M74HCT367
输入和输出等效电路
引脚说明
针无
1, 15
2, 4, 6, 10,
12, 14
3, 5, 7, 9, 11,
13
8
16
符号
G1, G2
1A至6A
1Y到6Y
GND
V
CC
名称和功能
3态输出使能
输入
数据输入
数据输出
地（ 0V ）
正电源电压
真值表
输入
G
L
L
H
X ：无关
Z：高阻
输出
An
L
H
X
Yn
L
H
Z
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
电源电压
直流输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
直流输出电流
参数
价值
-0.5到+7
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5到V
CC
+ 0.5
±
20
±
20
±
35
±
70
500(*)
-65到+150
300
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
°C
I
CC
还是我
GND
DC V
CC
或接地电流
P
D
功耗
T
英镑
T
L
储存温度
焊接温度（ 10秒）
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。在这些条件下的功能操作
不暗示
（*） 500毫瓦，在65
°
℃;减免至300mW的由10毫瓦/
°
C来自65
°
C至85
°
C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
O
T
op
t
r
, t
f
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度
输入上升和下降时间（V
CC
= 4.5 5.5V ）
参数
价值
4.5 5.5
0到V
CC
0到V
CC
-55至125
0到500
单位
V
V
V
°C
ns
2/9
M74HCT367
电容特性
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
T
A
= 25°C
分钟。
典型值。
5
47
马克斯。
10
价值
-40到85°C
分钟。
马克斯。
10
-55到125°C
分钟。
马克斯。
10
pF
pF
单位
C
IN
C
PD
输入电容
功耗
电容（注
1)
1) C
PD
被定义为IC的内部等效电容被从操作的电流消耗来计算，而不值
负载。 （请参考测试电路） 。平均工作电流可以由下式得到。我
CC （ OPR ）
= C
PD
X V
CC
架F
IN
+ I
CC
/ 6（每
频道）
测试电路
TEST
t
PLH
, t
PHL
t
PZL
, t
PLZ
t
PZH
, t
PHZ
C
L
= 50pF的/ 150pF的或同等学历（包括夹具和探头电容）
R
1
= 1KΩ或同等学历
R
T
= Z
OUT
脉冲发生器（通常为50Ω ）
开关
开放
V
CC
GND
4/9
M54/M74HCT367
M54/M74HCT368
HEX总线缓冲器（三态）
HCT367同相，反相HCT368
.
.
.
.
.
.
.
高速
t
PD
= 11 ns（典型值），在V
CC
= 5 V
低功耗
I
CC
= 4
A
（ MAX 。 ）在T
A
= 25
°C
兼容TTL输出
V
IH
= 2V （ MIN 。 ）V
IL
= 0.8V （MAX）
输出驱动能力
15输入通道负载
对称的输出阻抗
|I
OH
| = I
OL
= 6 MA（ MIN 。 ）
平衡传输延迟
t
PLH
= t
PHL
引脚和功能兼容
54/74LS367/368
B1R
（塑料包装）
F1R
（陶瓷封装）
M1R
（超小型封装）
C1R
（芯片载体）
订购代码：
M54HCTXXXF1R
M74HCTXXXM1R
M74HCTXXXB1R
M74HCTXXXC1R
描述
在M54 / 74HCT367和M54 / 74HCT368是
高速CMOS六路总线缓冲器（三态）
在制造硅栅
2
MOS技术。他们
有LSTTL相同的高速性能
结合真正的CMOS低功耗。
这些设备包含6缓冲区，四缓冲区
通过一个使能输入端（ G1）和另外两个控制
缓冲区由其它能输入控制
（G2） ;被启用的每个缓冲器组的输出
当G1和/或G2输入保持为低电平，
当高举这些输出被禁止为
高阻抗。
这些输出能够驱动多达15个输入通道的
负载。设计者具有非反相的选择
输出（ HCT367 ）和反相输出（ HCT368 ） 。
所有的输入都配有保护电路
防止静电放电和瞬态电压过剩
年龄。
该集成电路具有输入和输出字符
开创性意义的是与54/74 LSTTL完全兼容
逻辑系列。 M54 / 74HCT设备的设计
直接连接HSC
2
MOS系统的TTL和
NMOS组件。他们还插上替换 -
ments对于LSTTL器件给人一种减少
功耗。
所有的输入都配有保护电路
防止静电放电和瞬态电压过剩
年龄。
1993年2月
引脚连接
（ TOP VIEW ）
HCT368
HCT367
1/11
M54/M74HCT367/368
IEC逻辑符号
HCT367
HCT368
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
CC
I
O
还是我
GND
P
D
T
英镑
T
L
参数
电源电压
直流输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
DC输出源灌电流每路输出引脚
DC V
CC
或接地电流
功耗
储存温度
焊接温度（ 10秒）
价值
-0.5到+7
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5到V
CC
+ 0.5
±
20
±
20
±
35
±
70
500 (*)
-65到+150
300
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
o
o
C
C
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。这些条件下的功能操作isnotimplied 。
（ * ） 500毫瓦：
65
o
C减免300兆瓦为10mW /
o
C: 65
o
C至85
o
C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
O
T
op
t
r
, t
f
参数
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度：
M54HC
系列
M74HC
系列
输入上升和下降时间（V
CC
= 4.5 5.5V ）
价值
4.5 5.5
0到V
CC
0到V
CC
-55到+125
-40至+85
0到500
单位
V
V
V
o
C
o
C
ns
推荐工作条件
3/11
M54/M74HCT367/368
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6纳秒）
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
C
L
（PF ）
50
50
150
50
150
50
150
50
T
A
= 25 C
54HC和74HC
分钟。
典型值。
7
14
18
15
19
16
20
18
5
47
55
马克斯。
12
22
28
24
30
25
31
25
10
o
价值
-40到85
o
C - 55至125
o
C
74HC
54HC
分钟。
马克斯。
15
28
35
30
38
31
39
31
10
分钟。
马克斯。
18
33
42
36
45
38
47
38
10
单位
t
TLH
t
THL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PZL
t
PZH
t
PLZ
t
PHZ
C
IN
C
PD
(*)
输出转换
时间
传播
延迟时间
（仅适用于HCT367 ）
传播
延迟时间
（仅适用于HCT368 ）
OUTPUT ENABLE
时间
输出禁用
时间
输入电容
功耗
电容
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
FOT HCT367
对HCT368
(*) C
PD
被定义为IC的内部等效电容被从操作的电流消耗来计算无负载的值。
（请参考测试电路） 。平均operting电流可以由下式得到。我
CC
（ OPR ） = C
PD
V
CC
f
IN
+ I
CC
/ 6 （每通道）
测试电路I
CC
（ OPR ）。
C
PD
计算
C
PD
要被计算为以下
式使用的测定值
I
CC
（OPR ）。在测试电路相反的。
I
CC
(
OPR
)
C
PD
=
f
IN
×
V
CC
在确定C的典型值
PD
, a
1兆赫频率比较高是AP-
合股到f
IN
中，为了消除任何错误
所造成的静态电源电流。
*输入波形是一样的，若
开关特性测试。
5/11
M54/M74HCT367
M54/M74HCT368
HEX总线缓冲器（三态）
HCT367同相，反相HCT368
.
.
.
.
.
.
.
高速
t
PD
= 11 ns（典型值），在V
CC
= 5 V
低功耗
I
CC
= 4
A
（ MAX 。 ）在T
A
= 25
°C
兼容TTL输出
V
IH
= 2V （ MIN 。 ）V
IL
= 0.8V （MAX）
输出驱动能力
15输入通道负载
对称的输出阻抗
|I
OH
| = I
OL
= 6 MA（ MIN 。 ）
平衡传输延迟
t
PLH
= t
PHL
引脚和功能兼容
54/74LS367/368
B1R
（塑料包装）
F1R
（陶瓷封装）
M1R
（超小型封装）
C1R
（芯片载体）
订购代码：
M54HCTXXXF1R
M74HCTXXXM1R
M74HCTXXXB1R
M74HCTXXXC1R
描述
在M54 / 74HCT367和M54 / 74HCT368是
高速CMOS六路总线缓冲器（三态）
在制造硅栅
2
MOS技术。他们
有LSTTL相同的高速性能
结合真正的CMOS低功耗。
这些设备包含6缓冲区，四缓冲区
通过一个使能输入端（ G1）和另外两个控制
缓冲区由其它能输入控制
（G2） ;被启用的每个缓冲器组的输出
当G1和/或G2输入保持为低电平，
当高举这些输出被禁止为
高阻抗。
这些输出能够驱动多达15个输入通道的
负载。设计者具有非反相的选择
输出（ HCT367 ）和反相输出（ HCT368 ） 。
所有的输入都配有保护电路
防止静电放电和瞬态电压过剩
年龄。
该集成电路具有输入和输出字符
开创性意义的是与54/74 LSTTL完全兼容
逻辑系列。 M54 / 74HCT设备的设计
直接连接HSC
2
MOS系统的TTL和
NMOS组件。他们还插上替换 -
ments对于LSTTL器件给人一种减少
功耗。
所有的输入都配有保护电路
防止静电放电和瞬态电压过剩
年龄。
1993年2月
引脚连接
（ TOP VIEW ）
HCT368
HCT367
1/11
M54/M74HCT367/368
IEC逻辑符号
HCT367
HCT368
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
CC
I
O
还是我
GND
P
D
T
英镑
T
L
参数
电源电压
直流输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
DC输出源灌电流每路输出引脚
DC V
CC
或接地电流
功耗
储存温度
焊接温度（ 10秒）
价值
-0.5到+7
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5到V
CC
+ 0.5
±
20
±
20
±
35
±
70
500 (*)
-65到+150
300
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
o
o
C
C
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。这些条件下的功能操作isnotimplied 。
（ * ） 500毫瓦：
65
o
C减免300兆瓦为10mW /
o
C: 65
o
C至85
o
C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
O
T
op
t
r
, t
f
参数
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度：
M54HC
系列
M74HC
系列
输入上升和下降时间（V
CC
= 4.5 5.5V ）
价值
4.5 5.5
0到V
CC
0到V
CC
-55到+125
-40至+85
0到500
单位
V
V
V
o
C
o
C
ns
推荐工作条件
3/11
M54/M74HCT367/368
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6纳秒）
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
C
L
（PF ）
50
50
150
50
150
50
150
50
T
A
= 25 C
54HC和74HC
分钟。
典型值。
7
14
18
15
19
16
20
18
5
47
55
马克斯。
12
22
28
24
30
25
31
25
10
o
价值
-40到85
o
C - 55至125
o
C
74HC
54HC
分钟。
马克斯。
15
28
35
30
38
31
39
31
10
分钟。
马克斯。
18
33
42
36
45
38
47
38
10
单位
t
TLH
t
THL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PZL
t
PZH
t
PLZ
t
PHZ
C
IN
C
PD
(*)
输出转换
时间
传播
延迟时间
（仅适用于HCT367 ）
传播
延迟时间
（仅适用于HCT368 ）
OUTPUT ENABLE
时间
输出禁用
时间
输入电容
功耗
电容
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
FOT HCT367
对HCT368
(*) C
PD
被定义为IC的内部等效电容被从操作的电流消耗来计算无负载的值。
（请参考测试电路） 。平均operting电流可以由下式得到。我
CC
（ OPR ） = C
PD
V
CC
f
IN
+ I
CC
/ 6 （每通道）
测试电路I
CC
（ OPR ）。
C
PD
计算
C
PD
要被计算为以下
式使用的测定值
I
CC
（OPR ）。在测试电路相反的。
I
CC
(
OPR
)
C
PD
=
f
IN
×
V
CC
在确定C的典型值
PD
, a
1兆赫频率比较高是AP-
合股到f
IN
中，为了消除任何错误
所造成的静态电源电流。
*输入波形是一样的，若
开关特性测试。
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