三菱
数字
ASSP \u003e
三菱
数字
ASSP \u003e
M66006P/FP
M66006P/FP
12位I / O扩展器
12位I / O扩展器
描述
在M66006是一个半导体集成电路具有
12位的移位寄存器功能，可以执行串行 - 并行转换
锡永和并行 - 串行转换。
因为一个串行 - 并行移位寄存器和并行 - 串行
移位寄存器独立地内置于该IC ，所以能够
读取串行输入数据到移位寄存器中，而转换杆
等位基因数据转换成串行数据。另外，并行数据的I / O引脚，可以
设置为输入或输出模式逐位。
该M66006可广泛用于I / O口扩张
微控制器，串行总线系统的数据通信等。
特点
与MCU 双向串行数据通信
在并行 - 串行转换读取串行数据。
串行数据输入的位分辨率/ O
低功耗（ 50μW /包最大值）
(V
CC
= 5V ，T
a
= 25 ℃，静止）
施密特输入（ DI ， CLK ， S， CS ）
开漏输出（ DO ，从D1到D12 ）
并行数据I / O（从D1到D12 ）
宽工作电压范围（V
CC
= 2 6V）
宽工作温度范围（T
a
= -20至75° C）
应用
串行 - 并行数据转换，并行 - 串行数据转换
锡永，通过单片机的串行总线控制。
框图
引脚配置（顶视图）
DO
←
1
DI
→
2
CS
→
4
V
CC
设置输入
5
20
D1
19
D2
18
D3
17
D4
16
15
14
13
12
11
D5
½
并行数据I / O
D6
D7
D8
D9
D10
串行数据输出
串行数据输入
DO
DI
CLK
CS
D1
D2
D3
D4
D5
时钟输入
CLK
→
3
片选输入
S
→
6
GND
7
S
D6
D7
并行数据
输出
D12
D11
8
9
10
D12
D11
D8
D9
D10
GND
大纲20P4
20P2N-A
V
CC
5
控制电路
时钟输入CLK 3
设置输入
S 6
移位寄存器
!
D
12
D
11
D
10
DO
串行
1 DOdata输出
20 D1
19
18
D2
D3
½
D10
D11
D12
D
3
D
2
D
1
V
CC
CLK
S
CS
DI
芯片
选择输入CS 4
Q
12
Q
11
Q
10
D
12
D
11
D
10
Q
12
D
11
D
10
D
1
迪2
Q
3
Q
2
Q
1
D
3
D
2
D
1
Q
3
Q
2
Q
1
11
9
8
7
GND
10
GND
并行输出锁存
并行数据I / O
输入形式
V
CC
DO
V
CC
D1~
D12
移位寄存器
@
串行
数据输入
输出方式
1
三菱
数字
ASSP \u003e
M66006P/FP
12位I / O扩展器
功能
该M66006实现了低功耗，高噪音
免疫运用硅CMOS工艺。
因为一个12位的串行 - 并行移位寄存器和一个12位的杆
等位基因串行移位寄存器独立建在这个IC ，它是
可以读取串行输入数据转换时的并行
数据转换成串行数据。
当CS从“H ”变为“ L”时， 12位杆的串行输出改变
等位基因数据和读取从MCU开始串行数据。即，
12位并行数据被锁在CS的下降沿同步
chronized与移位时钟的下降沿，并输出
串行输出引脚DO为串行数据。同时，串行
从MCU的数据读入到内部移位寄存器的
上升的移位时钟的边沿。在之后第13位的移位时钟
被忽略和引脚做的就是把在高阻抗状态
当读出操作被屏蔽。当CS变
从“ L”变为“ H”时，读入销的DI 12位串行数据被输出到
并行输出引脚从D1到D12 。
由于并行输出管脚的输出形式是N沟道
开路漏极输出， “H”，必须写入到销设置为在 -
把模式。
操作描述
（1）接通电源时，销DO和从D1至D12是
在不确定的状态。当S变为“ L”时，这些引脚
在高阻抗状态。
（2）在CS中，销从D1至D12的状态的下降沿
加载到移位寄存器
!.
（3）在CLK的被装载如上的下降沿，数据
（2）是输出到引脚的DO为12位串行数据中的顺序。
（4）在CLK的上升沿， 12位串行数据被从写入
DI移位寄存器
@.
（ 5 ） CLK上和之后的第13位被忽略和写作
串行数据是不可能的。另外，不要放在高im-
pedance状态。
（6）在CS的上升沿，其被写为men-数据
tioned在（4 ）输出到引脚从D1至D12 。
（ 7 ）移位寄存器
!
加载数据从外部施加的
和领带被锁存并行输出锁存数据。
（8）当CS升起之前的CLK到达第12位时， paral-
LEL的输出锁存锁存器已被写入到数据
移位寄存器
@
它输出到引脚从D1至D12 。在
这种情况下，移位寄存器
!
和
@
继续移位OP-
关合作和DO输出串行数据，直到CLK到达
第12位。
（ 9 ）切换的引脚I / O模式从D1到D12是可控
通过该串行数据被输入到管脚DI中。引脚到“H”的
写操作的输入引脚。
操作时序图
H
S
(1)
L
(2)
(5)
CLK
1
2
(4)
DI
DO1
(3)
DO
DI1
DI2
DI3
DI4
DI5
DI6
DI7
DI8
DI9
DO2
DO3
DO4
DO5
DO6
DO7
DO8
DO9
DO10 DO11 DO12
高阻抗
DI10
DI11
DI12
(6)
D1
DI1
DO1
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
(6)
CS
D2
DI2
DO2
DI2
DI12
1周
DO12
2
三菱
数字
ASSP \u003e
M66006P/FP
12位I / O扩展器
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
GND
T
英镑
电源电压
输入电压
输出电压
(T
a
= -20 75 ° C除非另有说明）
参数
条件
评级
–0.5 ~ +7.0
–0.5 ~ V
CC
+ 0.5
–0.5 ~ V
CC
+ 0.5
–20
20
–20
20
–48
–60 ~ 150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
°C
输入保护二极管电流
输出寄生二极管电流
GND电流
储存温度
V
I
<0V
V
I
＆ GT ; V
CC
V
O
<0V
V
O
＆ GT ; V
CC
GND
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
O
T
OPR
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度
参数
范围
分钟。
2
0
0
–20
典型值。
马克斯。
6
V
CC
V
CC
75
单位
V
V
V
°C
电气特性
符号
参数
正方向
阈值电压* 1
负向
阈值电压* 1
“H”输入电压* 2
“L”输入电压* 2
“L”，输出电压
(V
CC
= 2 6V ，除非另有说明）
范围
测试条件
V
O
=0.1V, V
CC
–0.1V
|I
O
|=20A
V
O
=0.1V, V
CC
–0.1V
|I
O
|=20A
V
O
=0.1V, V
CC
–0.1V
|I
O
|=20A
V
O
=0.1V, V
CC
–0.1V
|I
O
|=20A
V
I
=V
T+
, V
T–
V
CC
=4.5V
V
I
=V
T+
, V
T–
V
CC
=6V
V
I
=V
CC
， GND ，V
CC
=6V
T
a
=25C
分钟。
典型值。
马克斯。
0.35
0.8
×
V
CC
×
V
CC
0.2
×
V
CC
0.75
×
V
CC
0.25
×
V
CC
I
OL
=3mA
V
O
=V
CC
V
O
= GND
0.4
1.0
–1.0
10.0
0.65
×
V
CC
T
a
= –20~75C
分钟。
马克斯。
0.35
0.8
×
V
CC
×
V
CC
0.2
×
V
CC
0.75
×
V
CC
0.25
×
V
CC
0.5
10.0
–10.0
100.0
0.65
×
V
CC
单位
V
T+
V
T–
V
IH
V
IL
V
OL
I
O
I
CC
* 1： DI ，CLK， CS ，S
*2: D1~D12
V
V
V
V
V
A
A
最大输出泄漏
当前
静态功耗
开关特性
符号
f
最大
t
PLZ
t
PZL
t
PLZ
t
PZL
t
PLZ
(V
CC
= 5V)
范围
参数
最高重复频率
输出的“L -Z ”，“Z -L”传播时间
CLK -DO
输出的“L -Z ”，“Z -L”传播时间
CS- D1至D12
输出的“L - Z”的传播时间的S- D0， D1至D12的
测试条件
分钟。
2.5
C
L
=50pF
R
L
=1k
（注2 ）
T
a
=25C
典型值。
马克斯。
300
300
300
300
300
T
a
= –20~75C
分钟。
1.9
马克斯。
兆赫
400
400
400
400
400
ns
ns
ns
ns
ns
单位
3
三菱
数字
ASSP \u003e
M66006P/FP
12位I / O扩展器
时序条件
符号
t
w
t
su
(V
CC
= 5V)
范围
参数
CLK ， CS ，S脉冲宽度
DI的建立时间CLK
CS的建立时间CLK
D1的建立时间，以D12为CS
持有DI的时间CLK
保持的CS的时间到CLK
持D1的时间至D12到CS
CS的恢复时间向S
测试条件
T
a
=25C
分钟。
典型值。
马克斯。
200
100
100
100
100
100
100
100
T
a
= –20~75C
分钟。
马克斯。
260
130
130
130
130
130
130
130
单位
ns
ns
t
h
t
REC
ns
ns
注2 ：测试电路
输入
V
CC
产量
V
CC
（1）脉冲发生器（PG） （10％至90％）的特性
t
r
= 6ns的，T
f
= 6ns的，Z
o
=50
R
L
（2 ）静态电容CL包括的浮置电容
PG
50
被测设备
布线和探针的输入电容。
C
L
GND
4
QQ：2881677436 复制
