M66256FP
5120
×
8位线存储器（FIFO ）
REJ03F0250-0200
Rev.2.00
2007年9月14日
描述
该M66256FP是一个高速行存储器用的5120个字的FIFO（先入先出）结构
×
8-bit
配置它采用高性能硅栅CMOS工艺技术。
它具有独立的时钟，启动和复位信号，用于写入和读出，而且是作为之间的缓冲存储器最合适
设备具有不同的数据处理吞吐量。
特点
内存配置：
5120字
×
8位（动态存储器）
高速循环：
25纳秒（ MIN ）
高速访问：
18毫微秒（最大）
输出保持：
3纳秒（最小值）
完全独立的，异步写入和读取操作
可变长度的延迟位
输出：
3国
应用
数字复印机，高速传真机，激光束打印机。
框图
数据输入
D
0
到D
7
13
14
15
16
21
22
23
24
数据输出
Q
0
以Q
7
1
2
3
4
9
10
11
12
输入缓冲器
输出缓冲器
读出地址计数器
写地址计数器
读控制电路
写
使能输入
WRES
19
写
复位输入
WCK 17
写
时钟输入
V
CC
18
写控制电路
WE
20
5
RE
读
使能输入
存储阵列
5120-word
×
8-bit
CON组fi guration
6
RRES
读
复位输入
8
RCK
读
时钟输入
7
GND
REJ03F0250-0200 Rev.2.00 2007年9月14日
分页： 13 1
M66256FP
管脚配置
M66256FP
数据输出
读使能输入
阅读复位输入
读时钟输入
数据输出
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
RE
RRES
GND
RCK
Q
4
Q
5
Q
6
Q
7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
D
0
D
1
D
2
D
3
WE
WRES
V
CC
WCK
D
4
D
5
D
6
D
7
数据输入
写使能输入
写复位输入
写时钟输入
数据输入
（ TOP VIEW ）
概要： 24P2U -A
REJ03F0250-0200 Rev.2.00 2007年9月14日
分页： 13 2
M66256FP
绝对最大额定值
（ TA = 0 70 ° C，除非另有说明）
项
电源电压
输入电压
输出电压
功耗
储存温度
符号
V
CC
V
I
V
O
Pd
TSTG
评级
0.5
到+7.0
0.5
到V
CC
+ 0.5
0.5
到V
CC
+ 0.5
440
65
150
单位
V
V
V
mW
°C
条件
值的基础上
GND引脚
TA = 25°C
推荐工作条件
项
电源电压
电源电压
工作环境温度
符号
V
CC
GND
TOPR
民
4.5
0
典型值
5
0
最大
5.5
70
单位
V
V
°C
电气特性
（大= 0 70 ° C，V
CC
= 5 V
±
的10％ ， GND = 0V）
项
＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;输入电压
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;输入电压
＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;输出电压
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;输出电压
＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;输入电流
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
IH
民
2.0
V
CC
0.8
典型值
最大
0.8
0.55
1.0
单位
V
V
V
V
A
测试条件
I
OH
=
4
mA
I
OL
= 4毫安
V
I
= V
CC
WE ， WRES ，
WCK ，
RE ， RRES ，
RCK ，
D
0
到D
7
V
I
= GND
WE ， WRES ，
WCK ，
RE ， RRES ，
RCK ，
D
0
到D
7
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;输入电流
I
IL
1.0
A
关机状态下"H"输出电流
关机状态下"L"输出电流
工作平均电流消耗
输入电容
关态输出电容
I
OZH
I
OZL
I
CC
C
I
C
O
5.0
5.0
80
10
15
A
A
mA
pF
pF
V
O
= V
CC
V
O
= GND
V
I
= V
CC
， GND ，输出开路
t
WCK
, t
RCK
= 25纳秒
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
功能
当写使能输入
WE
是"L" ，数据输入的内容
0
到D
7
被写入到存储器中的同步
与写时钟输入WCK上升沿。此时，写地址计数器也同时增加。
还进行下面给出的写功能的同步与WCK的上升沿。
当
WE
是"H" ，一个写入操作存储器是抑制和写地址计数器被停止。
当写复位输入
WRES
是"L" ，写地址计数器初始化。
当读使能输入
RE
是"L" ，内存中的内容输出到数据输出Q
0
以Q
7
在同步
上升的读时钟输入RCK的边缘。此时，读出地址计数器也同时增加。
还进行同步下面给出的读取功能与RCK的上升沿。
当
RE
是"H" ，从存储器读出操作被禁止，读出地址计数器的停止。的输出是在
高阻抗状态。
当读取复位输入
RRES
是"L" ，读出地址计数器初始化。
REJ03F0250-0200 Rev.2.00 2007年9月14日
第13 3
M66256FP
开关特性
（大= 0 70 ° C，V
CC
= 5 V
±
的10％ ， GND = 0V）
项
存取时间
输出保持时间
输出使能时间
输出禁止时间
符号
t
AC
t
OH
t
OEN
t
ODIS
民
3
3
3
典型值
最大
18
18
18
单位
ns
ns
ns
ns
时序条件
（大= 0 70 ° C，V
CC
= 5 V
±
的10％ ，GND = 0V，除非另有说明）
项
写时钟（ WCK ）周期
写时钟（ WCK ） "H"脉冲宽度
写时钟（ WCK ） "L"脉冲宽度
读时钟（ RCK ）周期
读时钟（ RCK ） "H"脉冲宽度
读时钟（ RCK ） "L"脉冲宽度
输入数据建立时间WCK
输入数据保持时间为WCK
重新设置时间WCK或RCK
复位保持时间WCK或RCK
重设非选择设置时间WCK或RCK
重设非选择保持时间WCK或RCK
WE
建立时间WCK
WE
保持时间为WCK
WE
非选择设置时间WCK
WE
非选择保持时间来WCK
RE
建立时间RCK
RE
保持时间为RCK
RE
非选择设置时间RCK
RE
非选择保持时间来RCK
输入脉冲的上升/下降时间
数据保持时间*
符号
t
WCK
t
wckh
t
wckl
t
RCK
t
RCKH
t
RCKL
t
DS
t
DH
t
RESS
t
RESH
t
NRESS
t
NRESH
t
WES
t
WEH
t
NWES
t
NWEH
t
水库
t
REH
t
NRES
t
NREH
TR ， TF
t
H
民
25
11
11
25
11
11
7
3
7
3
7
3
7
3
7
3
7
3
7
3
典型值
最大
20
20
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
注：打开电源后执行复位操作。
*
对于1行访问，下面应满足：
WE
"H"水平时期
≤
20毫秒
5120 t
WCK
WRES
"L"水平时期
RE
"H"水平时期
≤
20毫秒
5120 t
RCK
RRES
"L"水平时期
REJ03F0250-0200 Rev.2.00 2007年9月14日
第13 4
M66256FP
测试电路
V
CC
R
L
= 1 k
Qn
SW1
C
L
= 30 pF的：吨
AC
, t
OH
Qn
SW2
C
L
= 5 pF的：吨
OEN
, t
ODIS
R
L
= 1 k
输入脉冲电平：
0至3V
输入脉冲的上升/下降时间： 3 ns的
决定电压输入：
决定电压输出：
1.3 V
1.3 V（不过，T
ODIS （LZ）
是输出振幅和t 10％
ODIS （HZ）
是90％ ，对于
决定）
负载电容C
L
包括连接的浮动电容和探头的输入电容。
参数
t
ODIS （LZ）
t
ODIS （HZ）
t
OEN （ ZL ）
t
OEN （ ZH ）
SW1
关闭
开放
关闭
开放
SW2
开放
关闭
开放
关闭
t
ODIS
/t
OEN
测试条件
3V
RCK
1.3 V
1.3 V
GND
RE
t
ODIS （HZ）
90%
Qn
t
ODIS （LZ）
Qn
10%
1.3 V
t
OEN （ ZL ）
t
OEN （ ZH ）
3V
GND
V
OH
1.3 V
V
OL
REJ03F0250-0200 Rev.2.00 2007年9月14日
第13个5
三菱
数字
ASSP \u003e
三菱
数字
ASSP \u003e
M66256FP
M66256FP
5120
×
8位线存储器（FIFO ）
5120
×
8位线存储器（FIFO ）
描述
该M66256FP是一种高速线存储器具有先进先出
的5120字（先入先出）结构的
×
8位配置
它采用高性能硅栅CMOS工艺
技术。
它具有独立的时钟，使能和复位信号的写入和
读取，并且是作为间DE-缓冲存储器最合适
罪恶与不同的数据处理吞吐量。
特点
内存配置............................................... .........
............................. 5120字
×
8位（动态存储器）
高速循环............................................. 25ns的（最小）。
高速接入......................................... 18ns （最大。 ）
输出保持............................................... .........为3ns （最小值）
完全独立的，异步写入和读取操作
可变长度的延迟位
输出................................................ .................... 3种状态
应用
数字复印机，高速传真机，激光束打印
ERS 。
引脚配置（顶视图）
Q
0
←
1
Q
1
←
2
数据输出
Q
2
←
3
Q
3
←
4
读使能输入
RE
→
5
24
←
D
0
23
←
D
1
22
←
D
2
21
←
D
3
20
←
WE
写使能输入
数据输入
M66256FP
阅读复位输入RRES
→
6
GND
7
读时钟输入RCK
→
8
Q
4
←
9
Q
5
←
10
数据输出
Q
6
←
11
Q
7
←
12
19
←
WRES写复位输入
18
V
CC
17
←
WCK写时钟输入
16
←
D
4
15
←
D
5
14
←
D
6
13
←
D
7
数据输入
概要24P2U -A
框图
数据输入
D
0
~ D
7
13 14 15 16 21 22 23 24
数据输出
Q
0
~ Q
7
1 2 3 4 9 10 11 12
输入缓冲器
输出缓冲器
读出地址计数器
写地址计数器
写控制电路
写
使能输入20 WE
写
复位输入WRES 19
写
时钟输入WCK 17
读控制电路
5 RE
读
使能输入
存储阵列
5120-WORD
×
8-BIT
CON组fi guration
读
6 RRES复位输入
读
8 RCK时钟输入
V
CC
18
7 GND
1
三菱
数字
ASSP \u003e
M66256FP
5120
×
8位线存储器（FIFO ）
功能
当写使能输入WE为“L”时的数据输入的内容
D
0
到D
7
被写入到存储器，与上升的同步
写时钟输入WCK优势。此时，写入地址
计数器也同时增加。
也以同步的执行下面给出的写功能
nization与WCK的上升沿。
当WE为“H”时，写入操作存储器是抑制和
写地址计数器被停止。
当写入复位输入WRES为“L” ，写入地址计数器
被初始化。
当读使能输入端RE为“ L”时，存储器中的内容是
输出到数据输出Q
0
以Q
7
在同步上升
读时钟输入RCK优势。此时，读出地址
计数器也同时增加。
也在同步进行下面给出的读取功能
chronization与RCK的上升沿。
当RE为“H”时，从存储器的读出操作被禁止
和读出地址计数器的停止。的输出是在
高阻抗状态。
当读出复位输入RRES是“ L”时，读出地址计数器
被初始化。
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
O
P
d
T
英镑
电源电压
(T
a
= 070 ℃，除非另有说明）
参数
输入电压
输出电压
最大功率耗散
储存温度
条件
基于GND引脚上的值
T
a
= 25°C
评级
–0.5 ~ +7.0
–0.5 ~ V
CC
+ 0.5
–0.5 ~ V
CC
+ 0.5
440
–65 ~ 150
单位
V
V
V
mW
°C
推荐工作条件
符号
V
CC
GND
T
OPR
电源电压
电源电压
工作环境温度
参数
分钟。
4.5
0
范围
典型值。
5
0
马克斯。
5.5
70
单位
V
V
°C
电气特性
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
IH
参数
“H”输入电压
“L”输入电压
“H”时的输出电压
“L”，输出电压
“H”时的输入电流
(T
a
= 0 70℃ ，V
CC
= 5V
±
的10％ ， GND = 0V）
测试条件
范围
分钟。
2.0
V
CC
–0.8
0.55
典型值。
马克斯。
0.8
单位
V
V
V
V
mA
I
OH
= -4mA
I
OL
= 4毫安
V
I
= V
CC
WE ， WRES ， WCK ， RE ，
RRES ， RCK ，
D
0
~ D
7
WE ， WRES ， WCK ， RE ，
RRES ， RCK ，
D
0
~ D
7
1.0
I
IL
I
OZH
I
OZL
I
CC
C
I
C
O
“L”的输入电流
关闭状态“H”输出电流
关闭状态“L”输出电流
工作平均电流耗散
化
输入电容
关态输出电容
V
I
= GND
V
O
= V
CC
–1.0
5.0
–5.0
80
10
15
mA
mA
mA
mA
pF
pF
V
O
= GND
V
I
= V
CC
， GND ，输出开路
t
WCK
, t
RCK
= 25ns的
F = 1MHz的
F = 1MHz的
2
QQ：2881677436 复制
