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M74HC75
4位D型锁存器
s
s
s
s
s
s
s
高速：
t
PD
= 11ns的（ TYP 。 ）在V
CC
= 6V
低功耗：
I
CC
= 2μA （最大值）在T
A
=25°C
高抗干扰性：
V
美国国立卫生研究院
= V
NIL
= 28 % V
CC
（分）
对称的输出阻抗：
|I
OH
| = I
OL
= 4毫安（ MIN ）
平衡传输延迟：
t
PLH
t
PHL
宽工作电压范围：
V
CC
（ OPR） = 2V到6V
引脚和功能兼容
74系列75
DIP
SOP
TSSOP
订购代码
包
DIP
SOP
TSSOP
管
M74HC75B1R
M74HC75M1R
T&R
M74HC75RM13TR
M74HC75TTR
描述
该M74HC75是一个高速CMOS 4位D
型锁存器制造与硅栅
2
MOS
技术。
它包含两个基团通过控制2位锁存
一个使能输入端（G1
2或G3
4）。这两个锁存器
基团可以在不同的电路中使用。每个锁存器
有Q和Q输出（ 1Q - 4季度和1季度 - 第四季度） 。该
施加到数据输入中的数据传送到
当使能输入为Q及输出
高且输出将跟随输入的数据作为
只要使能输入被保持高电平。当
使能输入为低电平时，信息数据
施加到数据输入被保持在所述输出。
所有的输入都配有保护电路
防止静电放电和瞬态过剩
电压。
引脚连接和IEC逻辑符号
2001年8月
1/10
M74HC75
IINPUT和输出等效电路
引脚说明
针无
1, 14, 11, 8
2, 3, 6, 7
4
13
16, 15, 10, 9
12
5
符号
1Q至4Q
一维到四维
G3
4
G1
2
1Q至4Q
GND
V
CC
名称和功能
互补锁存
输出
数据输入
锁存使能输入，
锁存器3和4中
锁存使能输入，
锁存器1和2中
锁存器输出
地（ 0V ）
正电源电压
真值表
输入
D
L
H
X
G
H
H
L
输出
功能
Q
L
H
Qn
Q
H
L
Qn
LATCH
逻辑图
2/10
M74HC75
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
电源电压
直流输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
直流输出电流
参数
价值
-0.5到+7
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5到V
CC
+ 0.5
±
20
±
20
±
25
±
50
500(*)
-65到+150
300
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
°C
I
CC
还是我
GND
DC V
CC
或接地电流
P
D
功耗
T
英镑
T
L
储存温度
焊接温度（ 10秒）
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。在这些条件下的功能操作
不暗示
（*） 500毫瓦，在65
°
℃;减免至300mW的由10毫瓦/
°
C来自65
°
C至85
°
C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
O
T
op
t
r
, t
f
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度
输入上升和下降时间
V
CC
= 2.0V
V
CC
= 4.5V
V
CC
= 6.0V
参数
价值
2至6个
0到V
CC
0到V
CC
-55至125
01000
0到500
0到400
单位
V
V
V
°C
ns
ns
ns
3/10
M74HC75
DC特定网络阳离子
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
V
OL
低电平输出
电压
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
I
I
I
CC
输入漏
当前
静态电源
当前
6.0
6.0
I
O
=-20
A
I
O
=-20
A
I
O
=-20
A
I
O
= -4.0毫安
I
O
= -5.2毫安
I
O
=20
A
I
O
=20
A
I
O
=20
A
I
O
-4.0毫安
I
O
-5.2毫安
V
I
= V
CC
或GND
V
I
= V
CC
或GND
T
A
= 25°C
分钟。
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
4.18
5.68
2.0
4.5
6.0
4.31
5.8
0.0
0.0
0.0
0.17
0.18
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±
0.1
2
1.9
4.4
5.9
4.13
5.63
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±
1
20
典型值。
马克斯。
价值
-40到85°C
分钟。
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
4.10
5.60
0.1
0.1
0.1
0.40
0.40
±
1
40
A
A
V
V
马克斯。
-55到125°C
分钟。
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
马克斯。
V
单位
V
IH
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
V
IL
V
V
OH
4/10
M74HC75
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6ns的）
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
T
A
= 25°C
分钟。
典型值。
25
7
6
36
12
10
40
13
11
18
6
6
马克斯。
75
15
13
110
22
19
125
25
21
75
15
13
50
10
9
25
5
4
价值
-40到85°C
分钟。
马克斯。
95
19
16
140
28
24
155
31
26
95
19
16
65
13
11
30
6
5
-55到125°C
分钟。
马克斯。
110
22
19
165
33
28
190
38
32
110
22
19
75
15
13
40
8
7
ns
单位
t
TLH
t
THL
输出转换
时间
t
PLH
t
PHL
传播延迟
时间（ DATA - Q）
t
PLH
t
PHL
传播延迟
时间（ G- Q）
t
瓦特（H）的
最小脉冲
宽度（ G）
最小的建立
时间
最小保持
时间
ns
ns
ns
t
s
ns
t
h
ns
电容特性
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
5.0
5.0
T
A
= 25°C
分钟。
典型值。
5
30
马克斯。
10
价值
-40到85°C
分钟。
马克斯。
10
-55到125°C
分钟。
马克斯。
10
pF
pF
单位
C
IN
C
PD
输入电容
功耗
电容（注
1)
1) C
PD
被定义为IC的内部等效电容被从操作的电流消耗来计算，而不值
负载。 （请参考测试电路） 。平均工作电流可以由下式得到。我
CC （ OPR ）
= C
PD
X V
CC
架F
IN
+ I
CC
5/10
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