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M72DW64000B
64Mbit的（ X8 / X16 ，多个银行，引导块）快闪记忆体和
16Mbit的SRAM伪， 3V电源，多个存储产品
初步数据
功能摘要
■
多种存储产品
- 64Mbit的（ 8M ×8或4M ×16） ，多行，页，
引导块，闪存
- 16兆（ 1M ×16 ）伪静态RAM
■
电源电压
– V
CCF
= V
CCP
= 2.7 3.3V
– V
PPF
= 12V快速程序（可选）
■
■
■
图1.包装
FBGA
存取时间： 70为90ns
低功耗
电子签名
- 制造商代码： 0020H
- 器件代码： 227Eh + 2202h + 2201h
LFBGA73 （ZA）
8× 11.6毫米
FL灰内存
■
异步页面读取模式
- 页面宽度： 4字
- 页面访问： 25 ， 30ns的
■
编程时间
- 每字节为10μs /字典型
- 4字/ 8字节，一个时间计划
■
■
V
PP
/ WP引脚用于快速编程和写
保护
临时块解除保护
模式
通用闪存接口
- 64位验证码
扩展内存块
- 额外的块作为安全块或存储
附加信息
内存块
- 四组内存阵列：
8Mbits +格式，24Mbits +格式，24Mbits + 8Mbits
- 参数块（在顶部和底部）
■
■
■
双重运作逻辑
- 虽然在一组银行编程或擦除
（从1到3） ，读出在任何其他银行的
■
■
编程/擦除挂起和恢复
模式
- 读取来自任何阻止程序时
暂停
- 阅读并计划在另一座
擦除挂起
■
每10万编程/擦除周期
块
■
解锁绕道程序命令
- 加快生产/批处理编程
PSRAM
■
访问时间： 70ns的
■
深层关机电流：10μA
■
低V
CC
数据保存： 2.3V
■
低待机电流： 70μA
2003年10月
这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。详细信息如有变更，恕不另行通知。
1/19
M72DW64000B
目录
概要说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
图2.逻辑图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
表1.信号名称。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
图3. LFBGA连接（通过包顶视图） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
信号描述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
地址输入（ A0 - A21 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
数据输入/输出（ DQ0 - DQ7 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
数据输入/输出（ DQ8 - DQ14 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
数据输入/输出或输入地址（ DQ15A - 1）...... 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
闪存-1芯片使能（ EF ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
输出使能（ G） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
写使能（ W） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
V
PP/
写保护（V
PP/
WP ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
复位/座临时撤消（ RPF ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
就绪/忙输出（ RB ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
字节/字组织的选择（ BYTE ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
PSRAM芯片使能输入（ E1P ， E2P ） ...... 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
PSRAM高字节使能（ UBP ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
PSRAM低字节使能（ LBP ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
V
CCF
电源电压（2.7 3.3V ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
V
CCP
电源电压（2.7 3.3V ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
V
SS
地面...... 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
功能描述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
表2.主要操作模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
图4.功能框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
闪存设备。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
PSRAM器件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
表3.绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
直流和交流参数。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
表4.操作和AC测量条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
图5. AC测量I / O的波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
图6. AC测量负载电路。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
表5.器件电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
表6.闪存直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
表7. PSRAM直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
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M72DW64000B
包装机械。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
图7.堆积LFBGA73 8x11.6mm ， 10X12阵列， 0.8mm间距，底视图包装Outline15
表8.堆积LFBGA73 8x11.6mm ， 10X12阵列， 0.8mm间距，包装机械数据。 。 。 16
零件编号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
表9.订购信息计划。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
表10.文档修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
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M72DW64000B
概要说明
该M72DW64000B是低电压的多
存储产品结合了两个内存DE-
恶习; 64兆位多银行，引导块闪存
存储器（ M29DW640D ）和一个16兆比特的伪
SRAM 。这个文件应当要结合
化与M29DW640D和M69AW024B
数据表。
推荐工作条件不允许
一个以上的内部存储装置的至
是活动的同时。
该存储器被提供在一个LFBGA73
（ 8× 11.6毫米，0.8毫米间距）封装，被抑制
合股所有擦除的位（设置为' 1'） 。
图2.逻辑图
V
PP
/ WP
V
CCF
22
A0-A21
A20-A21
地址输入
闪存-1芯片使能输入
复位/座临时撤消
READY / BUSY输出
字节/字组织的选择
表1.信号名称
A0-A19
DQ0-DQ7
DQ8-DQ14
DQ15A–1
G
W
V
CCF
常见的Flash地址输入
内存和PSRAM组件
数据输入/输出
数据输入/输出
数据输入/输出或输入地址
输出使能输入
写使能输入
快闪记忆体供电
V
PP
/写保护
地
PSRAM电源
在内部没有连接
V
PP
/ WP
V
SS
V
CCP
NC
V
CCP
闪存控制功能
15
E
F
G
W
RP
F
字节
E1
P
E2
P
UB
P
LB
P
M72DW64000B
RB
DQ0-DQ14
DQ15A–1
E
F
RP
F
RB
字节
PSRAM控制功能
E1
P
, E2
P
UB
P
LB
P
芯片使能输入
高字节使能输入
低字节使能输入
V
SS
AI08527
4/19
M72DW64000B
图3. LFBGA连接（通过包顶视图）
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
A
NC
NC
B
NC
NC
NC
NC
C
NC
A7
LBS
VPP
/ WP
W
A8
A11
D
A3
A6
瑞银
RPF
E2S
A19
A12
A15
E
A2
A5
A18
RB
A20
A9
A13
A21
F
NC
A1
A4
A17
A10
A14
NC
NC
G
NC
A0
VSS
DQ1
DQ6
NC
A16
NC
H
EF
G
DQ9
DQ3
DQ4
DQ13
DQ15
/A-1
字节
J
E1S
DQ0
DQ10
VCCF
VCCS
DQ12
DQ7
VSS
K
DQ8
DQ2
DQ11
NC
DQ5
DQ14
M
NC
NC
NC
NC
N
NC
NC
AI08528
5/19
M72DW64000B
64Mbit的（ X8 / X16 ，多个银行，引导块）快闪记忆体和
16Mbit的SRAM伪， 3V电源，多个存储产品
初步数据
功能摘要
■
多种存储产品
- 64Mbit的（ 8M ×8或4M ×16） ，多行，页，
引导块，闪存
- 16兆（ 1M ×16 ）伪静态RAM
■
电源电压
– V
CCF
= V
CCP
= 2.7 3.3V
– V
PPF
= 12V快速程序（可选）
■
■
■
图1.包装
FBGA
存取时间： 70为90ns
低功耗
电子签名
- 制造商代码： 0020H
- 器件代码： 227Eh + 2202h + 2201h
LFBGA73 （ZA）
8× 11.6毫米
FL灰内存
■
异步页面读取模式
- 页面宽度： 4字
- 页面访问： 25 ， 30ns的
■
编程时间
- 每字节为10μs /字典型
- 4字/ 8字节，一个时间计划
■
■
V
PP
/ WP引脚用于快速编程和写
保护
临时块解除保护
模式
通用闪存接口
- 64位验证码
扩展内存块
- 额外的块作为安全块或存储
附加信息
内存块
- 四组内存阵列：
8Mbits +格式，24Mbits +格式，24Mbits + 8Mbits
- 参数块（在顶部和底部）
■
■
■
双重运作逻辑
- 虽然在一组银行编程或擦除
（从1到3） ，读出在任何其他银行的
■
■
编程/擦除挂起和恢复
模式
- 读取来自任何阻止程序时
暂停
- 阅读并计划在另一座
擦除挂起
■
每10万编程/擦除周期
块
■
解锁绕道程序命令
- 加快生产/批处理编程
PSRAM
■
访问时间： 70ns的
■
深层关机电流：10μA
■
低V
CC
数据保存： 2.3V
■
低待机电流： 70μA
2003年10月
这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。详细信息如有变更，恕不另行通知。
1/19
M72DW64000B
目录
概要说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
图2.逻辑图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
表1.信号名称。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
图3. LFBGA连接（通过包顶视图） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
信号描述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
地址输入（ A0 - A21 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
数据输入/输出（ DQ0 - DQ7 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
数据输入/输出（ DQ8 - DQ14 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
数据输入/输出或输入地址（ DQ15A - 1）...... 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
闪存-1芯片使能（ EF ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
输出使能（ G） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
写使能（ W） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
V
PP/
写保护（V
PP/
WP ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
复位/座临时撤消（ RPF ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
就绪/忙输出（ RB ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
字节/字组织的选择（ BYTE ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
PSRAM芯片使能输入（ E1P ， E2P ） ...... 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
PSRAM高字节使能（ UBP ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
PSRAM低字节使能（ LBP ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
V
CCF
电源电压（2.7 3.3V ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
V
CCP
电源电压（2.7 3.3V ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
V
SS
地面...... 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
功能描述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
表2.主要操作模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
图4.功能框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
闪存设备。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
PSRAM器件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
表3.绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
直流和交流参数。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
表4.操作和AC测量条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
图5. AC测量I / O的波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
图6. AC测量负载电路。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
表5.器件电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
表6.闪存直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
表7. PSRAM直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
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M72DW64000B
包装机械。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
图7.堆积LFBGA73 8x11.6mm ， 10X12阵列， 0.8mm间距，底视图包装Outline15
表8.堆积LFBGA73 8x11.6mm ， 10X12阵列， 0.8mm间距，包装机械数据。 。 。 16
零件编号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
表9.订购信息计划。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
表10.文档修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
3/19
M72DW64000B
概要说明
该M72DW64000B是低电压的多
存储产品结合了两个内存DE-
恶习; 64兆位多银行，引导块闪存
存储器（ M29DW640D ）和一个16兆比特的伪
SRAM 。这个文件应当要结合
化与M29DW640D和M69AW024B
数据表。
推荐工作条件不允许
一个以上的内部存储装置的至
是活动的同时。
该存储器被提供在一个LFBGA73
（ 8× 11.6毫米，0.8毫米间距）封装，被抑制
合股所有擦除的位（设置为' 1'） 。
图2.逻辑图
V
PP
/ WP
V
CCF
22
A0-A21
A20-A21
地址输入
闪存-1芯片使能输入
复位/座临时撤消
READY / BUSY输出
字节/字组织的选择
表1.信号名称
A0-A19
DQ0-DQ7
DQ8-DQ14
DQ15A–1
G
W
V
CCF
常见的Flash地址输入
内存和PSRAM组件
数据输入/输出
数据输入/输出
数据输入/输出或输入地址
输出使能输入
写使能输入
快闪记忆体供电
V
PP
/写保护
地
PSRAM电源
在内部没有连接
V
PP
/ WP
V
SS
V
CCP
NC
V
CCP
闪存控制功能
15
E
F
G
W
RP
F
字节
E1
P
E2
P
UB
P
LB
P
M72DW64000B
RB
DQ0-DQ14
DQ15A–1
E
F
RP
F
RB
字节
PSRAM控制功能
E1
P
, E2
P
UB
P
LB
P
芯片使能输入
高字节使能输入
低字节使能输入
V
SS
AI08527
4/19
M72DW64000B
图3. LFBGA连接（通过包顶视图）
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
A
NC
NC
B
NC
NC
NC
NC
C
NC
A7
LBS
VPP
/ WP
W
A8
A11
D
A3
A6
瑞银
RPF
E2S
A19
A12
A15
E
A2
A5
A18
RB
A20
A9
A13
A21
F
NC
A1
A4
A17
A10
A14
NC
NC
G
NC
A0
VSS
DQ1
DQ6
NC
A16
NC
H
EF
G
DQ9
DQ3
DQ4
DQ13
DQ15
/A-1
字节
J
E1S
DQ0
DQ10
VCCF
VCCS
DQ12
DQ7
VSS
K
DQ8
DQ2
DQ11
NC
DQ5
DQ14
M
NC
NC
NC
NC
N
NC
NC
AI08528
5/19
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推荐型号
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MLL5277
MI-L22-MZ
MMG2001T1
MAC50A
MAX9951DCCB-D
MX7531J/D
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