和AC测量条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11

图5. AC测量I / O的波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11

图6. AC测量负载电路。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11

表5.器件电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11

表6.闪存直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12

表7. SRAM直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13

包装机械。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14

图7.堆积LFBGA73 8x11.6mm ， 10X12阵列， 0.8mm间距，底视图包装Outline14

表8.堆积LFBGA73 8x11.6mm ， 10X12阵列， 0.8mm间距，包装机械数据。 。 。 15

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M76DW63000A ， M76DW62000A

零件编号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16

表9.订购信息计划。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16

闪存设备。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17

SRAM器件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17

SRAM概要说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17

图8. SRAM逻辑图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17

SRAM操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18

阅读。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18

写。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18

待机/掉电。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18

数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18

输出禁用。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18

图9. SRAM读模式AC波形，地址控制。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19

图10. SRAM读AC波形，G受控。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19

图11. SRAM的待机交流波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19

表10. SRAM读交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20

图12. SRAM写AC波形，W控制。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 21

图13. SRAM写AC波形， E1S控制。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22

图14. SRAM写AC波形，W控制的G低。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 23

图15. SRAM写周期波形，瑞银（UBS）和LBS控， G低。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 23

表11. SRAM写交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24

图16. SRAM低V

CCS

数据保留AC波形， E1

S

或UB

S

/磅

S

控制。 。 25

表12. SRAM低V

CCS

数据保持特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25

修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 26

表13.文档修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 26

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M76DW63000A ， M76DW62000A

概要说明

该M76DW62000A是低电压的多

存储产品结合了两个内存DE-

恶习; 64兆位多银行，引导块闪存

存储器（ M29DW640D ）和一个8或4Mbit的SRAM中。

这个文件应当与结合

在M29DW640D数据表。

推荐工作条件不允许

无论是闪存和SRAM器件处于激活状态

在同一时间。

该存储器被提供在一个LFBGA73

（ 8× 11.6毫米，0.8毫米间距）封装，被抑制

合股所有擦除的位（设置为' 1'） 。

图2.逻辑图

表1.信号名称

A0-A21

1

DQ0-DQ7

DQ8-DQ14

DQ15A–1

G

W

V

CCF

地址输入

数据输入/输出

数据输入/输出

数据输入/输出或输入地址

输出使能输入

写使能输入

闪存电源

V

PP

/写保护

地

SRAM电源

SRAM地

在内部没有连接

V

PP

/ WP

V

SS

V

PP

/ WP

V

CCF

22

A0-A21

E

F

G

W

RP

F

字节

E1

S

E2

S

UB

S

LB

S

M76DW63000A

M76DW62000A

15

DQ0-DQ14

DQ15A–1

E

F

RP

F

RB

字节

芯片使能输入

复位/座临时撤消

READY / BUSY输出

字节/字组织的选择

V

CCS

V

CCS

V

SSS

NC

闪存控制功能

RB

SRAM控制功能

E1

S

, E2

S

UB

S

LB

S

芯片使能输入

高字节使能输入

低字节使能输入

注：1， A21 - A19未连接到的SRAM组件

该M76DW63000A ，和A21 -A18没有连接到

该M76DW62000A的SRAM组成部分。

V

SS

AI08188B

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M76DW63000A ， M76DW62000A

图3. LFBGA连接（通过包顶视图）

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

A

NC

NC

B

NC

NC

NC

NC

C

NC

A7

LBS

VPP

/ WP

W

A8

A11

D

A3

A6

瑞银

RPF

E2S

A19

A12

A15

E

A2

A5

A18

RB

A20

A9

A13

A21

F

NC

A1

A4

A17

A10

A14

NC

NC

G

NC

A0

VSS

DQ1

DQ6

NC

A16

NC

H

EF

G

DQ9

DQ3

DQ4

DQ13

DQ15

/A-1

字节

J

E1S

DQ0

DQ10

VCCF

VCCS

DQ12

DQ7

VSS

K

DQ8

DQ2

DQ11

NC

DQ5

DQ14

M

NC

NC

NC

NC

N

NC

NC

AI08189

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