【三菱的LSIM6MGB/T166S4BWG16777216位（ 1,048,576 -word 16】,IC型号M6MGT166S4BWG,M6MGT166S4BWG PDF资料,M6MGT166S4BWG经销商,ic,电子元器件-51电子网

三菱的LSI

M6MGB/T166S4BWG

16777216位（ 1,048,576 -word 16位） CMOS

3.3V -ONLY闪存&

4,194,304位（ 262,144字×16位） CMOS SRAM

堆叠CSP （芯片级封装）

描述

三菱M6MGB / T166S4BWG是一个堆叠芯片

级封装（ S- CSP）的内容， 16M位闪存

在一个72针的S- CSP内存和4M位的静态RAM 。

16M位闪存是一种1,048,576的话， 3.3V -只，

和高性能非易失性存储器制造由

CMOS技术的外围电路和

DINOR （分位线NOR ）架构的内存

细胞。

4M位SRAM是一种262,144words unsynchronous SRAM

由硅栅CMOS技术制造。

M6MGB / T166S4BWG适合的应用

移动通信系统，以减少两个安装

空间和重量。

特点

访问时间

FL灰内存

为90ns （最大）

SRAM

85ns （最大）

电源电压

VCC = 2.7 3.6V

=环境温度

W版本

TA = -20 85°C

封装： 72引脚S- CSP ，球间距为0.8mm

应用

移动通讯产品

引脚配置（顶视图）

指数

F-A18

S- LB ＃

F- WP ＃

GND

F- WE＃

F-

RY / BY ＃

A16

A10

DQ15

A11

A15

A14

A13

A12

F- GND

F-A17

S- UB ＃

F-A19

F- RP ＃

F- VCC

S- VCC

F- GND

GND

A0-A16

S-

CE1#

S- OE ＃

DQ12

S-

CE2

S- VCC

S-A17

DQ11

11.0 mm

F- CE ＃

杜DQ9

DQ8

DQ10

DQ13

： VCC时闪光

： VCC时SRAM

： GND为Flash

：闪存/ SRAM共同GND

：闪存/ SRAM

通用地址

F- A17 -F - A19 ：地址为Flash

：地址为SRAM

S-A17

DQ0-DQ15

：闪存/ SRAM

通用数据的I / O

F- CE ＃

S-CE1#

S-CE2

F- OE ＃

S- OE ＃

F- WE＃

S- WE＃

F- WP ＃

F- RP ＃

F- RY / BY ＃

S- LB ＃

S- UB ＃

：闪存芯片使能

： SRAM芯片使能

：闪光输出使能

： SRAM输出使能

： Flash写使能

： SRAM写使能

：闪存写保护

：闪存复位关机

：闪存就绪/忙

： SRAM的低字节

： SRAM高字节

F- GND

DQ6

DQ4

S- WE＃

F- OE ＃

DQ0 DQ2

DQ1 DQ3

DQ14

F- VCC

DQ5 DQ7

8.0 mm

NC ：无连接

杜：不要使用（注：应该是开放的）

1999年4月， Rev.1.7

三菱的LSI

M6MGB/T166S4BWG

16777216位（ 1,048,576 -word 16位） CMOS

3.3V -ONLY闪存&

4,194,304位（ 262,144字×16位） CMOS SRAM

堆叠CSP （芯片级封装）

框图

16MB闪存

F- á

地址

输入

F- CE ＃

F- OE ＃

F- WE＃

F- WP ＃

F- RP ＃

128字的页面缓冲区

主座

32KW

F-VCC(3.3V)

银行（ II ）

F- GND / GND

(0V)

主座

参数Block7

参数Block6

参数BLOCK5

参数块4

参数块3

参数块2

参数块1

BOOT BLOCK

X解码器

银行（ I）

32KW

16KW

y解码器

Y型门/感应放大器。

状态/ ID寄存器

多路复用器

芯片使能输入

输出使能输入

写使能输入

写保护输入

RESET / POWER DOWN输入

崔

WSM

输入/输出

缓冲器

READY / BUSY输出

F- RY / BY ＃

4MB SRAM

地址输入缓冲器

感测放大器。

数据输入/输出

行解码器

262144字X

16位

输出缓冲器

DQ 0

DQ 7

感测放大器。

输出缓冲器

DQ 8

S-A

S-CE1#

S-CE2

S- LB ＃

S- UB ＃

S- WE＃

S- OE ＃

时钟

发电机

DQ15

DataInput中

卜FF器

S- VCC

DataInput中

卜FF器

GND

1999年4月， Rev.1.7

三菱的LSI

M6MGB/T166S4BWG

16777216位（ 1,048,576 -word 16位） CMOS

3.3V -ONLY闪存&

4,194,304位（ 262,144字×16位） CMOS SRAM

堆叠CSP （芯片级封装）

1.闪存

描述

M6MGB / T166S4BWG的闪存为3.3V ，仅高速16777216位CMOS引导块闪存记忆与交流

BGO （回地面操作）功能。该装置的BGO功能允许编程或擦除操作在一个库中进行

而装置同时允许读操作，以对其他银行进行。这BGO特征是适合于移动和

个人计算和通信产品。 M6MGB / T166S4BWG的闪存是采用CMOS工艺制造的

外围电路和DINOR （分裂位线NOR）体系结构的存储器单元。

特点

组织

.................................

1048,576字X 16位

BOOT BLOCK

M6MGB166S4BWG

........................

底部启动

M6MGT166S4BWG

........................

热门引导

其他功能

软洁具命令控制

选择性块锁

擦除挂起/恢复

计划暂停/恢复

状态寄存器读

交替回地面编程/擦除操作

银行（ I）和银行（ II ）之间

.............................

= 2.7~3.6V

电源电压

................................

存取时间

..............................

为90ns （最大）

功耗

.................................

54毫瓦（最大。在5MHz ）

读

（自动保存断电后）

..........

0.33μW （典型值）。

编程/擦除

.................................

126毫瓦（最大）

.................................

0.33μW （典型值）。

待机

深度掉电模式

.......................

0.33μW （典型值）。

的银行自动程序（一）

.................................

4毫秒（典型值）。

节目时间

程序单元

.........................

1word

（字节编程）

（页编程）

.........................

128word

的银行自动程序（ II ）

.................................

4毫秒（典型值）。

节目时间

.................................

128word

程序单元

自动擦除

.................................

40毫秒（典型值）。

擦除时间

擦除单元

银行（我）引导块

.....................

16KWord的X 1

..............

参数块

16KWord的×7

......................

32Kword ×28

银行（ II ）主座

编程/擦除周期

.........................................

100Kcycles

1999年4月， Rev.1.7

三菱的LSI

M6MGB/T166S4BWG

16777216位（ 1,048,576 -word 16位） CMOS

3.3V -ONLY闪存&

4,194,304位（ 262,144字×16位） CMOS SRAM

堆叠CSP （芯片级封装）

功能

M6MGB / T166S4BWG的Flash存储器包括片

编程/擦除控制电路。写状态机（ WSM ）

控制块擦除和字节/页编程操作。

经营模式由写入命令选择

命令的用户界面（ CUI）。状态寄存器指示

在WSM的地位和在WSM顺利完成

期望的节目或块擦除操作。

深层掉电模式被激活时， F- RP ＃引脚为

GND ，降低了功耗。

读

M6MGB / T166S4BWG的闪存有三个读

模式，它访问到所述存储器阵列，所述设备标识符

和状态寄存器。适当的读命令是

需要被写入到在CUI 。在最初的设备通电或

从深掉电退出后，闪存自动

重置读阵列模式。在读阵列模式，低电平输入

以F- CE ＃和F - OE ＃，高电平输入到F -WE ＃和F -RP ＃和

地址信号提供给地址输入端（F -A19 -F- A17 ， A16 -A0 ）

输出被寻址单元的数据输入/输出的数据（

D15-D0).

写

写到崔使读取存储器阵列的数据，设备

标识符和读数和状态寄存器清零。他们

也使块擦除和编程。崔写的是

把F- WE ＃为低电平，而F- CE＃为低电平和F- OE ＃

处于高电平。地址和数据锁存早期崛起

对F- WE ＃和F -CE ＃边缘。标准的微处理器的写

定时被使用。

交替后台操作（ BGO ）

M6MGB / T166S4BWG的闪存允许读取阵列

从一个银行，而其他银行的操作软件

命令写入骑自行车或在擦除/编程操作

的背景。读阵列的操作与BGO其他银行

通过改变存储单元地址而无需任何附加执行

命令。当银行的地址指向软件银行

命令写入骑自行车或擦除/编程操作，

该数据是从状态寄存器读出。与所述接入时间

BGO是一样的正常读出操作。

输出禁用

当F- OE ＃为VIH ，从设备输出被禁用。数据

输入/输出处于高阻抗（高Z）状态。

待机

当F- CE＃为在VIH时，设备处于待机模式，并

它的功耗减小。数据输入/输出是在一

高阻抗（High -Z ）状态。如果内存取消

在块擦除或编程，内部控制电路

保持活跃，该设备正常消耗的有功功率

直到操作完成。

深度掉电

当F- RP ＃是为VIL ，该装置是在深断电

模式，其功耗是相当低的。中

阅读模式下，内存被取消和数据

输入/输出处于高阻抗（高Z）状态。后

从断电恢复，崔复位到读阵列和

状态寄存器清为80H值。

在块擦除或编程模式， F- RP ＃低会中止

无论是操作。块的存储器阵列的数据被修改

变得无效。

自动省电（ APS ）

自动省电最大限度地减少了功率

在读模式下的消耗。自动装置

变为该模式时，任何地址或F- CE＃为不

最后的交替变化后超过200纳秒。该

功率消耗变得一样的待机

模式。在此模式下，输出数据被锁存并能

被读出。新的数据正确读出地址时，

被改变。

1999年4月， Rev.1.7

三菱的LSI

M6MGB/T166S4BWG

16777216位（ 1,048,576 -word 16位） CMOS

3.3V -ONLY闪存&

4,194,304位（ 262,144字×16位） CMOS SRAM

堆叠CSP （芯片级封装）

C）单数据加载到页面缓冲区（ 74H ）

/页缓冲区到Flash （ 0EH / D0H ）

单个数据加载到页缓冲器被写入74H执行

接着是第二写入指定列地址和

数据。不同的数据多达128word可以加载到页

通过这两年的命令序列缓存。另一方面，所有的

加载的数据到页缓冲器同时程序性

通过编写页面缓冲，以0EH Flash的命令，随后的

确认D0H的命令。编程的完成之后

在页面缓冲器中的数据被自动清除。

此命令仅对银行（ I）相似的Word程序。

清除页面缓冲区命令

(55H)

加载数据到页缓冲器被写入清除清除

55H的页面缓冲区命令后确认命令

的D0H 。该命令适用于由单结算加载数据

数据加载到页面缓冲区命令。

挂起/恢复命令

(B0H/D0H)

在块擦除写B0H的暂停命令

操作中断的块擦除操作，并且允许读出

从另一个内存块。写的暂停命令

在编程操作期间B0H中断程序的操作

并允许从存储器另一个块中读出。银行

写的时候暂停/恢复命令地址是必需的。

该设备将继续输出状态寄存器中读取数据时，

暂停命令后写入其中。轮询WSM

状态和暂停状态位将决定何时擦除

操作或编程操作已被暂停。在这

点读阵列命令写入到崔使

从块比其悬浮其它读取的数据。

当D0H的恢复命令写入CUI ，

在WSM将继续与擦除或编程过程。

软件命令定义

该设备操作通过编写特定的软件选择

命令到命令的用户界面。

读阵列命令

（ FFH ）

该设备是在初始器件上电时读阵列模式，

从深掉电退出后，或者通过写FFH的

命令的用户界面。开始内部操作的后

设备会自动设置为读状态寄存器模式。

阅读设备标识符命令

(90H)

它通常可以读取设备识别码时，读取设备

标识代码命令（ 90H ）写入命令锁存器。

以下的命令写入，制造商代码和

设备代码可以从地址00000H和00001H读，

分别。

读状态寄存器命令

(70H)

写读状态寄存器后，状态寄存器读

命令70H到命令的用户界面的。另外，后

开始内部操作的设备被设置为读取状态

自动注册模式。

状态寄存器的内容被锁定在后来的下跌

对F- OE ＃或F - CE ＃边缘。因此， F- CE ＃或F - OE ＃必须切换

每一个状态读取。

清除状态寄存器命令

(50H)

擦除状态，程序状态和块状态位被设置为

由写状态机"1"s并只能通过清除复位

状态寄存器50H的命令。这些位表示不同

失败条件。

数据保护

块擦除/确认命令

(20H/D0H)

自动块擦除是通过写块擦除启动

20H的命令，随后D0H的确认命令。一

要被擦除的块中的地址是必需的。在WSM

反复执行擦除脉冲应用和擦除验证

操作。

程序命令

A） Word程序（ 40H ）

字程序是由一个双指令序列执行。该

40H的Word程序设置命令写入

命令接口，随后是第二写入指定

地址和数据被写入。在WSM控制程序

脉冲应用和验证操作。 Word程序

命令仅对银行（ I）。

B）页编程的数据块（ 41H ）

世行（ I）和银行（ II ）的页编程允许快速编程

数据128words 。 41H写入启动页编程

操作为数据区域。从第二个周期到第129周，写

数据必须被串行输入。地址A6 -A0需要成为

从00h到7FH 。数据装载完毕后，将

WSM控制编程脉冲应用和验证操作。

M6MGB / T166S4BWG的快闪记忆体提供了可选

存储块的块锁定。每个块都有一个相关联的

非易失锁定位，它确定该块的锁定状态。

另外，闪存具有一个主写保护引脚

（F- WP＃），其可以防止任何修改的存储器块

其锁定位被设置为"0" ，当F- WP＃为低电平。当F- WP ＃

为高电平时，所有的块可以被编程或擦除不管

的锁定位，并且锁定位的状态被清除为"1"由

抹去。请参阅第9页的详细信息，块锁定表。

电源电压

当电源电压（F -VCC ）小于V

LKO ，

低

锁定电压时，器件设置为只读模式。

V关于DC电气特性

LKO ，

见P.10 。

需要的2μs的延迟时间任何设备的操作之前，

发起。的延迟时间是从时间F - cc达到测

F- Vccmin （ 2.7V ）。

在上电期间， F- RP ＃ = GND建议。飘落在忙

状态是不建议损坏器件的可能性。

存储器组织

M6MGB / T166S4BWG的闪存有一个16KWord的

引导块， 7 16KWord的参数块，银行（I）和

28 32Kword的银行主要模块（ II ）。块擦除

独立地在阵列中的其他块。

1999年4月， Rev.1.7

三菱的LSI

M6MGB/T166S4BWG

16777216位（ 1,048,576 -word 16位） CMOS

3.3V -ONLY闪存&

4,194,304位（ 262,144字×16位） CMOS SRAM

堆叠CSP （芯片级封装）

描述

三菱M6MGB / T166S4BWG是一个堆叠芯片

级封装（ S- CSP）的内容， 16M位闪存

在一个72针的S- CSP内存和4M位的静态RAM 。

16M位闪存是一种1,048,576的话， 3.3V -只，

和高性能非易失性存储器制造由

CMOS技术的外围电路和

DINOR （分位线NOR ）架构的内存

细胞。

4M位SRAM是一种262,144words unsynchronous SRAM

由硅栅CMOS技术制造。

M6MGB / T166S4BWG适合的应用

移动通信系统，以减少两个安装

空间和重量。

特点

访问时间

FL灰内存

为90ns （最大）

SRAM

85ns （最大）

电源电压

VCC = 2.7 3.6V

=环境温度

我的版本

TA = -40 85°C

封装： 72引脚S- CSP ，球间距为0.8mm

应用

移动通讯产品

引脚配置（顶视图）

INDEX （激光打标）

F-A18

S- LB ＃

F- WP ＃

GND

F- WE＃

F-

RY / BY ＃

A16

A10

DQ15

A11

A15

A14

A13

A12

F- GND

F-A17

S- UB ＃

F-A19

F- RP ＃

F- VCC

S- VCC

F- GND

GND

A0-A16

S-

CE1#

S- OE ＃

DQ12

S-

CE2

S- VCC

S-A17

11.0 mm

F- CE ＃

F- GND

DQ11

杜DQ9

DQ8

DQ10

DQ13

： VCC时闪光

： VCC时SRAM

： GND为Flash

：闪存/ SRAM共同GND

：闪存/ SRAM

通用地址

F- A17 -F - A19 ：地址为Flash

：地址为SRAM

S-A17

DQ0-DQ15

：闪存/ SRAM

通用数据的I / O

F- CE ＃

S-CE1#

S-CE2

F- OE ＃

S- OE ＃

F- WE＃

S- WE＃

F- WP ＃

F- RP ＃

F- RY / BY ＃

S- LB ＃

S- UB ＃

：闪存芯片使能

： SRAM芯片使能1

： SRAM芯片使能2

：闪光输出使能

： SRAM输出使能

： Flash写使能

： SRAM写使能

：闪存写保护

：闪存复位关机

：闪存就绪/忙

： SRAM的低字节

： SRAM高字节

DQ6

DQ4

S- WE＃

F- OE ＃

DQ0 DQ2

DQ1 DQ3

DQ14

F- VCC

DQ5 DQ7

8.0 mm

NC ：无连接

杜：不要使用（注：应该是开放的）

1999年11月， Rev.3.2

三菱的LSI

M6MGB/T166S4BWG

16777216位（ 1,048,576 -word 16位） CMOS

3.3V -ONLY闪存&

4,194,304位（ 262,144字×16位） CMOS SRAM

堆叠CSP （芯片级封装）

框图

16MB闪存

F- á

地址

输入

F- CE ＃

F- OE ＃

F- WE＃

F- WP ＃

F- RP ＃

128字的页面缓冲区

主座

32KW

F- VCC

银行（ II ）

F- GND / GND

主座

参数Block7

参数Block6

参数BLOCK5

参数块4

参数块3

参数块2

参数块1

BOOT BLOCK

X解码器

银行（ I）

32KW

16KW

y解码器

Y型门/感应放大器。

状态/ ID寄存器

多路复用器

FLASH芯片使能输入

FLASH输出使能输入

FLASH写使能输入

Flash写保护输入

FLASH RESET / POWER DOWN输入

崔

WSM

输入/输出

缓冲器

闪存就绪/忙输出

F- RY / BY ＃

4MB SRAM

地址输入缓冲器

感测放大器。

数据输入/输出

行解码器

262144字X

16位

输出缓冲器

DQ 0

DQ 7

感测放大器。

输出缓冲器

DQ 8

S-A

S-CE1#

S-CE2

S- LB ＃

S- UB ＃

S- WE＃

S- OE ＃

时钟

发电机

DQ15

DataInput中

卜FF器

S- VCC

DataInput中

卜FF器

GND

1999年11月， Rev.3.2

三菱的LSI

M6MGB/T166S4BWG

16777216位（ 1,048,576 -word 16位） CMOS

3.3V -ONLY闪存&

4,194,304位（ 262,144字×16位） CMOS SRAM

堆叠CSP （芯片级封装）

1.闪存

描述

M6MGB / T166S4BWG的闪存为3.3V ，仅高速16777216位CMOS引导块闪存记忆与交流

BGO （回地面操作）功能。该装置的BGO功能允许编程或擦除操作在一个库中进行

而装置同时允许读操作，以对其他银行进行。这BGO特征是适合于移动和

个人计算和通信产品。 M6MGB / T166S4BWG的闪存是采用CMOS工艺制造的

外围电路和DINOR （分裂位线NOR）体系结构的存储器单元。

特点

组织

.................................

1048,576字X 16位

BOOT BLOCK

M6MGB166S4BWG

........................

底部启动

M6MGT166S4BWG

........................

热门引导

其他功能

软洁具命令控制

选择性块锁

擦除挂起/恢复

计划暂停/恢复

状态寄存器读

交替回地面编程/擦除操作

银行（ I）和银行（ II ）之间

自动关机模式

.............................

= 2.7~3.6V

电源电压

................................

存取时间

..............................

为90ns （最大）

功耗

.................................

54毫瓦（最大。在5MHz ）

读

（后自动关机）

..........

0.33mW （典型值）。

编程/擦除

.................................

126毫瓦（最大）

.................................

0.33mW （典型值）。

待机

深度掉电模式

.......................

0.33mW （典型值）。

的银行自动程序（一）

.................................

4毫秒（典型值）。

节目时间

程序单元

.........................

1word

（字节编程）

（页编程）

.........................

128word

的银行自动程序（ II ）

.................................

4毫秒（典型值）。

节目时间

.................................

128word

程序单元

自动擦除

.................................

40毫秒（典型值）。

擦除时间

擦除单元

银行（我）引导块

.....................

16KWord的X 1

..............

参数块

16KWord的×7

......................

32Kword ×28

银行（ II ）主座

编程/擦除周期

.........................................

100Kcycles

1999年11月， Rev.3.2

三菱的LSI

M6MGB/T166S4BWG

16777216位（ 1,048,576 -word 16位） CMOS

3.3V -ONLY闪存&

4,194,304位（ 262,144字×16位） CMOS SRAM

堆叠CSP （芯片级封装）

功能

M6MGB / T166S4BWG的Flash存储器包括片

编程/擦除控制电路。写状态机（ WSM ）

控制块擦除和字节/页编程操作。

经营模式由写入命令选择

命令的用户界面（ CUI）。状态寄存器指示

在WSM的地位和在WSM顺利完成

期望的节目或块擦除操作。

深层掉电模式被激活时， F- RP ＃引脚为

GND ，降低了功耗。

读

M6MGB / T166S4BWG的闪存有三个读

模式，它访问到所述存储器阵列，所述设备标识符

和状态寄存器。适当的读命令是

需要被写入到在CUI 。在最初的设备通电或

从深掉电退出后，闪存自动

重置读阵列模式。在读阵列模式，低电平输入

以F- CE ＃和F - OE ＃，高电平输入到F -WE ＃和F -RP ＃和

地址信号提供给地址输入端（F -A19 -F- A17 ， A16 -A0 ）

输出被寻址单元的数据输入/输出的数据

( D15-D0).

写

写到崔使读取存储器阵列的数据，设备

标识符和读数和状态寄存器清零。他们

也使块擦除和编程。崔写的是

把F- WE ＃为低电平，而F- CE＃为低电平和F- OE ＃

处于高电平。地址和数据锁存早期崛起

对F- WE ＃和F -CE ＃边缘。标准的微处理器的写

定时被使用。

交替后台操作（ BGO ）

M6MGB / T166S4BWG的闪存允许读取阵列

从一个银行，而其他银行的操作软件

命令写入骑自行车或在擦除/编程操作

的背景。读阵列的操作与BGO其他银行

通过改变存储单元地址而无需任何附加执行

命令。当银行的地址指向软件银行

命令写入骑自行车或擦除/编程操作，

该数据是从状态寄存器读出。与所述接入时间

BGO是一样的正常读出操作。

输出禁用

当F- OE ＃为VIH ，从设备输出被禁用。数据

输入/输出处于高阻抗（高Z）状态。

待机

当F- CE＃为在VIH时，设备处于待机模式，并

它的功耗减小。数据输入/输出是在一

高阻抗（High -Z ）状态。如果内存取消

在块擦除或编程，内部控制电路

保持活跃，该设备正常消耗的有功功率

直到操作完成。

深度掉电

当F- RP ＃是为VIL ，该装置是在深断电

模式，其功耗是相当低的。中

阅读模式下，内存被取消和数据

输入/输出处于高阻抗（高Z）状态。后

从断电恢复，崔复位到读阵列和

状态寄存器清为80H值。

在块擦除或编程模式， F- RP ＃低会中止

无论是操作。块的存储器阵列的数据被修改

变得无效。

自动断电（ APD ）

自动掉电最大限度地减少了功率

在读模式下的消耗。自动装置

变为该模式时，任何地址或F- CE＃为不

最后的交替变化后超过200纳秒。该

功率消耗变得一样的待机

模式。在此模式下，输出数据被锁存并能

被读出。新的数据正确读出地址时，

被改变。

1999年11月， Rev.3.2

三菱的LSI

M6MGB/T166S4BWG

16777216位（ 1,048,576 -word 16位） CMOS

3.3V -ONLY闪存&

4,194,304位（ 262,144字×16位） CMOS SRAM

堆叠CSP （芯片级封装）

C）单数据加载到页面缓冲区（ 74H ）

/页缓冲区到Flash （ 0EH / D0H ）

单个数据加载到页缓冲器被写入74H执行

接着是第二写入指定列地址和

数据。不同的数据多达128word可以加载到页

通过这两年的命令序列缓存。另一方面，所有的

加载的数据到页缓冲器同时程序性

通过编写页面缓冲，以0EH Flash的命令，随后的

确认D0H的命令。编程的完成之后

在页面缓冲器中的数据被自动清除。

此命令仅对银行（ I）相似的Word程序。

清除页面缓冲区命令（ 55H ）

加载数据到页缓冲器被写入清除清除

55H的页面缓冲区命令后确认命令

的D0H 。该命令适用于由单结算加载数据

数据加载到页面缓冲区命令。

挂起/恢复命令（ B0H / D0H ）

在块擦除写B0H的暂停命令

操作中断的块擦除操作，并且允许读出

从另一个内存块。写的暂停命令

在编程操作期间B0H中断程序的操作

并允许从存储器另一个块中读出。银行

写的时候暂停/恢复命令地址是必需的。

该设备将继续输出状态寄存器中读取数据时，

暂停命令后写入其中。轮询WSM

状态和暂停状态位将决定何时擦除

操作或编程操作已被暂停。在这

点读阵列命令写入到崔使

从块比其悬浮其它读取的数据。

当D0H的恢复命令写入CUI ，

在WSM将继续与擦除或编程过程。

软件命令定义

该设备操作通过编写特定的软件选择

命令到命令的用户界面。

读阵列命令（ FFH ）

该设备是在初始器件上电时读阵列模式，

从深掉电退出后，或者通过写FFH的

命令的用户界面。开始内部操作的后

设备会自动设置为读状态寄存器模式。

阅读设备标识符命令（ 90H ）

它通常可以读取设备识别码时，读取设备

标识代码命令（ 90H ）写入命令锁存器。

以下的命令写入，制造商代码和

设备代码可以从地址00000H和00001H读，

分别。

读状态寄存器命令（ 70H ）

写读状态寄存器后，状态寄存器读

命令70H到命令的用户界面的。另外，后

开始内部操作的设备被设置为读取状态

自动注册模式。

状态寄存器的内容被锁定在后来的下跌

对F- OE ＃或F - CE ＃边缘。因此， F- CE ＃或F - OE ＃必须切换

每一个状态读取。

清除状态寄存器命令（ 50H ）

擦除状态，程序状态和块状态位被设置为

由写状态机"1"s并只能通过清除复位

状态寄存器50H的命令。这些位表示不同

失败条件。

数据保护

块擦除/确认命令（ 20H / D0H ）

自动块擦除是通过写块擦除启动

20H的命令，随后D0H的确认命令。一

要被擦除的块中的地址是必需的。在WSM

反复执行擦除脉冲应用和擦除验证

操作。

程序命令

A） Word程序（ 40H ）

字程序是由一个双指令序列执行。该

40H的Word程序设置命令写入

命令接口，随后是第二写入指定

地址和数据被写入。在WSM控制程序

脉冲应用和验证操作。 Word程序

命令仅对银行（ I）。

B）页编程的数据块（ 41H ）

世行（ I）和银行（ II ）的页编程允许快速编程

数据128words 。 41H写入启动页编程

操作为数据区域。从第二个周期到第129周，写

数据必须被串行输入。地址A6 -A0需要成为

从00h到7FH 。数据装载完毕后，将

WSM控制编程脉冲应用和验证操作。

M6MGB / T166S4BWG的快闪记忆体提供了可选

存储块的块锁定。每个块都有一个相关联的

非易失锁定位，它确定该块的锁定状态。

另外，闪存具有一个主写保护引脚

（F- WP＃），其可以防止任何修改的存储器块

其锁定位被设置为"0" ，当F- WP＃为低电平。当F- WP ＃

为高电平时，所有的块可以被编程或擦除不管

的锁定位，并且锁定位的状态被清除为"1"由

抹去。请参阅第9页的详细信息，块锁定表。

电源电压

当电源电压（F -VCC ）小于V

LKO ，

低

锁定电压时，器件设置为只读模式。

V关于DC电气特性

LKO ，

见P.10 。

需要2ms的延迟时间任何设备的操作之前，

发起。的延迟时间是从时间F - cc达到测

F- Vccmin （ 2.7V ）。

在上电期间， F- RP ＃ = GND建议。飘落在忙

状态是不建议损坏器件的可能性。

存储器组织

M6MGB / T166S4BWG的闪存有一个16KWord的

引导块， 7 16KWord的参数块，银行（I）和

28 32Kword的银行主要模块（ II ）。块擦除

独立地在阵列中的其他块。

1999年11月， Rev.3.2

三菱的LSI

M6MGB/T166S4BWG

16777216位（ 1,048,576 -word 16位） CMOS

3.3V -ONLY闪存&

4,194,304位（ 262,144字×16位） CMOS SRAM

堆叠CSP （芯片级封装）

描述

三菱M6MGB / T166S4BWG是一个堆叠芯片

级封装（ S- CSP）的内容， 16M位闪存

在一个72针的S- CSP内存和4M位的静态RAM 。

16M位闪存是一种1,048,576的话， 3.3V -只，

和高性能非易失性存储器制造由

CMOS技术的外围电路和

DINOR （分位线NOR ）架构的内存

细胞。

4M位SRAM是一种262,144words unsynchronous SRAM

由硅栅CMOS技术制造。

M6MGB / T166S4BWG适合的应用

移动通信系统，以减少两个安装

空间和重量。

特点

访问时间

FL灰内存

为90ns （最大）

SRAM

85ns （最大）

电源电压

VCC = 2.7 3.6V

=环境温度

W版本

TA = -20 85°C

封装： 72引脚S- CSP ，球间距为0.8mm

应用

移动通讯产品

引脚配置（顶视图）

指数

F-A18

S- LB ＃

F- WP ＃

GND

F- WE＃

F-

RY / BY ＃

A16

A10

DQ15

A11

A15

A14

A13

A12

F- GND

F-A17

S- UB ＃

F-A19

F- RP ＃

F- VCC

S- VCC

F- GND

GND

A0-A16

S-

CE1#

S- OE ＃

DQ12

S-

CE2

S- VCC

S-A17

DQ11

11.0 mm

F- CE ＃

杜DQ9

DQ8

DQ10

DQ13

： VCC时闪光

： VCC时SRAM

： GND为Flash

：闪存/ SRAM共同GND

：闪存/ SRAM

通用地址

F- A17 -F - A19 ：地址为Flash

：地址为SRAM

S-A17

DQ0-DQ15

：闪存/ SRAM

通用数据的I / O

F- CE ＃

S-CE1#

S-CE2

F- OE ＃

S- OE ＃

F- WE＃

S- WE＃

F- WP ＃

F- RP ＃

F- RY / BY ＃

S- LB ＃

S- UB ＃

：闪存芯片使能

： SRAM芯片使能

：闪光输出使能

： SRAM输出使能

： Flash写使能

： SRAM写使能

：闪存写保护

：闪存复位关机

：闪存就绪/忙

： SRAM的低字节

： SRAM高字节

F- GND

DQ6

DQ4

S- WE＃

F- OE ＃

DQ0 DQ2

DQ1 DQ3

DQ14

F- VCC

DQ5 DQ7

8.0 mm

NC ：无连接

杜：不要使用（注：应该是开放的）

1999年4月， Rev.1.7

三菱的LSI

M6MGB/T166S4BWG

16777216位（ 1,048,576 -word 16位） CMOS

3.3V -ONLY闪存&

4,194,304位（ 262,144字×16位） CMOS SRAM

堆叠CSP （芯片级封装）

框图

16MB闪存

F- á

地址

输入

F- CE ＃

F- OE ＃

F- WE＃

F- WP ＃

F- RP ＃

128字的页面缓冲区

主座

32KW

F-VCC(3.3V)

银行（ II ）

F- GND / GND

(0V)

主座

参数Block7

参数Block6

参数BLOCK5

参数块4

参数块3

参数块2

参数块1

BOOT BLOCK

X解码器

银行（ I）

32KW

16KW

y解码器

Y型门/感应放大器。

状态/ ID寄存器

多路复用器

芯片使能输入

输出使能输入

写使能输入

写保护输入

RESET / POWER DOWN输入

崔

WSM

输入/输出

缓冲器

READY / BUSY输出

F- RY / BY ＃

4MB SRAM

地址输入缓冲器

感测放大器。

数据输入/输出

行解码器

262144字X

16位

输出缓冲器

DQ 0

DQ 7

感测放大器。

输出缓冲器

DQ 8

S-A

S-CE1#

S-CE2

S- LB ＃

S- UB ＃

S- WE＃

S- OE ＃

时钟

发电机

DQ15

DataInput中

卜FF器

S- VCC

DataInput中

卜FF器

GND

1999年4月， Rev.1.7

三菱的LSI

M6MGB/T166S4BWG

16777216位（ 1,048,576 -word 16位） CMOS

3.3V -ONLY闪存&

4,194,304位（ 262,144字×16位） CMOS SRAM

堆叠CSP （芯片级封装）

1.闪存

描述

M6MGB / T166S4BWG的闪存为3.3V ，仅高速16777216位CMOS引导块闪存记忆与交流

BGO （回地面操作）功能。该装置的BGO功能允许编程或擦除操作在一个库中进行

而装置同时允许读操作，以对其他银行进行。这BGO特征是适合于移动和

个人计算和通信产品。 M6MGB / T166S4BWG的闪存是采用CMOS工艺制造的

外围电路和DINOR （分裂位线NOR）体系结构的存储器单元。

特点

组织

.................................

1048,576字X 16位

BOOT BLOCK

M6MGB166S4BWG

........................

底部启动

M6MGT166S4BWG

........................

热门引导

其他功能

软洁具命令控制

选择性块锁

擦除挂起/恢复

计划暂停/恢复

状态寄存器读

交替回地面编程/擦除操作

银行（ I）和银行（ II ）之间

.............................

= 2.7~3.6V

电源电压

................................

存取时间

..............................

为90ns （最大）

功耗

.................................

54毫瓦（最大。在5MHz ）

读

（自动保存断电后）

..........

0.33μW （典型值）。

编程/擦除

.................................

126毫瓦（最大）

.................................

0.33μW （典型值）。

待机

深度掉电模式

.......................

0.33μW （典型值）。

的银行自动程序（一）

.................................

4毫秒（典型值）。

节目时间

程序单元

.........................

1word

（字节编程）

（页编程）

.........................

128word

的银行自动程序（ II ）

.................................

4毫秒（典型值）。

节目时间

.................................

128word

程序单元

自动擦除

.................................

40毫秒（典型值）。

擦除时间

擦除单元

银行（我）引导块

.....................

16KWord的X 1

..............

参数块

16KWord的×7

......................

32Kword ×28

银行（ II ）主座

编程/擦除周期

.........................................

100Kcycles

1999年4月， Rev.1.7

三菱的LSI

M6MGB/T166S4BWG

16777216位（ 1,048,576 -word 16位） CMOS

3.3V -ONLY闪存&

4,194,304位（ 262,144字×16位） CMOS SRAM

堆叠CSP （芯片级封装）

功能

M6MGB / T166S4BWG的Flash存储器包括片

编程/擦除控制电路。写状态机（ WSM ）

控制块擦除和字节/页编程操作。

经营模式由写入命令选择

命令的用户界面（ CUI）。状态寄存器指示

在WSM的地位和在WSM顺利完成

期望的节目或块擦除操作。

深层掉电模式被激活时， F- RP ＃引脚为

GND ，降低了功耗。

读

M6MGB / T166S4BWG的闪存有三个读

模式，它访问到所述存储器阵列，所述设备标识符

和状态寄存器。适当的读命令是

需要被写入到在CUI 。在最初的设备通电或

从深掉电退出后，闪存自动

重置读阵列模式。在读阵列模式，低电平输入

以F- CE ＃和F - OE ＃，高电平输入到F -WE ＃和F -RP ＃和

地址信号提供给地址输入端（F -A19 -F- A17 ， A16 -A0 ）

输出被寻址单元的数据输入/输出的数据（

D15-D0).

写

写到崔使读取存储器阵列的数据，设备

标识符和读数和状态寄存器清零。他们

也使块擦除和编程。崔写的是

把F- WE ＃为低电平，而F- CE＃为低电平和F- OE ＃

处于高电平。地址和数据锁存早期崛起

对F- WE ＃和F -CE ＃边缘。标准的微处理器的写

定时被使用。

交替后台操作（ BGO ）

M6MGB / T166S4BWG的闪存允许读取阵列

从一个银行，而其他银行的操作软件

命令写入骑自行车或在擦除/编程操作

的背景。读阵列的操作与BGO其他银行

通过改变存储单元地址而无需任何附加执行

命令。当银行的地址指向软件银行

命令写入骑自行车或擦除/编程操作，

该数据是从状态寄存器读出。与所述接入时间

BGO是一样的正常读出操作。

输出禁用

当F- OE ＃为VIH ，从设备输出被禁用。数据

输入/输出处于高阻抗（高Z）状态。

待机

当F- CE＃为在VIH时，设备处于待机模式，并

它的功耗减小。数据输入/输出是在一

高阻抗（High -Z ）状态。如果内存取消

在块擦除或编程，内部控制电路

保持活跃，该设备正常消耗的有功功率

直到操作完成。

深度掉电

当F- RP ＃是为VIL ，该装置是在深断电

模式，其功耗是相当低的。中

阅读模式下，内存被取消和数据

输入/输出处于高阻抗（高Z）状态。后

从断电恢复，崔复位到读阵列和

状态寄存器清为80H值。

在块擦除或编程模式， F- RP ＃低会中止

无论是操作。块的存储器阵列的数据被修改

变得无效。

自动省电（ APS ）

自动省电最大限度地减少了功率

在读模式下的消耗。自动装置

变为该模式时，任何地址或F- CE＃为不

最后的交替变化后超过200纳秒。该

功率消耗变得一样的待机

模式。在此模式下，输出数据被锁存并能

被读出。新的数据正确读出地址时，

被改变。

1999年4月， Rev.1.7

三菱的LSI

M6MGB/T166S4BWG

16777216位（ 1,048,576 -word 16位） CMOS

3.3V -ONLY闪存&

4,194,304位（ 262,144字×16位） CMOS SRAM

堆叠CSP （芯片级封装）

C）单数据加载到页面缓冲区（ 74H ）

/页缓冲区到Flash （ 0EH / D0H ）

单个数据加载到页缓冲器被写入74H执行

接着是第二写入指定列地址和

数据。不同的数据多达128word可以加载到页

通过这两年的命令序列缓存。另一方面，所有的

加载的数据到页缓冲器同时程序性

通过编写页面缓冲，以0EH Flash的命令，随后的

确认D0H的命令。编程的完成之后

在页面缓冲器中的数据被自动清除。

此命令仅对银行（ I）相似的Word程序。

清除页面缓冲区命令

(55H)

加载数据到页缓冲器被写入清除清除

55H的页面缓冲区命令后确认命令

的D0H 。该命令适用于由单结算加载数据

数据加载到页面缓冲区命令。

挂起/恢复命令

(B0H/D0H)

在块擦除写B0H的暂停命令

操作中断的块擦除操作，并且允许读出

从另一个内存块。写的暂停命令

在编程操作期间B0H中断程序的操作

并允许从存储器另一个块中读出。银行

写的时候暂停/恢复命令地址是必需的。

该设备将继续输出状态寄存器中读取数据时，

暂停命令后写入其中。轮询WSM

状态和暂停状态位将决定何时擦除

操作或编程操作已被暂停。在这

点读阵列命令写入到崔使

从块比其悬浮其它读取的数据。

当D0H的恢复命令写入CUI ，

在WSM将继续与擦除或编程过程。

软件命令定义

该设备操作通过编写特定的软件选择

命令到命令的用户界面。

读阵列命令

（ FFH ）

该设备是在初始器件上电时读阵列模式，

从深掉电退出后，或者通过写FFH的

命令的用户界面。开始内部操作的后

设备会自动设置为读状态寄存器模式。

阅读设备标识符命令

(90H)

它通常可以读取设备识别码时，读取设备

标识代码命令（ 90H ）写入命令锁存器。

以下的命令写入，制造商代码和

设备代码可以从地址00000H和00001H读，

分别。

读状态寄存器命令

(70H)

写读状态寄存器后，状态寄存器读

命令70H到命令的用户界面的。另外，后

开始内部操作的设备被设置为读取状态

自动注册模式。

状态寄存器的内容被锁定在后来的下跌

对F- OE ＃或F - CE ＃边缘。因此， F- CE ＃或F - OE ＃必须切换

每一个状态读取。

清除状态寄存器命令

(50H)

擦除状态，程序状态和块状态位被设置为

由写状态机"1"s并只能通过清除复位

状态寄存器50H的命令。这些位表示不同

失败条件。

数据保护

块擦除/确认命令

(20H/D0H)

自动块擦除是通过写块擦除启动

20H的命令，随后D0H的确认命令。一

要被擦除的块中的地址是必需的。在WSM

反复执行擦除脉冲应用和擦除验证

操作。

程序命令

A） Word程序（ 40H ）

字程序是由一个双指令序列执行。该

40H的Word程序设置命令写入

命令接口，随后是第二写入指定

地址和数据被写入。在WSM控制程序

脉冲应用和验证操作。 Word程序

命令仅对银行（ I）。

B）页编程的数据块（ 41H ）

世行（ I）和银行（ II ）的页编程允许快速编程

数据128words 。 41H写入启动页编程

操作为数据区域。从第二个周期到第129周，写

数据必须被串行输入。地址A6 -A0需要成为

从00h到7FH 。数据装载完毕后，将

WSM控制编程脉冲应用和验证操作。

M6MGB / T166S4BWG的快闪记忆体提供了可选

存储块的块锁定。每个块都有一个相关联的

非易失锁定位，它确定该块的锁定状态。

另外，闪存具有一个主写保护引脚

（F- WP＃），其可以防止任何修改的存储器块

其锁定位被设置为"0" ，当F- WP＃为低电平。当F- WP ＃

为高电平时，所有的块可以被编程或擦除不管

的锁定位，并且锁定位的状态被清除为"1"由

抹去。请参阅第9页的详细信息，块锁定表。

电源电压

当电源电压（F -VCC ）小于V

LKO ，

低

锁定电压时，器件设置为只读模式。

V关于DC电气特性

LKO ，

见P.10 。

需要的2μs的延迟时间任何设备的操作之前，

发起。的延迟时间是从时间F - cc达到测

F- Vccmin （ 2.7V ）。

在上电期间， F- RP ＃ = GND建议。飘落在忙

状态是不建议损坏器件的可能性。

存储器组织

M6MGB / T166S4BWG的闪存有一个16KWord的

引导块， 7 16KWord的参数块，银行（I）和

28 32Kword的银行主要模块（ II ）。块擦除

独立地在阵列中的其他块。

1999年4月， Rev.1.7