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用于处理
ELETROSTATIC
敏感
器件
三菱RF功率模块
M68701M
硅MOS场效应管功率放大器， 860-915MHz 6W FM /数字移动
IM简的I N s个I N M M
ü T L IN E D R A W I N G -
B·L摄氏度杀敌IAG - [R A M
60.5 +/-1
57.5 +/-0.5
50.2+/-1
2-R1.6
+0.2
0
11+/-0.5
14+/-0.5
2
3
1
4
5
1
2
班派0.45
+/-0.2
3
4
5
6+/-1
8.3 +/-1
21.3 +/-1
43.3 +/-1
51.3 +/-1
脚：
1
P
in
：的R F IN P ü牛逼
2
V
GG
： GATE偏置电源
3
V
D D
：D R A IN B I A S S小ü P P L
4
P
O
： RF输出
5
G N D： FIN
2.3+/-0.3
3.4+0.8
-0.4
H11
最大额定值（TC = 25deg C除非另有说明）
符号
参数
VDD
电源电压
VGG
栅极偏置电压
针
输入功率
Po
输出功率
TC （ OP ）
操作外壳温度
TSTG
储存温度
注：以上参数是独立的保证。
条件
V
GG
<5V,Z
G
=Z
L
= 50欧姆
f=860-915MHz,Z
G
=Z
L
= 50欧姆
f=860-915MHz,Z
G
=Z
L
= 50欧姆
f=860-915MHz,Z
G
=Z
L
= 50欧姆
评级
17
5.5
10
10
-30到+100
-40到+110
单位
V
V
mW
W
度。
度。
电气特性（TC = 25deg C， ZG = ZL = 50
欧
除非另有说明）
符号
f
Po
效率
2fo
在VSWR
-
参数
频带
输出功率
总有效率
二阶谐波
输入VSWR
负载VSWR
公差
测试条件
范围
民
最大
860
915
6
35
-30
4
没有退化
或销毁
单位
兆赫
W
%
dBc的
-
-
V
DD
=12.5V,V
GG
=5V,Pin=1mW
V
DD
=12.5V,
噘嘴= 6W （V
GG
调整）
Pin=1mW
V
DD
=15.2V,Pin=1mW,Po=6W(V
GG
调整）
Z
G
= 50欧姆，负载电压驻波比= 20 ：1的
以上参数，收视率，限额和条件可能会发生变化。
保持安全第一在你的电路设计！
三菱电机公司把最大的精力投入到制造半导体产品更好，更
可靠的，但总有麻烦可能会与他们发生的可能性。麻烦半导体可能
导致人身伤害，火灾或财产损失。记住做时充分考虑到安全性，让您的
电路设计中，用适当的措施，例如（i ）替代的布置，辅助电路，（ⅱ）使用的非
易燃材料或（iii ）预防对任何故障或事故。
(6.4)
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