【初步注意：这不是最终规格。有些参数的限制有可能发生变化。瑞萨的LSIM6MGB/T331S8AKT3】,IC型号M6MGB331S8AKT,M6MGB331S8AKT PDF资料,M6MGB331S8AKT经销商,ic,电子元器件-51电子网

初步

注意：这不是最终规格。

有些参数的限制有可能发生变化。

瑞萨的LSI

M6MGB/T331S8AKT

33554432位（ 2,097,152 - 字×16位/ 4194304 - WORD 8 - BIT ） CMOS

FLASH MEMORY &

8,388,608位（ 524,288 - WORD 16 - BIT / 1048576 - WORD 8 - BIT） CMOS SRAM

叠 -

MCP （微多芯片封装）

描述

该M6MGB / T331S8AKT是层叠微多芯片

包装（ S-

μMCP ）

该内容32M位闪存存储器

并在52引脚TSOP无铅使用8M位静态RAM 。

32M位闪存存储器是4194304字节/ 2097152

也就是说，单个电源和高性能非

非易失性存储器的制造采用CMOS技术

外围电路和DINOR （分裂位线NOR IV）的

体系结构的存储器单元。所有内存块

锁定，不能进行编程或擦除时， F- WP＃

是低的。使用软件锁定释放功能，程序或

擦除操作可以被执行。

8M位的SRAM是1,048,576字节/ 524,288字

对于捏造出来的CMOS技术的异步SRAM

外围电路。

该M6MGB / T331S8AKT是适合于高

能的蜂窝电话和移动PC是

得较小的安装面积，重量和小所需

功耗

特点

存取时间

FL灰

SRAM

电源电压

环境温度

包

70ns的（最大）

85ns （最大）

VCC = 2.7 3.0V

TA = -40 + 85

°C

52pin TSOP （ II型），

引线间距0.4毫米

外引线整理：锡铜

应用

移动通讯产品

引脚配置（顶视图）

A15

A14

A13

A12

A11

A10

A19

S-CE1#

WE＃

F- RP ＃

F- WP ＃

S- VCC

S-CE2

A20

A18

A17

A16

BYTE ＃

S- UB ＃

GND

S- LB ＃

DQ15/A-1

DQ7

DQ14

DQ6

DQ13

DQ5

DQ12

DQ4

F- VCC

DQ11

DQ3

DQ10

DQ2

DQ9

DQ1

DQ8

DQ0

OE ＃

GND

F- CE ＃

10.79 mm

M6MGB/T331S8AKT

概要

52PTJ-A

10.49 mm

F- VCC

S- VCC

GND

A-1 - A18

A19 - A20

DQ0 - DQ15

F- CE ＃

S-CE1#

S-CE2

OE ＃

WE＃

： VCC时闪光

： VCC时SRAM

： GND为闪存/ SRAM

：闪存/ SRAM通用地址

：地址为Flash

：数据I / O

：闪存芯片使能

： SRAM芯片ENABLE1

： SRAM芯片使能2

：闪存/ SRAM输出使能

：闪存/ SRAM写使能

F- WP ＃

F- RP ＃

BYTE ＃

S- LB ＃

S- UB ＃

：闪存写保护

：闪存复位关机

：闪存/ SRAM字节使能

： SRAM的低字节

： SRAM高字节

：不要使用

Rev.0.2.48a_bebz

初步

注意：这不是最终规格。

有些参数的限制有可能发生变化。

瑞萨的LSI

M6MGB/T331S8AKT

33554432位（ 2,097,152 - 字×16位/ 4194304 - WORD 8 - BIT ） CMOS

FLASH MEMORY &

8,388,608位（ 524,288 - WORD 16 - BIT / 1048576 - WORD 8 - BIT） CMOS SRAM

叠 -

MCP （微多芯片封装）

MCP框图

F- VCC

1) 2)

GND

A0到A20

32兆DINOR （IV）的

FL灰内存

A0到A20

F- CE ＃

F- WP ＃

F- RP ＃

BYTE ＃

S- VCC

DQ0到DQ15

A0到A18

WE＃

OE ＃

S- UB ＃

S- LB ＃

S-CE1#

S-CE2

8Mbit

SRAM

注1 ）：如果X8组织， A- 1添加的，只有低字节的数据（ DQ0到DQ7 ）被分配给I / O和

高位字节的数据（ DQ8到DQ15 ）是高阻抗。

注2 ）：在数据表中有

“ VCC ”S

这意味着

“F - VCC ”

或"S - VCC" 。在SRAM中的一部分有

“瑞银”

和

“磅＃ ”

这意味着

“S - UB ＃ ”

和

的“S -LB ＃” ，

分别。

注3）：

“杜（别

使用） “引脚必须公开，否则将在0V Vcc的输入。

电容

符号

CIN

参数

条件

Ta=25

°C,

f=1MHz,

Vin=Vout=0V

分钟。

范围

典型值。

马克斯。

单位

输入

A20 - A0 ， OE ＃， WE＃， F- CE ＃，F- WP ＃，F- RP ＃，

电容S- CE1 ＃， S- CE2 ， BYTE ＃， S- LB ＃， S- UB ＃

产量

COUT

DQ15-DQ0

电容

Rev.0.2.48a_bebz

Renesa大规模集成电路

M6MGB/T331S8AKT

33554432位（ 2,097,152 - 字×16位/ 4194304 - WORD 8 - BIT ） CMOS

3.0V -ONLY闪存&

8,388,608位（ 524,288 - WORD 16 - BIT / 1048576 - WORD 8 - BIT） CMOS SRAM

叠 -

MCP （微多芯片封装）

立邦大厦， 6-2 ，大手町2丁目，千代田区，东京，日本100-0004

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