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三菱半导体<HVIC>
M63993FP
高压3PHASE桥驱动
描述
M63993FP是高压功率MOSFET和IGBT MOD-
ULE驱动3相桥应用。
引脚配置(顶视图)
UFS
UPO
UFB
NC
NC
NC
NC
NC
VFS
VPO
VFB
NC
NC
NC
NC
世界粮食首脑会议
WPO
WFB
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
特点
=浮动
电源电压600V .................................
产量
当前.............................................
±300mA
3PHASE
桥驱动器
SSOP-36
应用
MOSFET和IGBT逆变模块的驱动程序,冰箱,
空调,洗衣机,空调,伺服电机和性别
ERAL目的。
GND
COUT
CIN2
CIN1
NC
VDD
UPIN
UNIN
VPIN
VNIN
WPIN
WnIn
GND
保护地
WNO
VNO
UNO
VCC
包装型36P2R
M63993FP
NC :无连接
框图
UFB
VDD
输入电阻为50kΩ的
国际米兰
LOCK
SQ
R
SQ
R
UPO
UPIN
镜头
脉冲
+
10s
UFS
UNIN
VDD / VCC
电平转换
VCC
UNO
保护地
VPIN
同样当U相
VNIN
VFB
VPO
VFS
VNO
WFB
WPO
世界粮食首脑会议
WNO
WPIN
WnIn
同样当U相
阈值: 0.1
VVDD
(V)
1.5s
+
CIN1
阈值: 0.5
VVDD
(V)
+
7.5s
COUT
CIN2
GND
2000年9月
三菱半导体<HVIC>
M63993FP
高压3PHASE桥驱动
绝对最大额定值
符号
U,V , WFB
U,V , WFS
VU ,V , WPO
VCC
VU ,V , WNO
VDD
VIN
DVS / DT
Pt
K
q
RTH (J -C )
Tj
TOPR
TSTG
参数
高侧浮动电源电压
高侧浮动电源偏置电压
高侧输出电压
低压侧电源电压
低侧输出电压
逻辑电源电压
逻辑输入电压
允许的偏移电压瞬变
封装功耗
线性降额因子
结案件热阻
结温
工作温度
储存温度
U,V , WPI N, U,V , WNI
TA = 25℃ ,船上
TA > 25℃ ,船上
条件
评级
–0.5~624
VB- 24 VB + 0.5
VS- 0.5 + VB 0.5
–0.5 ~ 24
-0.5 VCC + 0.5
–0.5 ~ 7
-0.5 VDD + 0.5
±50
1.2
12.0
30
–30 ~ 125
–30 ~ 100
–40 ~ 125
单位
V
V
V
V
V
V
V
V / ns的
W
毫瓦/°C的
° C / W
°C
°C
°C
推荐工作条件
符号
U,V , WFB
U,V , WFS
VCC
VDD
VIN
VPGND
参数
高侧浮动电源电压
高侧浮动电源偏置电压
低压侧电源电压
逻辑电源电压
逻辑输入电压
输出电压GND
U,V , WPI N, U,V , WNI
测试条件
分钟。
VS+10
–5
10
4.5
0
–5
范围
典型值。
马克斯。
VS+20
500
20
5.5
VDD
5
单位
V
V
V
V
V
V
功能表1 ( INPUT , OUTPUT和UV)
U,V , WPIN
H
H
L
L
X
H
U,V , WNIN
H
L
H
L
H
L
UV
H
H
H
X
L
L
U,V , WPO
L
L
H
L
L
L
U,V , WNO
L
H
L
L
L
H
行为状态
正常关闭
VNO
ON
VPO
ON
VPO
=关闭
VNO
- 关,
VPIN
=
VNIN
= L同步
,
VPO
关闭
VVB
UV跳闸
,
VNO
上,
VVB
UV跳闸
注: “L”状态
V
VB紫外线意味着紫外线触发电压。
功能表2 (比较器)
CIN1
L
H
X
CIN2
H
X
L
COUT
H
L
L
行为状态
COUT是正常的高
2000年9月
三菱半导体<HVIC>
M63993FP
高压3PHASE桥驱动
电气特性
(Ta=25
°
C, VCC = VBS = 15V , VDD = 5V ,除非另有规定)
符号
IFS
肠易激综合征
ICC
国际直拨电话
VOH
VOL
VIH
VIL
IIH
IIL
VUVT
VUVR
TUV
IOH
IOL
tdLH ( HO)的
tdHL ( HO)的
潮流( HO)的
TF ( HO)
tdLH ( LO)的
tdHL ( LO)的
TR (LO )
TF (LO )
VCIN1th
tVCIN1
VCIN2th
tVCIN2
VCOH
VCOL
参数
浮动电源漏电流
VBS待机电流
VCC待机电流
VDD待机电流
高电平输出电压
低电平输出电压
高电平输入阈值电压
低电平输入阈值电压
高电平输入偏置电流
低电平输入偏置电流
VBS供应UV电压跳闸
VBS供应UV复位电压
VBS供应UV过滤时间
输出高电平的短路脉冲电流
输出低电平短路脉冲电流
高边导通传播延迟
高侧关断传播延迟
高边导通上升时间
高侧关断下降时间
低端导通传播延迟
低端关断传播延迟
低端导通上升时间
低端关断下降时间
比较器1阈值电压
比较器1过滤时间
比较器2的阈值电压
比较器2的滤波器时间
比较H物位输出电压
比较L液位输出电压
ICO=500A
ICO=–500A
VPOVNO = 0V , VPIN , VNIN = 5V , PW<10μs
VPOVNO = 15V , VPIN , VNIN = 0V , PW<10μs
CL = 1000pF的议员之间 - VS
CL = 1000pF的议员之间 - VS
CL = 1000pF的议员之间 - VS
CL = 1000pF的议员之间 - VS
CL = 1000pF的LO - GND之间
CL = 1000pF的LO - GND之间
CL = 1000pF的LO - GND之间
CL = 1000pF的LO - GND之间
VDD=5V
VDD=5V
IO=0A,
VNO , VPO
IO=0A,
VNO , VPO
VPIN , VNIN
VPIN , VNIN
VPIN , VNIN = 5V
VPIN , VNIN = 0V
测试条件
VB = VS =每1相600V
分钟。
14.9
2.1
0.6
7.0
7.5
250
230
250
230
0.47
2.4
4.5
范围
典型值。
0.48
0.5
3.0
1.5
100
8.0
8.5
7.5
–300
300
300
280
130
100
300
280
130
100
0.5
1.5
2.5
7.5
马克斯。
1
0.1
0.1
4.0
1.9
1.0
300
9.0
9.5
350
330
350
330
0.53
2.6
0.5
单位
A
mA
mA
mA
V
V
V
V
A
A
V
V
s
mA
mA
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
s
V
s
V
V
2000年9月
三菱半导体<HVIC>
M63993FP
高压3PHASE桥驱动
铅定义
LEAD符号
UFS , VFS , WFS
UPO , VPO , WPO
UFB , VFB , WFB
VCC
UNO , VNO , WNO
保护地
UNIN , VNIN , WNIN
UPIN , VPIN , WPIN
VDD
CIN1
CIN2
COUT
高侧浮动电源(负方)
高侧栅极驱动输出
高侧浮动电源(加方)
低端电源
低侧栅极驱动输出
低端电源地
低侧栅极驱动器输出逻辑输入( LO )
高侧栅极驱动器输出逻辑输入( HO)
逻辑电源
输入比较器1
输入比较器2
比较器输出
描述
时序图
1.输入/输出时序图
VPIN
VNIN
VPO
VNO
2. VBS的欠压锁定时序图
V1
VBS
VBSUVR
VBSuvt
tVBSuv
VPO
VPIN
V1:
VBS = VFB - VFS
2000年9月
三菱半导体<HVIC>
M63993FP
高压3PHASE桥驱动
性能曲线
IFS与温度的关系
10
9
8
7
5
4
3
2
1
0
–1
–20
0
25
50
75
100
125
0.3
0.2
–20
0
肠易激综合征(毫安)
6
IFS ( μA )
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
1.0
0.9
IBS与温度的关系
25
50
75
100
125
温度(℃)
温度(℃)
VIL , VIH与温度的关系
4.0
3.5
3.0
VIL , VIH ( V)
IDD (MA )
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
–20
0
25
50
75
100
125
VIL
VIH
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
–20
0
IDD与温度的关系
25
50
75
100
125
温度(℃)
温度(℃)
VBSUVT , VBSUVR与温度的关系
9.5
300
250
VBSUVR
200
VBSuvt
8.0
IIL ( μA )
8.5
150
100
7.5
7.0
–20
50
0
–20
IIL与温度的关系
VBSUVT , VBSUVR ( V)
9.0
0
25
50
75
100
125
0
25
50
75
100
125
温度(℃)
温度(℃)
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