M74HCT573
输入和输出等效电路
引脚说明
针无
1
2, 3, 4, 5, 6,
7, 8, 9
12, 13, 14,
15, 16, 17,
18, 19
11
10
20
符号
OE
D0到D7
Q0到Q7
名称和功能
3态输出使能
输入（低电平有效）
数据输入
3状态锁存器输出
LE
GND
V
CC
锁存使能输入
地（ 0V ）
正电源电压
真值表
输入
OE
H
L
L
L
LE
X
L
H
H
D
X
X
L
H
输出
Q
Z
NO CHANGE （ * ）
L
H
X ：无关
Z：高阻
（*） ：Q输出被锁存在时对LE输入为低逻辑电平的时间。
逻辑图
2/11
M74HCT573
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
电源电压
直流输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
直流输出电流
参数
价值
-0.5到+7
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5到V
CC
+ 0.5
±
20
±
20
±
35
±
70
500(*)
-65到+150
300
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
°C
I
CC
还是我
GND
DC V
CC
或接地电流
P
D
功耗
T
英镑
T
L
储存温度
焊接温度（ 10秒）
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。在这些条件下的功能操作
不暗示
（*） 500毫瓦，在65
°
℃;减免至300mW的由10毫瓦/
°
C来自65
°
C至85
°
C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
O
T
op
t
r
, t
f
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度
输入上升和下降时间（V
CC
= 4.5 5.5V ）
参数
价值
4.5 5.5
0到V
CC
0到V
CC
-55至125
0到500
单位
V
V
V
°C
ns
3/11
M74HCT573
电容特性
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
T
A
= 25°C
分钟。
典型值。
5
10
51
马克斯。
10
价值
-40到85°C
分钟。
马克斯。
10
-55到125°C
分钟。
马克斯。
10
pF
pF
pF
单位
C
IN
C
OUT
C
PD
输入电容
产量
电容
功耗
电容（注
1)
1) C
PD
被定义为IC的内部等效电容被从操作的电流消耗来计算，而不值
负载。 （请参考测试电路） 。平均工作电流可以由下式得到。我
CC （ OPR ）
= C
PD
X V
CC
架F
IN
+ I
CC
/ 8 （每翻转
翻牌）
测试电路
TEST
t
PLH
, t
PHL
t
PZL
, t
PLZ
t
PZH
, t
PHZ
C
L
= 50pF的/ 150pF的或同等学历（包括夹具和探头电容）
R
1
= 1KΩ或同等学历
R
T
= Z
OUT
脉冲发生器（通常为50Ω ）
开关
开放
V
CC
GND
5/11
M74HCT573
输入和输出等效电路
引脚说明
针无
1
2, 3, 4, 5, 6,
7, 8, 9
12, 13, 14,
15, 16, 17,
18, 19
11
10
20
符号
OE
D0到D7
Q0到Q7
名称和功能
3态输出使能
输入（低电平有效）
数据输入
3状态锁存器输出
LE
GND
V
CC
锁存使能输入
地（ 0V ）
正电源电压
真值表
输入
OE
H
L
L
L
LE
X
L
H
H
D
X
X
L
H
输出
Q
Z
NO CHANGE （ * ）
L
H
X ：无关
Z：高阻
（*） ：Q输出被锁存在时对LE输入为低逻辑电平的时间。
逻辑图
2/11
M74HCT573
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
电源电压
直流输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
直流输出电流
参数
价值
-0.5到+7
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5到V
CC
+ 0.5
±
20
±
20
±
35
±
70
500(*)
-65到+150
300
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
°C
I
CC
还是我
GND
DC V
CC
或接地电流
P
D
功耗
T
英镑
T
L
储存温度
焊接温度（ 10秒）
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。在这些条件下的功能操作
不暗示
（*） 500毫瓦，在65
°
℃;减免至300mW的由10毫瓦/
°
C来自65
°
C至85
°
C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
O
T
op
t
r
, t
f
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度
输入上升和下降时间（V
CC
= 4.5 5.5V ）
参数
价值
4.5 5.5
0到V
CC
0到V
CC
-55至125
0到500
单位
V
V
V
°C
ns
3/11
M74HCT573
电容特性
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
T
A
= 25°C
分钟。
典型值。
5
10
51
马克斯。
10
价值
-40到85°C
分钟。
马克斯。
10
-55到125°C
分钟。
马克斯。
10
pF
pF
pF
单位
C
IN
C
OUT
C
PD
输入电容
产量
电容
功耗
电容（注
1)
1) C
PD
被定义为IC的内部等效电容被从操作的电流消耗来计算，而不值
负载。 （请参考测试电路） 。平均工作电流可以由下式得到。我
CC （ OPR ）
= C
PD
X V
CC
架F
IN
+ I
CC
/ 8 （每翻转
翻牌）
测试电路
TEST
t
PLH
, t
PHL
t
PZL
, t
PLZ
t
PZH
, t
PHZ
C
L
= 50pF的/ 150pF的或同等学历（包括夹具和探头电容）
R
1
= 1KΩ或同等学历
R
T
= Z
OUT
脉冲发生器（通常为50Ω ）
开关
开放
V
CC
GND
5/11
M54/74HCT563
M54/74HCT573
八路D型锁存器带3态输出
HCT563反相 - HCT573非反相
.
.
.
.
.
.
.
高速
t
PD
= 18 ns（典型值），在V
CC
= 5 V
低功耗
I
CC
= 4
A
（ MAX 。 ）在T
A
= 25
°C
兼容TTL输出
V
IH
= 2V （ MIN 。 ）V
IL
= 0.8V （最大）
输出驱动能力
15输入通道负载
对称的输出阻抗
I
OL
=
I
OH
=
6毫安（ MIN 。 ）
平衡传输延迟
t
PLH
= t
PHL
引脚和功能兼容
54 / 74LS563 / 573
B1R
（塑料包装）
F1R
（陶瓷封装）
M1R
（超小型封装）
C1R
（芯片载体）
描述
在M54 / 74HCT563和M54HCT573高
高速CMOS八进制锁存器具有三态
产出与制造的硅栅
2
MOS
技术。
这些IC achive类似的高速操作
到等效输入通道，同时保持在CMOS
低功耗。
这些8位D型锁存器是由一个锁存器控制
使能输入端（LE）和一个输出使能输入端（OE） 。
而对LE输入端保持在高电平时，Q
输出将跟随输入的数据准确或
相反。当LE为低电平时， Q输出
在逻辑电平将被精确地或反比锁存
的D输入数据。当OE输入为低电平时，
引脚连接
（ TOP VIEW ）
HCT563
HCT573
订购代码：
M54HCTXXXF1R
M74HCTXXXM1R
M74HCTXXXB1R
M74HCTXXXC1R
8个输出将是一个正常的逻辑状态（高
或低逻辑电平），而高水平的outpts将
处于高阻抗状态。
该应用程序设计人员的最佳的选择
结合反相和非反相输出。
该集成电路具有输入和输出
这是用54/74完全兼容的特性
LSTTL逻辑系列。 M54 / 74HCT设备
设计用来直接与HSC
2
MOS系统
与TTL和NMOS组件。它们也
插上替代LSTTL器件给人一种
降低功耗。
所有的输入都配有保护电路
对排放和瞬态过电压。
HCT563
HCT573
1993年10月
1/13
M54/M74HCT563/573
真值表
输入
OE
H
L
L
L
LE
X
L
H
H
D
X
X
L
H
Q（ HCT573 ）
Z
NO CHANGE *
L
H
输出
Q（ HCT563 ）
Z
NO CHANGE *
H
L
X ：无关
Z：高阻
* ： Q / Q输出的时候，当LE输入为低逻辑电平锁存。
逻辑图
HCT563
HCT573
3/13
M54/M74HCT563/573
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
还是我
GND
P
D
T
英镑
T
L
电源电压
直流输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
DC输出源灌电流每路输出引脚
DC V
CC
或接地电流
功耗
储存温度
焊接温度（ 10秒）
参数
价值
-0.5到+7
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5到V
CC
+ 0.5
±
20
±
20
±
35
±
70
500 (*)
-65到+150
300
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
o
o
C
C
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。这些条件下的功能操作isnotimplied 。
（ * ） 500毫瓦：
65
o
C减免300兆瓦为10mW /
o
C: 65
o
C至85
o
C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
O
T
op
t
r
, t
f
参数
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度：
M54HC
系列
M74HC
系列
输入上升和下降时间（V
CC
= 4.5 5.5V ）
价值
4.5 5.5
0到V
CC
0到V
CC
-55到+125
-40至+85
0到500
单位
V
V
V
C
o
C
ns
o
4/13
M54/74HCT563
M54/74HCT573
八路D型锁存器带3态输出
HCT563反相 - HCT573非反相
.
.
.
.
.
.
.
高速
t
PD
= 18 ns（典型值），在V
CC
= 5 V
低功耗
I
CC
= 4
A
（ MAX 。 ）在T
A
= 25
°C
兼容TTL输出
V
IH
= 2V （ MIN 。 ）V
IL
= 0.8V （最大）
输出驱动能力
15输入通道负载
对称的输出阻抗
I
OL
=
I
OH
=
6毫安（ MIN 。 ）
平衡传输延迟
t
PLH
= t
PHL
引脚和功能兼容
54 / 74LS563 / 573
B1R
（塑料包装）
F1R
（陶瓷封装）
M1R
（超小型封装）
C1R
（芯片载体）
描述
在M54 / 74HCT563和M54HCT573高
高速CMOS八进制锁存器具有三态
产出与制造的硅栅
2
MOS
技术。
这些IC achive类似的高速操作
到等效输入通道，同时保持在CMOS
低功耗。
这些8位D型锁存器是由一个锁存器控制
使能输入端（LE）和一个输出使能输入端（OE） 。
而对LE输入端保持在高电平时，Q
输出将跟随输入的数据准确或
相反。当LE为低电平时， Q输出
在逻辑电平将被精确地或反比锁存
的D输入数据。当OE输入为低电平时，
引脚连接
（ TOP VIEW ）
HCT563
HCT573
订购代码：
M54HCTXXXF1R
M74HCTXXXM1R
M74HCTXXXB1R
M74HCTXXXC1R
8个输出将是一个正常的逻辑状态（高
或低逻辑电平），而高水平的outpts将
处于高阻抗状态。
该应用程序设计人员的最佳的选择
结合反相和非反相输出。
该集成电路具有输入和输出
这是用54/74完全兼容的特性
LSTTL逻辑系列。 M54 / 74HCT设备
设计用来直接与HSC
2
MOS系统
与TTL和NMOS组件。它们也
插上替代LSTTL器件给人一种
降低功耗。
所有的输入都配有保护电路
对排放和瞬态过电压。
HCT563
HCT573
1993年10月
1/13
M54/M74HCT563/573
真值表
输入
OE
H
L
L
L
LE
X
L
H
H
D
X
X
L
H
Q（ HCT573 ）
Z
NO CHANGE *
L
H
输出
Q（ HCT563 ）
Z
NO CHANGE *
H
L
X ：无关
Z：高阻
* ： Q / Q输出的时候，当LE输入为低逻辑电平锁存。
逻辑图
HCT563
HCT573
3/13
M54/M74HCT563/573
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
还是我
GND
P
D
T
英镑
T
L
电源电压
直流输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
DC输出源灌电流每路输出引脚
DC V
CC
或接地电流
功耗
储存温度
焊接温度（ 10秒）
参数
价值
-0.5到+7
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5到V
CC
+ 0.5
±
20
±
20
±
35
±
70
500 (*)
-65到+150
300
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
o
o
C
C
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。这些条件下的功能操作isnotimplied 。
（ * ） 500毫瓦：
65
o
C减免300兆瓦为10mW /
o
C: 65
o
C至85
o
C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
O
T
op
t
r
, t
f
参数
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度：
M54HC
系列
M74HC
系列
输入上升和下降时间（V
CC
= 4.5 5.5V ）
价值
4.5 5.5
0到V
CC
0到V
CC
-55到+125
-40至+85
0到500
单位
V
V
V
C
o
C
ns
o
4/13
