M54HCT164
M74HCT164
8位国家知识产权局移位寄存器
.
.
.
.
.
.
.
.
高速
t
PD
= 20 ns（典型值），在V
CC
= 5 V
低功耗
I
CC
= 4
A
（ MAX 。 ）在T
A
= 25
°C
输出驱动能力
10输入通道负载
平衡传输延迟
t
PLH
= t
PHL
= 4 MA（ MIN 。 ）
对称的输出阻抗
I
OL
=
I
OH
= 4 MA（ MIN ）
兼容TTL输出
V
IH
= 2V （ MIN 。 ）V
IL
= 0.8V （MAX）
宽工作电压范围
V
CC
（ OPR ） = 2 V至6 V
引脚和功能兼容
54 / 74LS164
B1R
（塑料包装）
F1R
（陶瓷封装）
M1R
（超小型封装）
C1R
（芯片载体）
订购代码：
M54HCT164F1R
M74HCT164M1R
M74HCT164B1R
M74HCT164C1R
描述
在M54 / 74HCT164是高速CMOS 8位
国家知识产权局移位寄存器制成硅栅
C
2
MOS技术。它具有相同的高速per-
LSTTL的formance结合真实的CMOS低
功耗。
在HCT164是一个8位的移位寄存器的串行数据
条目并从各八个阶段的输出。
数据通过两个输入端之一（A串行输入
或B）中，任一这些输入可被用作活性
高使能用于通过其他输入数据条目。
未使用的输入必须是高，还是两个输入CON组
已连接在一起。对每一个从低到高的转变
时钟输入的数据转移一个地方的权利，
进入的QA ，两个数据输入端的逻辑与非
(A
B） ，之前的上升时钟存在的数据
边缘。在明确输入一个低电平覆盖所有
其他的输入和清除寄存器异步，
迫使所有的Q输出低电平。
所有的输入都配有保护电路
防止静电放电和瞬态电压过剩
年龄。
该集成电路具有输入和输出字符
开创性意义的是与54/74 LSTTL完全兼容
逻辑系列。 M54 / 74HCT设备的设计
直接连接HSC
2
MOS系统的TTL和
NMOS组件。他们还插上替换 -
ments对于LSTTL器件给人一种减少
功耗。
1993年2月
引脚连接
（ TOP VIEW ）
NC =
无内部
连接
1/12
M54/M74HCT164
输入和输出等效电路
真值表
输入
明确
L
H
H
H
H
时钟
X
在串行
A
X
X
L
X
H
B
X
X
X
L
H
L
L
H
QA
L
QB
L
Outpus
............
............
QH
L
QGN
QGN
QGN
没有变化
............
QAN
QAN
QAN
............
............
X ：无关
QAN - QGN ： QA -QG的分别的电平。前最近期个时钟过渡。
逻辑图
2/12
M54/M74HCT164
引脚说明
针无
1, 2
3, 4, 5, 6,
10, 11, 12,
13
8
9
7
14
符号
A，B
QA到QH
名称和功能
数据输入
输出
IEC逻辑符号
时钟
明确
GND
V
CC
时钟输入（从低到
HIGH ，边沿触发）
主复位输入
地（ 0V ）
正电源电压
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
CC
I
O
还是我
GND
P
D
T
英镑
T
L
参数
电源电压
直流输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
DC输出源灌电流每路输出引脚
DC V
CC
或接地电流
功耗
储存温度
焊接温度（ 10秒）
价值
-0.5到+7
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5到V
CC
+ 0.5
±
20
±
20
±
25
±
50
500 (*)
-65到+150
300
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
o
o
C
C
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。这些条件下的功能操作isnotimplied 。
（ * ） 500毫瓦：
65
o
C减免300兆瓦为10mW /
o
C: 65
o
C至85
o
C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
O
T
op
t
r
, t
f
参数
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度：
M54HC
系列
M74HC
系列
输入上升和下降时间（V
CC
= 4.5 5.5V ）
价值
4.5 5.5
0到V
CC
0到V
CC
-55到+125
-40至+85
0到500
单位
V
V
V
o
C
o
C
ns
3/12
M54/M74HCT164
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6纳秒）
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
4.5
4.5
T
A
= 25 C
54HC和74HC
分钟。
典型值。
8
23
马克斯。
15
36
o
价值
-40到85
o
C - 55至125
o
C
74HC
54HC
分钟。
马克斯。
19
45
分钟。
马克斯。
22
54
单位
t
TLH
t
THL
t
PLH
t
PHL
t
PHL
f
最大
t
瓦特（H）的
t
瓦特（L）的
t
瓦特（L）的
输出转换
时间
传播
延迟时间
（ CLOCK - Q）
传播
延迟时间
（ CLEAR - Q）
最大时钟
频率
最小脉冲
宽度
（CLOCK ）
最小脉冲
宽度
（清除）
最小的建立
时间
（A ，B - CK ）
最小保持
时间
（A ，B - CK ）
最低
拆除时间
输入电容
功耗
电容
ns
ns
4.5
24
37
46
56
ns
4.5
4.5
30
50
8
15
24
19
20
22
兆赫
ns
4.5
8
15
19
22
ns
t
s
4.5
4
10
13
15
ns
t
h
4.5
0
0
0
ns
t
REM
C
IN
C
PD
(*)
5
5
137
10
6
10
8
10
ns
pF
pF
(*) C
PD
被定义为IC的内部等效电容被从操作的电流消耗来计算无负载的值。
（请参考测试电路） 。平均operting电流可以由下式得到。我
CC
（ OPR ） = C
PD
V
CC
f
IN
+ I
CC
5/12
M74HCT164
8位国家知识产权局移位寄存器
s
s
s
s
s
s
高速：
t
PD
= 24 ns（典型值），在V
CC
= 4.5V
低功耗：
I
CC
= 4μA （ MAX 。 ）在T
A
=25°C
兼容TTL输出：
V
IH
= 2V （ MIN 。 ）V
IL
= 0.8V （MAX）
平衡传输延迟：
t
PLH
t
PHL
对称的输出阻抗：
|I
OH
| = I
OL
= 4毫安（ MIN ）
引脚和功能兼容
74系列164
DIP
SOP
TSSOP
订购代码
包
DIP
SOP
TSSOP
管
M74HCT164B1R
M74HCT164M1R
T&R
M74HCT164RM13TR
M74HCT164TTR
描述
该M74HCT164是一个高速CMOS 8位
国家知识产权局移位寄存器制造硅
门
2
MOS技术。
该74HCT164是一个8位的移位寄存器的串行
数据输入和从各8的输出
阶段。数据通过两个一串行输入
输入（ A或B ） ，其中任一输入可用于
作为有效高使能，用于通过数据输入
另一输入端。未使用的输入必须是高的，或两者兼而有之
输入端连接到一起。每个低到高
在时钟转换输入数据转移一个地方
到右侧，并进入QA，逻辑与非
这两个数据输入端（A X B ） ，存在的数据
之前在时钟的上升沿。在一个低的水平
清除输入覆盖所有其它输入和清除
注册异步，迫使所有的Q输出低电平。
该M74HCT164设计为直接连接
HSC
2
MOS系统的TTL和NMOS
组件。
所有的输入都配有保护电路
防止静电放电和瞬态过剩
电压。
引脚连接和IEC逻辑符号
2001年7月
1/11
M74HCT164
输入和输出等效电路
引脚说明
针无
1,2
3, 4, 5, 6, 10,
11, 12, 13
8
9
7
14
符号
A，B
QA到QH
时钟
明确
GND
VCC
名称和功能
数据输入
输出
时钟输入（从低到
HIGH ，边沿触发
主复位输入
地（ 0V ）
正电源电压
真值表
输入
在串行
明确
L
H
H
H
H
时钟
A
X
X
X
L
X
H
B
X
X
X
L
H
L
L
H
L
L
...........
L
QA
QB
...........
QH
输出
没有变化
QAN
QAN
QAN
...........
...........
...........
QGN
QGN
QGN
X：无关
QAN - QGN ： QA的水平 - 分别为QG 。最-最近的时钟的转变前
逻辑图
这个逻辑图，并没有被用来估计的传播延迟
2/11
M74HCT164
时序图
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
电源电压
直流输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
直流输出电流
参数
价值
-0.5到+7
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5到V
CC
+ 0.5
±
20
±
20
±
25
±
50
500(*)
-65到+150
300
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
°C
I
CC
还是我
GND
DC V
CC
或接地电流
P
D
功耗
T
英镑
T
L
储存温度
焊接温度（ 10秒）
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。在这些条件下的功能操作
不暗示
（*） 500毫瓦，在65
°
℃;减免至300mW的由10毫瓦/
°
C来自65
°
C至85
°
C
3/11
M74HCT164
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6ns的）
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
30
T
A
= 25°C
分钟。
典型值。
8
23
24
50
8
8
4
15
15
10
0
5
马克斯。
15
36
37
24
19
19
13
0
6
价值
-40到85°C
分钟。
马克斯。
19
45
46
20
22
22
15
0
8
-55到125°C
分钟。
马克斯。
22
54
56
ns
ns
ns
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
单位
t
TLH
t
THL
输出转换
时间
t
PLH
t
PHL
传播延迟
时间（时钟 - Q）
传播延迟
t
PHL
时间（ CLEAR - Q）
f
最大
最大时钟
频率
最小脉冲
t
瓦特（H）的
宽度（ CLOCK ）
t
瓦特（L）的
t
瓦特（L）的
t
s
t
h
t
REM
最小脉冲
宽度（ CLEAR ）
最小的建立
时间（ A，B - CK ）
最小保持
时间（ A，B - CK ）
最低清除
时间
电容特性
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
T
A
= 25°C
分钟。
典型值。
5
137
马克斯。
10
价值
-40到85°C
分钟。
马克斯。
10
-55到125°C
分钟。
马克斯。
10
pF
pF
单位
C
IN
C
PD
输入电容
功耗
电容（注
1)
1) C
PD
被定义为IC的内部等效电容被从操作的电流消耗来计算，而不值
负载。 （请参考测试电路） 。平均工作电流可以由下式得到。我
CC （ OPR ）
= C
PD
X V
CC
架F
IN
+ I
CC
5/11
QQ：2881677436 复制
