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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1537页 > M74HCT08RM13TR
M74HCT08
四2输入与门
s
高速：
t
PD
= 13ns （典型值）在V
CC
=4.5V
低功耗：
I
CC
= 1μA （最大值）在T
A
=25°C
兼容TTL输出：
V
IH
= 2V （ MIN 。 ）V
IL
= 0.8V （MAX）
平衡传输延迟：
t
PLH
t
PHL
对称的输出阻抗：
|I
OH
| = I
OL
= 4毫安（ MIN ）
引脚和功能兼容
74系列08
订购代码
包
DIP
SOP
TSSOP
管
M74HCT08B1R
M74HCT08M1R
T&R
M74HCT08RM13TR
M74HCT08TTR
DIP
SOP
TSSOP
s
s
s
s
s
描述
该M74HCT08是一个高速CMOS QUAD
2输入与门制造与硅栅
C
2
MOS技术。
内部电路由2个阶段
包括缓冲器的输出，使高噪声
性和稳定的输出。
该M74HCT08设计为直接连接
HSC
2
MOS系统的TTL和NMOS
组件。
所有的输入都配有保护电路
防止静电放电和瞬态过剩
电压。
引脚连接和IEC逻辑符号
2001年7月
1/8
M74HCT08
输入和输出等效电路
引脚说明
针无
1, 4, 9, 12
2, 5, 10, 13
3, 6, 8, 11
7
14
符号
1A至4A
1B到4B
1Y到4Y
GND
V
CC
名称和功能
数据输入
数据输入
数据输出
地（ 0V ）
正电源电压
真值表
A
L
L
H
H
B
L
H
L
H
Y
L
L
L
H
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
电源电压
直流输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
直流输出电流
参数
价值
-0.5到+7
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5到V
CC
+ 0.5
±
20
±
20
±
25
±
50
500(*)
-65到+150
300
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
°C
I
CC
还是我
GND
DC V
CC
或接地电流
P
D
功耗
T
英镑
T
L
储存温度
焊接温度（ 10秒）
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。在这些条件下的功能操作
不暗示
（*） 500毫瓦，在65
°
℃;减免至300mW的由10毫瓦/
°
C来自65
°
C至85
°
C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
O
T
op
t
r
, t
f
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度
输入上升和下降时间（V
CC
= 4.5 5.5V ）
参数
价值
4.5 5.5
0到V
CC
0到V
CC
-55至125
0到500
单位
V
V
V
°C
ns
2/8
M74HCT08
DC特定网络阳离子
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
4.5
to
5.5
4.5
to
5.5
4.5
4.5
5.5
5.5
5.5
I
O
=-20
A
I
O
= -4.0毫安
I
O
=20
A
I
O
-4.0毫安
V
I
= V
CC
或GND
V
I
= V
CC
或GND
每个输入引脚
V
I
= 0.5V或
V
I
= 2.4V
其他投入的
V
CC
或GND
I
O
= 0
T
A
= 25°C
分钟。
2.0
典型值。
马克斯。
价值
-40到85°C
分钟。
2.0
马克斯。
-55到125°C
分钟。
2.0
马克斯。
V
单位
V
IH
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
低电平输出
电压
输入漏
当前
静态电源
当前
其他最差
供应情况
当前
V
IL
0.8
4.4
4.18
4.5
4.31
0.0
0.17
0.1
0.26
±
0.1
1
2.0
4.4
4.13
0.8
4.4
4.10
0.1
0.33
±
1
10
2.9
0.8
V
V
OH
V
OL
I
I
I
CC
I
CC
V
0.1
0.40
±
1
20
3.0
V
A
A
mA
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6ns的）
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
4.5
4.5
T
A
= 25°C
分钟。
典型值。
8
13
马克斯。
15
21
价值
-40到85°C
分钟。
马克斯。
19
26
-55到125°C
分钟。
马克斯。
22
32
ns
ns
单位
t
TLH
t
THL
输出转换
时间
t
PLH
t
PHL
传播延迟
时间
电容特性
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
T
A
= 25°C
分钟。
典型值。
5
38
马克斯。
10
价值
-40到85°C
分钟。
马克斯。
10
-55到125°C
分钟。
马克斯。
10
pF
pF
单位
C
IN
C
PD
输入电容
功耗
电容（注
1)
1) C
PD
被定义为IC的内部等效电容被从操作的电流消耗来计算，而不值
负载。 （请参考测试电路） 。平均工作电流可以由下式得到。我
CC （ OPR ）
= C
PD
X V
CC
架F
IN
+ I
CC
/ 4 （每门）
3/8
M74HCT08
测试电路
C
L
= 50pF的或同等学历（包括夹具和探头电容）
R
T
= Z
OUT
脉冲发生器（通常为50Ω ）
波形：传播延迟时间
中（f = 1MHz的50 ％占空比）
4/8
M74HCT08
塑料DIP -14机械数据
mm.
DIM 。
分钟。
a1
B
b
b1
D
E
e
e3
F
I
L
Z
1.27
3.3
2.54
0.050
8.5
2.54
15.24
7.1
5.1
0.130
0.100
0.51
1.39
0.5
0.25
20
0.335
0.100
0.600
0.280
0.201
1.65
典型值
马克斯。
分钟。
0.020
0.055
0.020
0.010
0.787
0.065
典型值。
马克斯。
寸
P001A
5/8
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