威伦
WBFBP - 03A塑封装的MOSFET
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏
MOSFET（ N通道）
电流和耐热性。
低调的表面安装，以便应用程序
FM120-M
THRU
M7002TTD03
FM1200-M
无铅产品
D
顶部
0.012 （ 0.3 ）典型值。
包
特点
包装外形
WBFBP-03A
(1.6×1.6×0.5)
0.146(3.7)
单位：mm
0.130(3.3)
SOD-123H
描述
高英法fi效率。
低功耗，
高细胞
电流能力，
技术。
电压降。
高
密度， DMOS
低正向
这些产品已被设计成
高
通态电阻，同时提供坚固，可靠，快速切换
最小化
浪涌能力。
Guardring过电压保护。
性能。它们能够用于需要高达400mA的直流大多数应用中使用
超高速开关。
可提供脉冲电流高达2A 。这些产品特别适用于
和
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
无铅零件符合环保标准
于低电压，低电流的应用，如小的伺服电机控制，功率
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
优化电路板空间。
G
0.071(1.8)
0.056(1.4)
S
D
1.门
2.源
3.排水
后
S
0.040(1.0)
0.024(0.6)
RoHS指令
栅极驱动器，和
CODE
开关
MOSFET
产品包装
其他
后缀"G"
应用程序。
无卤素产品的包装代号后缀"H"
特点
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
高密度电池设计低R
DS （ ON）
案例：模压塑料， SOD- 123H
,
电压控制的小信号开关
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
法
坚固可靠
2026
机械数据
G
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.031 （ 0.8 ）典型值。
极性：指示
能力
高饱和电流
由阴极频带
安装位置：任意
重量：的逼近0.011克
应用
尺寸以英寸（毫米）
N沟道
最大额定值和电气特性
增强型场效应晶体管
对于便携式设备（如手机， MP3 ，MD ， CD - ROM ，
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
标记： 72
无铅封装可用
符号
FM120-M
FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
单位
评级
D
RoHS指令
标识代码
产品包装代号后缀“G”
12
13
14
15
16
18
10
115
120
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
单相半
笔记本电脑等）
感性负载。
DVD-ROM
波， 60Hz，电阻
对于容性负载，减免电流20 ％
V
RRM
无卤素产品的包装代号后缀
20
“H”
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
14
20
30
21
40
50
60
80
56
28
40
35
50
42
60
1.0
30
40
120
72
70
100
150
105
200
140
伏
伏
伏
安培
30
80
G
100
S
150
200
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定
额定值（T = 25
℃
最大
负荷（ JEDEC的方法）
a
安培
典型热阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
工作温度范围
符号
除非另有说明）
R
θJA
C
J
T
J
参数
V
DS
I
D
P
D
漏源
电压
价值
单位
V
V
mA
mW
℃
℃/W
PF
℃
℃
-55到+125
60
-55到+150
V
GSS
存储温度范围
栅源电压 - 连续
TSTG
±20
-
65
到+175
115
0.50
0.70
0.5
10
特征
最大漏极电流 - 脉冲
功耗
V
F
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
单位
最大正向电压在1.0A DC
150
T
J
额定阻断电压DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
R
θJA
T
英镑
热阻
从
结到环境
连接点
@T A = 125 ℃
温度
I
R
储存温度
833
150
0.85
0.9
℃/W
℃
0.92
伏
毫安
注意事项：
-55-150
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
2012-06
威伦电子股份有限公司。
2012-0
威伦电子股份有限公司。
威伦
WBFBP - 03A塑封装的MOSFET
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
批量处理的设计，出色的功耗报价
FM120-M
THRU
M7002TTD03
FM1200-M
无铅产品
包
包装外形
特点
电气特性（T
a
=25
℃
除非另有规定编）
符号
更好的反向漏电流和耐热性。
测试条件
参数
低调的表面安装，以便应用程序
V
GS
=0V,I
D
=10μA
V
（ BR ） DSS
漏源击穿电压
优化电路板空间。
V
GS
=0V,I
D
=3mA
低功耗，高效率。
HIGH CURRENT
电压*
V
（ GS ）个
栅极阈值
能力，低正向电压降。
V
DS
=V
GS
, I
D
=250μA
高浪涌能力。
V
DS
=0V, V
GS
=±25V
l
GSS
门体漏
Guardring过电压保护。
V
DS
=60V, V
GS
=0V
栅极电压漏极电流
I
DSS
零
超高速开关。
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
V
DS
=60V,V
GS
=0V,T
j
=125℃
无铅零件符合
I
D（上）
通态漏电流*
环保标准
V
GS
=10V, V
DS
=7V
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
V
GS
= 10V ，我
D
=500mA
符合RoHS的产品包装代码
R
漏源导通电阻*
后缀"G"
DS （ ON）
V
GS
= 5V ，我
D
=50mA
无卤素产品的包装代号后缀"H"
漏源电压开 - *
民
SOD-123H
典型值
60
60
0.146(3.7)
1
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
最大
单位
V
±100
0.071(1.8)
0.056(1.4)
nA
μA
mA
1
500
7.2
7.2
500
1
1
V
ms
V
pF
机械数据
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
V
GS
= 5V ，我
D
=50mA
案例：模压塑料， SOD- 123H
g
fs
V
DS
= 10V ，我
D
=200mA
转发Tranconductance *
0.031 （ 0.8 ）典型值。
,
I
S
= 115毫安，V
GS
=0V
V
SD
二极管的正向电压
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
方法2026
输入电容
V
DS （ ON）
V
GS
= 10V ，我
D
=500mA
80
3.75
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.375
1.2
50
0.031 （ 0.8 ）典型值。
C
国际空间站
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
d
V
DS
=30V, V
GS
=10V,
I = 250毫安
极性：指示
输出电容
由阴极频带
C
OSS
安装位置：任意
反向传输电容
重量：的逼近0.011克
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
=25V, V
GS
=0V,f=1MHz
尺寸以英寸（毫米）
25
5
1
25
5
D
最大额定值和电气特性
nC
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
*
脉冲测试脉冲width≤300μs ，值班
感性的
单相
,
半波， 60赫兹，电阻
cycle≤2 ％ 。
负载。
对于容性负载，
时间
20％的电流
开关
减额
标识代码
开启时间
评级
符号
FM120-M
FM130 - MH
G
=25
FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
单位
V
DD
=25V,R
FM140-MH
20
t
D（上）
最大RMS电压
最大的经常峰值反向电压
打开-O FF时间
t
D（关闭）
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
12
I
D
=500mA,V
根
=10V
15
13
14
20
30
40
50
14
20
R
L
=50
21
30
16
60
42
60
1.0
30
18
80
56
80
10
100
70
100
115
40
150
105
150
120
ns
200
140
200
伏
伏
伏
安培
28
40
35
50
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
安培
典型热阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
工作温度范围
存储温度范围
-55到+125
40
120
-55到+150
℃/W
PF
℃
℃
-
65
到+175
特征
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
单位
V
F
@T A = 125 ℃
0.50
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
伏
毫安
I
R
注意事项：
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
2012-06
威伦电子股份有限公司。
2012-0
威伦电子股份有限公司。
QQ：2881677436 复制
