【特点先入先出的双端口存储器16384位×9组织快速国旗和访问次数： 15 ， 30纳秒宽温度范围：】,IC型号M672061H,M672061H PDF资料,M672061H经销商,ic,电子元器件-51电子网

特点

先入先出的双端口存储器

16384位×9组织

快速国旗和访问次数： 15 ， 30纳秒

宽温度范围： -55 ° C至+ 125°C

可编程半满标志

通过字宽和深度完全可扩展

异步读/写操作

空，全速和半旗的单设备模式

重传功能

双向应用

电池备份操作： 2V数据保留

TTL兼容

单5V ±10％电源

无单粒子闩锁低于80兆电子伏/毫克/平方厘米的LET阈值

经测试可达总剂量为30 Krads （根据MIL -STD- 883 TM1019 ）

质量等级： QML Q和V带SMD 5962-93177和ESSC与规格

9301/48

描述

该M672061H实现了一个先入先出算法，具有异步

读/写操作。在FULL和EMPTY标志防止数据溢出和理解

流动。扩展逻辑可以无限扩展的字的大小和深度，无

定时处罚。双地址指针自动生成内部读写

地址，并且没有外部地址信息被要求用于爱特梅尔FIFO中。

地址指针自动递增的写引脚和读引脚。 9

比特宽数据在数据通信应用中使用，其中一个奇偶校验位

错误检查是必要的。重发引脚复位读指针为零与 -

出影响写指针。这是用于重发数据时的错误非常有用

在系统中被检测到。

使用的8个晶体管的阵列（ 8T ）的存储单元，所述M672061H结合了

极低的待机电流（典型值= 0.1 μA）与15 ns的快速存取时间

在整个温度范围内。所有版本都提供电池备份数据保留capa-

相容性具有典型功耗低于2 μW 。

对于要求性能和可靠性出众的各级军事/航天应用

能力M672061H根据最新修订的处理方法

在MIL PRF 38535 （ Q和V）或ESCC 9000 。

弧度。宽容

高速

16 KB ×9

并行FIFO与

可编程

旗

M672061H

4144K-AERO-04/07

框图

引脚配置

DIL陶瓷28引脚300密耳

FP 28引脚400密耳

M672061H

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M672061H

引脚说明

引脚名称

I0 - 8

Q0 - 8

XO / HF

FL / RT

VCC

GND

描述

输入

输出

写使能

读使能

RESET

空标志

满标志

扩展输出/半满标志

扩张

首先加载/重发

电源

地

数据在（我

- I

)

复位（RS）

9位数据的数据输入

每当复位（ RS）的输入取为低状态时复位。重新返回这两个

内部读出和写入指针，以所述第一位置。上电后需要进行重置

前的写操作可以被使能。无论是读使能（ R）和写使能

（W）的输入数据必须在图2中所示期间的高状态（即吨

RSS

前

RS的上升沿）后的RS上升沿应该不会改变，直到tRSR 。

否则，脉冲的写入（或读取）低时复位操作加载可编程

从数据输入I0半满标志寄存器 - I8 （或数据输出Q0 - Q8 ）（如图图 -

茜2）。在这两种情况下的满标志和可编程半满标志是

将重设到高，空标志为低。

图1 。

复位（不写入可编程半满标志寄存器）

注意事项：

1. EF ， FF和HF可复位过程中改变状态，但标志将在t有效。

RSC

2， W和R =周围的RS上升沿VIH 。

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图2中。

复位（写（读）到可编程半满标志寄存器）

写使能（ W）

写周期开始此输入的下降沿，如果满标志（ FF ）未设置。

数据的建立时间和保持时间必须保持在前缘的上升时间

写使能（ W）。任何数据的存储顺序RAM阵列中，无论

当前的读操作。

一旦一半的存储器被填充，并在随后的写操作的下降沿，

在半满标志（ HF）将被设置为低电平，并保持在该状态，直到差

写之间指针和读指针小于可用的总的大于或等于半

存储在设备中。在半满标志（ HF）然后通过的上升沿复位

读操作。

为了防止数据溢出，满标志（ FF）将变低，抑制了进一步的写操作

系统蒸发散。在一个有效的读操作完成后，满标志（ FF）将TRFF后高走，

允许一个有效的写操作开始。当FIFO堆栈已满时，内部写指针

与W阻挡，从而使外部的变化为W将会对全FIFO堆叠没有影响。

读使能（R ）

一个读周期开始的读使能的（R）的下降沿提供的

空标志（ EF ）未设置。该数据被存取的第一入/先出的基础上，但不包括

任何当前的写操作。后读使能（ R）为高电平时，数据输出

（ Q 0 - Q8 ）将返回到一个高阻抗状态，直到下一次读操作。当所有

在FIFO堆栈中的数据已经被读出时，空标志（EF）将变低，从而使

“最后的”读周期，但进一步抑制读取操作，而数据输出保持在

一个高阻抗状态。一旦一个有效的写操作已经完成，所述空

标志（ EF）将为高tWEF和有效读取然后可以开始之后。当FIFO

堆栈是空的，内部的读出指针被选自R受阻，使外部变化至R

将会对空FIFO堆叠没有影响。

这是一个双重目的的输入。在深度扩展模式时，此引脚连接到

接地，以表明它是第一加载（见操作模式）。在单个器件

模式下，此引脚用作重传输入。单个器件模式由CON-启动

necting的扩张（十一）接地。

该M672061H可以设置为重发数据时，重传允许控制（ RT）下

输入低脉冲。重传操作将设置内部读取点的某些地区第一

化，也不会影响写指针。读使能（ R）和写使能（W ）必须

在重传过程中的高境界。重发功能，旨在用于当

写操作的数目是等于或小于所述FIFO的深度，因为已发生

去年RS周期。重传功能与深度扩展模式兼容

并会影响按照的相对位置的半满标志（ HF）

读写指针。

首先加载/重发

（ FL / RT ）

M672061H

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M672061H

扩展IN（十一）

该输入是一个双功能引脚。扩张（十一）连接到GND以指示

操作在单个设备的模式。扩张（十一）连接到扩展输出

在深度扩展或菊花链模式，以前的设备（ XO ）。

的满标志（ FF），将变低，抑制了进一步的写操作时，写指针是

一个位置小于读指针，指示该装置是满的。如果读出的

指针复位（ RS ）后不移动时，满标志（ FF）将变低16384后写道。

的空标志（EF）将变低，进一步抑制读操作时，读指针

等于写指针，指示该设备是否为空。

这是一个双重目的的输出。在单个装置模式中，当扩展在（Ⅺ）是CON-

已连接到地，该输出用作一个半满存储器的指示。

该M672061H提供了变量的半满状态补偿。偏移量是加载

成在复位周期寄存器。当RS为低电平时，可编程半满标志

（PHF ）可以从数据输入I加载

- I

通过脉冲W低或从DATA

输出Q

- Q

通过脉冲低。偏移选项列于表1。如果PHF是不

在复位周期加载，默认偏移量将是总的存储器的一半

装置。

可编程半满标志（ PHF ）将被设置为低，并会保持直到

和写入之间的区别读指针是小于或等于所述可编程

BLE偏移量（如果半满标志寄存器在复位周期被加载）或半

的总存储器（如果半满寄存器未在复位周期加载）。

后一半的存储器被填充并在下一个写操作的下降沿，则

半满标志（ HF）将被设置为低，将继续设置，直到之间的区别

写指针和读指针是小于或等于一半的设备的总存储器的。

在半满标志（ HF），然后由读取操作的上升沿复位。

在深度扩展模式，扩展（十一）连接到扩展的输出（ XO ）

以前的设备。该输出用作一个信号到下一个设备的菊花链由

提供一个脉冲到下一个设备时，先前的设备到达最后存储器

位置。

满标志（ FF ）

空标志（ EF ）

扩展输出/半满

标志（ XO / HF）

数据输出（Q

- Q

)

数据输出为9位宽度的数据。这个数据是在高阻抗的状态，每当

阅读（ R）是在一个高的状态。

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