三菱半导体<HVIC>
M63991FP
高压半桥驱动器
描述
M63991FP是高压功率MOSFET和IGBT MOD-
ULE驱动半桥应用。
引脚配置（顶视图）
特点
=浮动
电源电压600V ...................................
产量
当前............................................. ± 500毫安
“半
桥驱动器
SOP-16
应用
PDP 。 HID灯。
MOSFET和IGBT逆变模块的驱动程序，冰箱，
空调，洗衣机，空调，伺服电机和性别
ERAL目的。
LO
1
GND
2
VCC
3
NC
4
NC
5
VS
6
VB
7
HO
8
16
15
14
13
12
11
10
9
NC
GND
LIN
NC
HIN
VDD
NC
NC
包装型16P2N
M63991FP
NC ：无连接
框图
VB
UV
检测
滤波器
VDD
HV
水平
移
R
Q
R
国际米兰
LOCK
HO
HIN
VDD /
VCC
水平
移
S
脉冲
根
VS
VCC
UV
检测
滤波器
R
Q
LO
LIN
延迟
S
GND
GND
2000年9月
三菱半导体<HVIC>
M63991FP
高压半桥驱动器
绝对最大额定值
符号
VB
VS
VHO
VCC
VLO
VDD
VIN
DVS / DT
Pt
K
q
RTH （J -C ）
Tj
TOPR
TSTG
参数
高侧浮动电源电压
高侧浮动电源偏置电压
高侧输出电压
低压侧电源电压
低侧输出电压
逻辑电源电压
逻辑输入电压
允许的偏移电压瞬变
封装功耗
线性降额因子
结 - 壳热阻
结温
工作温度
储存温度
HIN ， LIN
TA = 25℃ ，船上
TA > 25℃ ，船上
条件
评级
–0.5~624
VB- 24 VB + 0.5
VS- 0.5 + VB 0.5
–0.5 ~ 24
-0.5 VCC + 0.5
–0.5 ~ 7
-0.5 VDD + 0.5
±50
0.89
8.9
45
–20 ~ 125
–20 ~ 75
–40 ~ 125
单位
V
V
V
V
V
V
V
V / ns的
W
毫瓦/°C的
° C / W
°C
°C
°C
推荐工作条件
符号
VB
VS
VCC
VDD
VIN
参数
高侧浮动电源电压
高侧浮动电源偏置电压
低压侧电源电压
逻辑电源电压
逻辑输入电压
HIN ， LIN
测试条件
分钟。
VS+13.5
–5
13.5
4.5
0
范围
典型值。
—
—
—
—
—
马克斯。
VS+20
500
20
5.5
VDD
单位
V
V
V
V
V
功能表
HIN
L
L
H
H
X
!
L
H
LIN
L
H
L
H
L
H
X
!
VBS UV
H
H
H
H
L
L
H
H
VCC UV
H
H
H
H
H
H
L
L
HO
L
L
H
L
L
L
L
（注）
H
（注）
LO
L
H
L
L
L
H
L
L
LO = OFF ， HO = OFF
LO = ON ， HO = OFF
LO = OFF ， HO = ON
LO = OFF ， HO = OFF ， LIN = HIN = H同步
LO = OFF ， HO = OFF ， VBS UV跳闸
LO = ON ， HO = OFF ， VBS UV跳闸
LO = OFF ， HO = OFF ， VCC UV跳闸
LO = OFF ， HO = ON ， VCC UV跳闸
行为状态
注意： VBS的紫外线和VCC的UV “L”状态意味着紫外线跳转电压。
即使VCC UV跳闸，何状态没有改变。
当VCC低于UV触发电压低，显状态，不能被传播到HO 。
2000年9月
三菱半导体<HVIC>
M63991FP
高压半桥驱动器
电气特性
(Ta=25
°
C， VCC = VBS = 15V ， VDD = 5V ，除非另有规定）
符号
IFS
肠易激综合征
ICC
国际直拨电话
VOH
VOL
VIH
VIL
IIH
IIL
VBSuvt
VBSUVR
tVBSuv
VCCUVT
VCCUVR
tVccuv
IOH
IOL
ROH
ROL
tdLH （ HO）的
tdHL （ HO）的
潮流（ HO）的
TF （ HO）
tdLH （ LO）的
tdHL （ LO）的
TR （LO ）
TF （LO ）
tdMon
tdMoff
参数
浮动电源漏电流
VBS待机电流
VCC待机电流
VDD待机电流
高电平输出电压
低电平输出电压
高电平输入阈值电压
低电平输入阈值电压
高电平输入偏置电流
低电平输入偏置电流
VBS供应UV电压跳闸
VBS供应UV复位电压
VBS供应UV过滤时间
VCC供应UV电压跳闸
VCC供应UV复位电压
VCC供应UV过滤时间
输出高电平的短路脉冲电流
输出低电平短路脉冲电流
输出高电平导通电阻
输出低电平导通电阻
高边导通传播延迟
高侧关断传播延迟
高边导通上升时间
高侧关断下降时间
低端导通传播延迟
低端关断传播延迟
低端导通上升时间
低端关断下降时间
延迟匹配，高压侧和低压侧的导通
延迟匹配，高压侧和低压侧转向 - 关
VO = 0V ， VIN = 5V ， PW<10μs
VO = 15V ， VIN = 0V ， PW<10μs
IO = -200mA ， ROH = （ VOH - VO ） / IO
IO =的200mA， ROL = VO / IO
CL = 1000pF的议员之间 - VS
CL = 1000pF的议员之间 - VS
CL = 1000pF的议员之间 - VS
CL = 1000pF的议员之间 - VS
CL = 1000pF的LO - GND之间
CL = 1000pF的LO - GND之间
CL = 1000pF的LO - GND之间
CL = 1000pF的LO - GND之间
| tdLH （HO） -tdLH （LO） |
| tdHL （HO） -tdHL （LO） |
IO = 0A ， LO ， HO
IO = 0A ， LO ， HO
HIN ， LIN
HIN ， LIN
VIN=5V
VIN=0V
测试条件
VB=VS=600V
分钟。
—
0.2
0.2
—
13.8
—
2.1
0.6
—
—
9.5
10.0
—
9.5
10.0
—
—
—
—
—
250
230
—
—
250
230
—
—
—
—
范围
典型值。
—
0.5
0.5
—
14.4
—
3.0
1.5
25
—
10.5
11.0
7.5
10.5
11.0
7.5
–0.5
0.5
40
20
300
280
80
60
300
280
80
60
—
—
马克斯。
1.0
1.0
1.0
100
—
0.1
4.0
1.9
75
1.0
11.5
12.0
—
11.5
12.0
—
—
—
—
—
350
330
—
—
350
330
—
—
30
30
单位
A
mA
mA
A
V
V
V
V
A
A
V
V
s
V
V
s
A
A
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2000年9月
三菱半导体<HVIC>
M63991FP
高压半桥驱动器
描述
M63991FP是高压功率MOSFET和IGBT MOD-
ULE驱动半桥应用。
引脚配置（顶视图）
特点
=浮动
电源电压600V ...................................
产量
当前............................................. ± 500毫安
“半
桥驱动器
SOP-16
应用
PDP 。 HID灯。
MOSFET和IGBT逆变模块的驱动程序，冰箱，
空调，洗衣机，空调，伺服电机和性别
ERAL目的。
LO
1
GND
2
VCC
3
NC
4
NC
5
VS
6
VB
7
HO
8
16
15
14
13
12
11
10
9
NC
GND
LIN
NC
HIN
VDD
NC
NC
包装型16P2N
M63991FP
NC ：无连接
框图
VB
UV
检测
滤波器
VDD
HV
水平
移
R
Q
R
国际米兰
LOCK
HO
HIN
VDD /
VCC
水平
移
S
脉冲
根
VS
VCC
UV
检测
滤波器
R
Q
LO
LIN
延迟
S
GND
GND
2000年9月
三菱半导体<HVIC>
M63991FP
高压半桥驱动器
绝对最大额定值
符号
VB
VS
VHO
VCC
VLO
VDD
VIN
DVS / DT
Pt
K
q
RTH （J -C ）
Tj
TOPR
TSTG
参数
高侧浮动电源电压
高侧浮动电源偏置电压
高侧输出电压
低压侧电源电压
低侧输出电压
逻辑电源电压
逻辑输入电压
允许的偏移电压瞬变
封装功耗
线性降额因子
结 - 壳热阻
结温
工作温度
储存温度
HIN ， LIN
TA = 25℃ ，船上
TA > 25℃ ，船上
条件
评级
–0.5~624
VB- 24 VB + 0.5
VS- 0.5 + VB 0.5
–0.5 ~ 24
-0.5 VCC + 0.5
–0.5 ~ 7
-0.5 VDD + 0.5
±50
0.89
8.9
45
–20 ~ 125
–20 ~ 75
–40 ~ 125
单位
V
V
V
V
V
V
V
V / ns的
W
毫瓦/°C的
° C / W
°C
°C
°C
推荐工作条件
符号
VB
VS
VCC
VDD
VIN
参数
高侧浮动电源电压
高侧浮动电源偏置电压
低压侧电源电压
逻辑电源电压
逻辑输入电压
HIN ， LIN
测试条件
分钟。
VS+13.5
–5
13.5
4.5
0
范围
典型值。
—
—
—
—
—
马克斯。
VS+20
500
20
5.5
VDD
单位
V
V
V
V
V
功能表
HIN
L
L
H
H
X
!
L
H
LIN
L
H
L
H
L
H
X
!
VBS UV
H
H
H
H
L
L
H
H
VCC UV
H
H
H
H
H
H
L
L
HO
L
L
H
L
L
L
L
（注）
H
（注）
LO
L
H
L
L
L
H
L
L
LO = OFF ， HO = OFF
LO = ON ， HO = OFF
LO = OFF ， HO = ON
LO = OFF ， HO = OFF ， LIN = HIN = H同步
LO = OFF ， HO = OFF ， VBS UV跳闸
LO = ON ， HO = OFF ， VBS UV跳闸
LO = OFF ， HO = OFF ， VCC UV跳闸
LO = OFF ， HO = ON ， VCC UV跳闸
行为状态
注意： VBS的紫外线和VCC的UV “L”状态意味着紫外线跳转电压。
即使VCC UV跳闸，何状态没有改变。
当VCC低于UV触发电压低，显状态，不能被传播到HO 。
2000年9月
三菱半导体<HVIC>
M63991FP
高压半桥驱动器
电气特性
(Ta=25
°
C， VCC = VBS = 15V ， VDD = 5V ，除非另有规定）
符号
IFS
肠易激综合征
ICC
国际直拨电话
VOH
VOL
VIH
VIL
IIH
IIL
VBSuvt
VBSUVR
tVBSuv
VCCUVT
VCCUVR
tVccuv
IOH
IOL
ROH
ROL
tdLH （ HO）的
tdHL （ HO）的
潮流（ HO）的
TF （ HO）
tdLH （ LO）的
tdHL （ LO）的
TR （LO ）
TF （LO ）
tdMon
tdMoff
参数
浮动电源漏电流
VBS待机电流
VCC待机电流
VDD待机电流
高电平输出电压
低电平输出电压
高电平输入阈值电压
低电平输入阈值电压
高电平输入偏置电流
低电平输入偏置电流
VBS供应UV电压跳闸
VBS供应UV复位电压
VBS供应UV过滤时间
VCC供应UV电压跳闸
VCC供应UV复位电压
VCC供应UV过滤时间
输出高电平的短路脉冲电流
输出低电平短路脉冲电流
输出高电平导通电阻
输出低电平导通电阻
高边导通传播延迟
高侧关断传播延迟
高边导通上升时间
高侧关断下降时间
低端导通传播延迟
低端关断传播延迟
低端导通上升时间
低端关断下降时间
延迟匹配，高压侧和低压侧的导通
延迟匹配，高压侧和低压侧转向 - 关
VO = 0V ， VIN = 5V ， PW<10μs
VO = 15V ， VIN = 0V ， PW<10μs
IO = -200mA ， ROH = （ VOH - VO ） / IO
IO =的200mA， ROL = VO / IO
CL = 1000pF的议员之间 - VS
CL = 1000pF的议员之间 - VS
CL = 1000pF的议员之间 - VS
CL = 1000pF的议员之间 - VS
CL = 1000pF的LO - GND之间
CL = 1000pF的LO - GND之间
CL = 1000pF的LO - GND之间
CL = 1000pF的LO - GND之间
| tdLH （HO） -tdLH （LO） |
| tdHL （HO） -tdHL （LO） |
IO = 0A ， LO ， HO
IO = 0A ， LO ， HO
HIN ， LIN
HIN ， LIN
VIN=5V
VIN=0V
测试条件
VB=VS=600V
分钟。
—
0.2
0.2
—
13.8
—
2.1
0.6
—
—
9.5
10.0
—
9.5
10.0
—
—
—
—
—
250
230
—
—
250
230
—
—
—
—
范围
典型值。
—
0.5
0.5
—
14.4
—
3.0
1.5
25
—
10.5
11.0
7.5
10.5
11.0
7.5
–0.5
0.5
40
20
300
280
80
60
300
280
80
60
—
—
马克斯。
1.0
1.0
1.0
100
—
0.1
4.0
1.9
75
1.0
11.5
12.0
—
11.5
12.0
—
—
—
—
—
350
330
—
—
350
330
—
—
30
30
单位
A
mA
mA
A
V
V
V
V
A
A
V
V
s
V
V
s
A
A
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2000年9月
QQ：2880707522 复制
