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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1471页 > M74HC77M1R
M74HC77
4位D型锁存器
s
s
s
s
s
s
s
高速:
t
PD
= 11 ns(典型值),在V
CC
= 6V
低功耗:
I
CC
= 2μA (最大值)在T
A
=25°C
高抗干扰性:
V
美国国立卫生研究院
= V
NIL
= 28 % V
CC
(分)
对称的输出阻抗:
|I
OH
| = I
OL
= 4毫安( MIN )
平衡传输延迟:
t
PLH
t
PHL
宽工作电压范围:
V
CC
( OPR) = 2V到6V
引脚和功能兼容
74系列77
DIP
SOP
TSSOP
订购代码
DIP
SOP
TSSOP
M74HC77B1R
M74HC77M1R
T&R
M74HC77RM13TR
M74HC77TTR
描述
该M74HC77是一个高速CMOS 4位D
型锁存器制造与硅栅
2
MOS
技术。
它包含两个基团通过控制2位锁存
一个使能输入端(G1
2或G3
4)。这两个锁存器
基团可以在不同的电路中使用。数据
施加到数据输入端( 1D,2D或3D, 4D)是
传送到Q输出( 1Q , 2Q , 3Q或者, 4Q )
分别当使能输入端( G1
2或G3
4)
被拉高。 Q输出将跟随数据
输入,只要使输入保持高电平。
当使能输入为低电平时,
信息数据应用到数据输入是
保持在Q输出。
所有的输入都配有保护电路
防止静电放电和瞬态过剩
电压。
引脚连接和IEC逻辑符号
2001年8月
1/10
M74HC77
IINPUT和输出等效电路
引脚说明
针无
1, 2, 5, 6
3
7, 10
8, 9, 13, 14
12
11
4
符号
一维到四维
G3
4
NC
1Q至4Q
G1
2
GND
V
CC
名称和功能
数据输入
锁存使能输入,
锁存器3和4中
无内部连接
锁存器输出
锁存使能输入,
锁存器1和2中
地( 0V )
正电源电压
真值表
输入
D
L
H
X
X:无关
输出
功能
G
H
H
L
Q
L
H
Qn
LATCH
逻辑图
2/10
M74HC77
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
电源电压
直流输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
直流输出电流
参数
价值
-0.5到+7
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5到V
CC
+ 0.5
±
20
±
20
±
25
±
50
500(*)
-65到+150
300
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
°C
I
CC
还是我
GND
DC V
CC
或接地电流
P
D
功耗
T
英镑
T
L
储存温度
焊接温度( 10秒)
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。在这些条件下的功能操作
不暗示
(*) 500毫瓦,在65
°
℃;减免至300mW的由10毫瓦/
°
C来自65
°
C至85
°
C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
O
T
op
t
r
, t
f
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度
输入上升和下降时间
V
CC
= 2.0V
V
CC
= 4.5V
V
CC
= 6.0V
参数
价值
2至6个
0到V
CC
0到V
CC
-55至125
01000
0到500
0到400
单位
V
V
V
°C
ns
ns
ns
3/10
M74HC77
DC特定网络阳离子
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
V
OL
低电平输出
电压
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
I
I
I
CC
输入漏
当前
静态电源
当前
6.0
6.0
I
O
=-20
A
I
O
=-20
A
I
O
=-20
A
I
O
= -4.0毫安
I
O
= -5.2毫安
I
O
=20
A
I
O
=20
A
I
O
=20
A
I
O
-4.0毫安
I
O
-5.2毫安
V
I
= V
CC
或GND
V
I
= V
CC
或GND
T
A
= 25°C
分钟。
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
4.18
5.68
2.0
4.5
6.0
4.31
5.8
0.0
0.0
0.0
0.17
0.18
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±
0.1
2
1.9
4.4
5.9
4.13
5.63
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±
1
20
典型值。
马克斯。
价值
-40到85°C
分钟。
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
4.10
5.60
0.1
0.1
0.1
0.40
0.40
±
1
40
A
A
V
V
马克斯。
-55到125°C
分钟。
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
马克斯。
V
单位
V
IH
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
V
IL
V
V
OH
4/10
M74HC77
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6ns的)
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
T
A
= 25°C
分钟。
典型值。
30
8
7
39
13
11
39
13
11
15
6
6
15
3
3
马克斯。
75
15
13
100
20
17
100
20
17
75
15
13
50
10
9
25
5
4
价值
-40到85°C
分钟。
马克斯。
95
19
16
125
25
21
125
25
21
95
19
16
65
13
11
30
6
5
-55到125°C
分钟。
马克斯。
110
22
19
150
30
26
150
30
26
110
22
19
75
15
13
40
8
7
ns
单位
t
TLH
t
THL
输出转换
时间
t
PLH
t
PHL
传播延迟
时间(D - Q)
t
PLH
t
PHL
传播延迟
时间( G- Q)
t
瓦特(H)的
最小脉冲
宽度( G)
最小的建立
时间
最小保持
时间
ns
ns
ns
t
s
ns
t
h
ns
电容特性
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
5.0
5.0
T
A
= 25°C
分钟。
典型值。
5
20
马克斯。
10
价值
-40到85°C
分钟。
马克斯。
10
-55到125°C
分钟。
马克斯。
10
pF
pF
单位
C
IN
C
PD
输入电容
功耗
电容(注
1)
1) C
PD
被定义为IC的内部等效电容被从操作的电流消耗来计算,而不值
负载。 (请参考测试电路) 。平均工作电流可以由下式得到。我
CC ( OPR )
= C
PD
X V
CC
架F
IN
+ I
CC
/4(per
锁存器)
5/10
M74HC77
4位D型锁存器
s
s
s
s
s
s
s
高速:
t
PD
= 11 ns(典型值),在V
CC
= 6V
低功耗:
I
CC
= 2μA (最大值)在T
A
=25°C
高抗干扰性:
V
美国国立卫生研究院
= V
NIL
= 28 % V
CC
(分)
对称的输出阻抗:
|I
OH
| = I
OL
= 4毫安( MIN )
平衡传输延迟:
t
PLH
t
PHL
宽工作电压范围:
V
CC
( OPR) = 2V到6V
引脚和功能兼容
74系列77
DIP
SOP
TSSOP
订购代码
DIP
SOP
TSSOP
M74HC77B1R
M74HC77M1R
T&R
M74HC77RM13TR
M74HC77TTR
描述
该M74HC77是一个高速CMOS 4位D
型锁存器制造与硅栅
2
MOS
技术。
它包含两个基团通过控制2位锁存
一个使能输入端(G1
2或G3
4)。这两个锁存器
基团可以在不同的电路中使用。数据
施加到数据输入端( 1D,2D或3D, 4D)是
传送到Q输出( 1Q , 2Q , 3Q或者, 4Q )
分别当使能输入端( G1
2或G3
4)
被拉高。 Q输出将跟随数据
输入,只要使输入保持高电平。
当使能输入为低电平时,
信息数据应用到数据输入是
保持在Q输出。
所有的输入都配有保护电路
防止静电放电和瞬态过剩
电压。
引脚连接和IEC逻辑符号
2001年8月
1/10
M74HC77
IINPUT和输出等效电路
引脚说明
针无
1, 2, 5, 6
3
7, 10
8, 9, 13, 14
12
11
4
符号
一维到四维
G3
4
NC
1Q至4Q
G1
2
GND
V
CC
名称和功能
数据输入
锁存使能输入,
锁存器3和4中
无内部连接
锁存器输出
锁存使能输入,
锁存器1和2中
地( 0V )
正电源电压
真值表
输入
D
L
H
X
X:无关
输出
功能
G
H
H
L
Q
L
H
Qn
LATCH
逻辑图
2/10
M74HC77
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
电源电压
直流输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
直流输出电流
参数
价值
-0.5到+7
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5到V
CC
+ 0.5
±
20
±
20
±
25
±
50
500(*)
-65到+150
300
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
°C
I
CC
还是我
GND
DC V
CC
或接地电流
P
D
功耗
T
英镑
T
L
储存温度
焊接温度( 10秒)
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。在这些条件下的功能操作
不暗示
(*) 500毫瓦,在65
°
℃;减免至300mW的由10毫瓦/
°
C来自65
°
C至85
°
C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
O
T
op
t
r
, t
f
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度
输入上升和下降时间
V
CC
= 2.0V
V
CC
= 4.5V
V
CC
= 6.0V
参数
价值
2至6个
0到V
CC
0到V
CC
-55至125
01000
0到500
0到400
单位
V
V
V
°C
ns
ns
ns
3/10
M74HC77
DC特定网络阳离子
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
V
OL
低电平输出
电压
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
I
I
I
CC
输入漏
当前
静态电源
当前
6.0
6.0
I
O
=-20
A
I
O
=-20
A
I
O
=-20
A
I
O
= -4.0毫安
I
O
= -5.2毫安
I
O
=20
A
I
O
=20
A
I
O
=20
A
I
O
-4.0毫安
I
O
-5.2毫安
V
I
= V
CC
或GND
V
I
= V
CC
或GND
T
A
= 25°C
分钟。
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
4.18
5.68
2.0
4.5
6.0
4.31
5.8
0.0
0.0
0.0
0.17
0.18
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±
0.1
2
1.9
4.4
5.9
4.13
5.63
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±
1
20
典型值。
马克斯。
价值
-40到85°C
分钟。
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
4.10
5.60
0.1
0.1
0.1
0.40
0.40
±
1
40
A
A
V
V
马克斯。
-55到125°C
分钟。
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
马克斯。
V
单位
V
IH
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
V
IL
V
V
OH
4/10
M74HC77
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6ns的)
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
T
A
= 25°C
分钟。
典型值。
30
8
7
39
13
11
39
13
11
15
6
6
15
3
3
马克斯。
75
15
13
100
20
17
100
20
17
75
15
13
50
10
9
25
5
4
价值
-40到85°C
分钟。
马克斯。
95
19
16
125
25
21
125
25
21
95
19
16
65
13
11
30
6
5
-55到125°C
分钟。
马克斯。
110
22
19
150
30
26
150
30
26
110
22
19
75
15
13
40
8
7
ns
单位
t
TLH
t
THL
输出转换
时间
t
PLH
t
PHL
传播延迟
时间(D - Q)
t
PLH
t
PHL
传播延迟
时间( G- Q)
t
瓦特(H)的
最小脉冲
宽度( G)
最小的建立
时间
最小保持
时间
ns
ns
ns
t
s
ns
t
h
ns
电容特性
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
5.0
5.0
T
A
= 25°C
分钟。
典型值。
5
20
马克斯。
10
价值
-40到85°C
分钟。
马克斯。
10
-55到125°C
分钟。
马克斯。
10
pF
pF
单位
C
IN
C
PD
输入电容
功耗
电容(注
1)
1) C
PD
被定义为IC的内部等效电容被从操作的电流消耗来计算,而不值
负载。 (请参考测试电路) 。平均工作电流可以由下式得到。我
CC ( OPR )
= C
PD
X V
CC
架F
IN
+ I
CC
/4(per
锁存器)
5/10
M74HC77
4位D型锁存器
s
s
s
s
s
s
s
高速:
t
PD
= 11 ns(典型值),在V
CC
= 6V
低功耗:
I
CC
= 2μA (最大值)在T
A
=25°C
高抗干扰性:
V
美国国立卫生研究院
= V
NIL
= 28 % V
CC
(分)
对称的输出阻抗:
|I
OH
| = I
OL
= 4毫安( MIN )
平衡传输延迟:
t
PLH
t
PHL
宽工作电压范围:
V
CC
( OPR) = 2V到6V
引脚和功能兼容
74系列77
DIP
SOP
TSSOP
订购代码
DIP
SOP
TSSOP
M74HC77B1R
M74HC77M1R
T&R
M74HC77RM13TR
M74HC77TTR
描述
该M74HC77是一个高速CMOS 4位D
型锁存器制造与硅栅
2
MOS
技术。
它包含两个基团通过控制2位锁存
一个使能输入端(G1
2或G3
4)。这两个锁存器
基团可以在不同的电路中使用。数据
施加到数据输入端( 1D,2D或3D, 4D)是
传送到Q输出( 1Q , 2Q , 3Q或者, 4Q )
分别当使能输入端( G1
2或G3
4)
被拉高。 Q输出将跟随数据
输入,只要使输入保持高电平。
当使能输入为低电平时,
信息数据应用到数据输入是
保持在Q输出。
所有的输入都配有保护电路
防止静电放电和瞬态过剩
电压。
引脚连接和IEC逻辑符号
2001年8月
1/10
M74HC77
IINPUT和输出等效电路
引脚说明
针无
1, 2, 5, 6
3
7, 10
8, 9, 13, 14
12
11
4
符号
一维到四维
G3
4
NC
1Q至4Q
G1
2
GND
V
CC
名称和功能
数据输入
锁存使能输入,
锁存器3和4中
无内部连接
锁存器输出
锁存使能输入,
锁存器1和2中
地( 0V )
正电源电压
真值表
输入
D
L
H
X
X:无关
输出
功能
G
H
H
L
Q
L
H
Qn
LATCH
逻辑图
2/10
M74HC77
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
电源电压
直流输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
直流输出电流
参数
价值
-0.5到+7
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5到V
CC
+ 0.5
±
20
±
20
±
25
±
50
500(*)
-65到+150
300
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
°C
I
CC
还是我
GND
DC V
CC
或接地电流
P
D
功耗
T
英镑
T
L
储存温度
焊接温度( 10秒)
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。在这些条件下的功能操作
不暗示
(*) 500毫瓦,在65
°
℃;减免至300mW的由10毫瓦/
°
C来自65
°
C至85
°
C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
O
T
op
t
r
, t
f
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度
输入上升和下降时间
V
CC
= 2.0V
V
CC
= 4.5V
V
CC
= 6.0V
参数
价值
2至6个
0到V
CC
0到V
CC
-55至125
01000
0到500
0到400
单位
V
V
V
°C
ns
ns
ns
3/10
M74HC77
DC特定网络阳离子
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
V
OL
低电平输出
电压
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
I
I
I
CC
输入漏
当前
静态电源
当前
6.0
6.0
I
O
=-20
A
I
O
=-20
A
I
O
=-20
A
I
O
= -4.0毫安
I
O
= -5.2毫安
I
O
=20
A
I
O
=20
A
I
O
=20
A
I
O
-4.0毫安
I
O
-5.2毫安
V
I
= V
CC
或GND
V
I
= V
CC
或GND
T
A
= 25°C
分钟。
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
4.18
5.68
2.0
4.5
6.0
4.31
5.8
0.0
0.0
0.0
0.17
0.18
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±
0.1
2
1.9
4.4
5.9
4.13
5.63
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±
1
20
典型值。
马克斯。
价值
-40到85°C
分钟。
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
4.10
5.60
0.1
0.1
0.1
0.40
0.40
±
1
40
A
A
V
V
马克斯。
-55到125°C
分钟。
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
马克斯。
V
单位
V
IH
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
V
IL
V
V
OH
4/10
M74HC77
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6ns的)
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
T
A
= 25°C
分钟。
典型值。
30
8
7
39
13
11
39
13
11
15
6
6
15
3
3
马克斯。
75
15
13
100
20
17
100
20
17
75
15
13
50
10
9
25
5
4
价值
-40到85°C
分钟。
马克斯。
95
19
16
125
25
21
125
25
21
95
19
16
65
13
11
30
6
5
-55到125°C
分钟。
马克斯。
110
22
19
150
30
26
150
30
26
110
22
19
75
15
13
40
8
7
ns
单位
t
TLH
t
THL
输出转换
时间
t
PLH
t
PHL
传播延迟
时间(D - Q)
t
PLH
t
PHL
传播延迟
时间( G- Q)
t
瓦特(H)的
最小脉冲
宽度( G)
最小的建立
时间
最小保持
时间
ns
ns
ns
t
s
ns
t
h
ns
电容特性
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
5.0
5.0
T
A
= 25°C
分钟。
典型值。
5
20
马克斯。
10
价值
-40到85°C
分钟。
马克斯。
10
-55到125°C
分钟。
马克斯。
10
pF
pF
单位
C
IN
C
PD
输入电容
功耗
电容(注
1)
1) C
PD
被定义为IC的内部等效电容被从操作的电流消耗来计算,而不值
负载。 (请参考测试电路) 。平均工作电流可以由下式得到。我
CC ( OPR )
= C
PD
X V
CC
架F
IN
+ I
CC
/4(per
锁存器)
5/10
M54HC77
M74HC77
4位D型锁存器
.
.
.
.
.
.
.
.
高速
t
PD
= 10 ns(典型值),在V
CC
= 5 V
低功耗
I
CC
= 2
A
( MAX 。 )在T
A
= 25
°C
高噪声抗扰度
V
美国国立卫生研究院
= V
NIL
= 28 % V
CC
(分)
输出驱动能力
10输入通道负载
对称的输出阻抗
IOH
= I
OL
= 4 MA( MIN 。 )
平衡传输延迟
t
PLH
= t
PHL
宽工作电压范围
V
CC
( OPR ) = 2 V至6 V
引脚和功能兼容
54/74LS77
B1R
(塑料包装)
F1R
(陶瓷封装)
M1R
(超小型封装)
C1R
(芯片载体)
订购代码:
M54HC77F1R
M74HC77M1R
M74HC77B1R
M74HC77C1R
描述
在M54 / 74HC77是一款高速CMOS 4位D-
型锁存器制造的硅栅
2
MOS技
术。它具有相同的高速性能
LSTTL结合真实的CMOS低功率变
消费。它包含两个基团的2位锁存器CON-
通过一个使能输入端(G1受控
2或G3
4)。这些
两个锁存基团可以在不同的电路中使用。该
数据施加到数据输入端( 1D,2D或3D, 4D)是
转移到Q输出( 1Q , 2Q , 3Q或者, 4Q )重
spectively当使能输入端(G1
2或G3
4)是
采取高。 Q输出将跟随输入数据
只要使能输入被保持高电平。当恩
可以输入为低电平时,数据信息应用
输入的数据被保持在Q输出端。所有输入
配备了防静电显示保护电路
充电和瞬态过电压。
输入和输出等效电路
引脚连接
( TOP VIEW )
NC =
无内部
连接
1992年10月
1/10
M54/M74HC77
真值表
输入
D
L
H
X
X :无关
IEC逻辑符号
输出
功能
G
H
H
L
Q
L
H
Q
n
LATCH
引脚说明
针无
1, 2, 5, 6
3
7, 10
8, 9, 13, 14
12
11
4
符号
一维到四维
G3
4
NC
1Q至4Q
G1
2
GND
V
CC
名称和功能
数据输入
锁存使能输入,
锁存器3和4中
无内部连接
锁存器输出
锁存使能输入,
锁存器1和2中
地( 0V )
正电源电压
逻辑图
2/10
M54/M74HC77
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
还是我
GND
P
D
T
英镑
T
L
电源电压
直流输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
DC输出源灌电流每路输出引脚
DC V
CC
或接地电流
功耗
储存温度
焊接温度( 10秒)
参数
价值
-0.5到+7
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5到V
CC
+ 0.5
±
20
±
20
±
25
±
50
500 (*)
-65到+150
300
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
o
o
C
C
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。这些条件下的功能操作isnotimplied 。
( * ) 500毫瓦:
65
o
C减免300兆瓦为10mW /
o
C: 65
o
C至85
o
C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
O
T
op
t
r
, t
f
参数
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度:
M54HC
系列
M74HC
系列
输入上升和下降时间
价值
2至6个
0到V
CC
0到V
CC
-55到+125
-40至+85
01000
0到500
0到400
单位
V
V
V
C
o
C
ns
o
V
CC
= 2 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6 V
3/10
M54/M74HC77
DC特定网络阳离子
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
V
OH
高层
输出电压
2.0
4.5
6.0
4.5
V
OL
低电平输出
电压
6.0
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
I
I
I
CC
输入漏
当前
静态电源
当前
6.0
6.0
V
I
=
I
O
=-20
A
V
IH
or
V
IL
I
O
= -4.0毫安
I
O
= -5.2毫安
V
I
=
I
O
= 20
A
V
IH
or
V
IL
I
O
= 4.0毫安
I
O
= 5.2毫安
V
I
= V
CC
或GND
V
I
= V
CC
或GND
1.9
4.4
5.9
4.18
5.68
2.0
4.5
6.0
4.31
5.8
0.0
0.0
0.0
0.17
0.18
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
2
T
A
= 25 C
54HC和74HC
分钟。典型值。马克斯。
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
4.13
5.63
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
20
o
价值
-40到85
o
C - 55至125
o
C
74HC
54HC
分钟。马克斯。分钟。马克斯。
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
4.10
5.60
0.1
0.1
0.1
0.40
0.40
±1
40
A
A
V
V
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
V
V
单位
V
IH
输入高电平
电压
低电平输入
电压
V
IL
4/10
M54/M74HC77
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6纳秒)
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
5
20
T
A
= 25 C
54HC和74HC
分钟。典型值。马克斯。
30
8
7
39
13
11
39
13
11
15
6
6
15
3
3
75
15
13
100
20
17
100
20
17
75
15
13
50
10
9
25
5
4
10
o
价值
-40到85
o
C - 55至125
o
C
74HC
54HC
分钟。马克斯。分钟。马克斯。
95
19
16
125
25
21
125
25
21
95
19
16
65
13
11
30
6
5
10
110
22
19
150
30
26
150
30
26
110
22
19
75
15
13
40
8
7
10
ns
pF
pF
ns
ns
ns
ns
ns
单位
t
TLH
t
THL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
瓦特(H)的
输出转换
时间
传播
延迟时间
( DATA - Q)
传播
延迟时间
(G - Q)
最小脉冲
宽度
(G)
最小的建立
时间
最小保持
时间
输入电容
功耗
电容
t
s
t
h
C
IN
C
PD
(*)
(*) C
PD
被定义为IC的内部等效电容被从操作的电流消耗来计算无负载的值。
(请参考测试电路) 。平均operting电流可以由下式得到。我
CC
( OPR ) = C
PD
V
CC
f
IN
+ I
CC
/ 4 (每FLIP / FLOP )
开关特性测试
波形
测试电路I
CC
( OPR )
INPUTWAVEFORMIS THESAVE作为柜面OFSWITCH-
ING特性试验。
5/10
M54HC77
M74HC77
4位D型锁存器
.
.
.
.
.
.
.
.
高速
t
PD
= 10 ns(典型值),在V
CC
= 5 V
低功耗
I
CC
= 2
A
( MAX 。 )在T
A
= 25
°C
高噪声抗扰度
V
美国国立卫生研究院
= V
NIL
= 28 % V
CC
(分)
输出驱动能力
10输入通道负载
对称的输出阻抗
IOH
= I
OL
= 4 MA( MIN 。 )
平衡传输延迟
t
PLH
= t
PHL
宽工作电压范围
V
CC
( OPR ) = 2 V至6 V
引脚和功能兼容
54/74LS77
B1R
(塑料包装)
F1R
(陶瓷封装)
M1R
(超小型封装)
C1R
(芯片载体)
订购代码:
M54HC77F1R
M74HC77M1R
M74HC77B1R
M74HC77C1R
描述
在M54 / 74HC77是一款高速CMOS 4位D-
型锁存器制造的硅栅
2
MOS技
术。它具有相同的高速性能
LSTTL结合真实的CMOS低功率变
消费。它包含两个基团的2位锁存器CON-
通过一个使能输入端(G1受控
2或G3
4)。这些
两个锁存基团可以在不同的电路中使用。该
数据施加到数据输入端( 1D,2D或3D, 4D)是
转移到Q输出( 1Q , 2Q , 3Q或者, 4Q )重
spectively当使能输入端(G1
2或G3
4)是
采取高。 Q输出将跟随输入数据
只要使能输入被保持高电平。当恩
可以输入为低电平时,数据信息应用
输入的数据被保持在Q输出端。所有输入
配备了防静电显示保护电路
充电和瞬态过电压。
输入和输出等效电路
引脚连接
( TOP VIEW )
NC =
无内部
连接
1992年10月
1/10
M54/M74HC77
真值表
输入
D
L
H
X
X :无关
IEC逻辑符号
输出
功能
G
H
H
L
Q
L
H
Q
n
LATCH
引脚说明
针无
1, 2, 5, 6
3
7, 10
8, 9, 13, 14
12
11
4
符号
一维到四维
G3
4
NC
1Q至4Q
G1
2
GND
V
CC
名称和功能
数据输入
锁存使能输入,
锁存器3和4中
无内部连接
锁存器输出
锁存使能输入,
锁存器1和2中
地( 0V )
正电源电压
逻辑图
2/10
M54/M74HC77
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
还是我
GND
P
D
T
英镑
T
L
电源电压
直流输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
DC输出源灌电流每路输出引脚
DC V
CC
或接地电流
功耗
储存温度
焊接温度( 10秒)
参数
价值
-0.5到+7
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5到V
CC
+ 0.5
±
20
±
20
±
25
±
50
500 (*)
-65到+150
300
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
o
o
C
C
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。这些条件下的功能操作isnotimplied 。
( * ) 500毫瓦:
65
o
C减免300兆瓦为10mW /
o
C: 65
o
C至85
o
C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
O
T
op
t
r
, t
f
参数
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度:
M54HC
系列
M74HC
系列
输入上升和下降时间
价值
2至6个
0到V
CC
0到V
CC
-55到+125
-40至+85
01000
0到500
0到400
单位
V
V
V
C
o
C
ns
o
V
CC
= 2 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6 V
3/10
M54/M74HC77
DC特定网络阳离子
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
V
OH
高层
输出电压
2.0
4.5
6.0
4.5
V
OL
低电平输出
电压
6.0
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
I
I
I
CC
输入漏
当前
静态电源
当前
6.0
6.0
V
I
=
I
O
=-20
A
V
IH
or
V
IL
I
O
= -4.0毫安
I
O
= -5.2毫安
V
I
=
I
O
= 20
A
V
IH
or
V
IL
I
O
= 4.0毫安
I
O
= 5.2毫安
V
I
= V
CC
或GND
V
I
= V
CC
或GND
1.9
4.4
5.9
4.18
5.68
2.0
4.5
6.0
4.31
5.8
0.0
0.0
0.0
0.17
0.18
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
2
T
A
= 25 C
54HC和74HC
分钟。典型值。马克斯。
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
4.13
5.63
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
20
o
价值
-40到85
o
C - 55至125
o
C
74HC
54HC
分钟。马克斯。分钟。马克斯。
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
4.10
5.60
0.1
0.1
0.1
0.40
0.40
±1
40
A
A
V
V
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
V
V
单位
V
IH
输入高电平
电压
低电平输入
电压
V
IL
4/10
M54/M74HC77
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6纳秒)
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
5
20
T
A
= 25 C
54HC和74HC
分钟。典型值。马克斯。
30
8
7
39
13
11
39
13
11
15
6
6
15
3
3
75
15
13
100
20
17
100
20
17
75
15
13
50
10
9
25
5
4
10
o
价值
-40到85
o
C - 55至125
o
C
74HC
54HC
分钟。马克斯。分钟。马克斯。
95
19
16
125
25
21
125
25
21
95
19
16
65
13
11
30
6
5
10
110
22
19
150
30
26
150
30
26
110
22
19
75
15
13
40
8
7
10
ns
pF
pF
ns
ns
ns
ns
ns
单位
t
TLH
t
THL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
瓦特(H)的
输出转换
时间
传播
延迟时间
( DATA - Q)
传播
延迟时间
(G - Q)
最小脉冲
宽度
(G)
最小的建立
时间
最小保持
时间
输入电容
功耗
电容
t
s
t
h
C
IN
C
PD
(*)
(*) C
PD
被定义为IC的内部等效电容被从操作的电流消耗来计算无负载的值。
(请参考测试电路) 。平均operting电流可以由下式得到。我
CC
( OPR ) = C
PD
V
CC
f
IN
+ I
CC
/ 4 (每FLIP / FLOP )
开关特性测试
波形
测试电路I
CC
( OPR )
INPUTWAVEFORMIS THESAVE作为柜面OFSWITCH-
ING特性试验。
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